• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
• /
• v.26 no.4
• /
• pp.73-80
• /
• 1989

The image sensitive PbO photoconductive films were fabricated ar several deposition conditions such as $O_2$ gas pressure, deposition rate, and substrate temperature. And the effects of these deposition condition on the structural and electrical properties of them were investigated with the aid of scanning electron photomicrographs. X-ray diffraction patterns, and current-valtage chatacteristics. The results show that when PbO film has red tetragonal structure and its dominant orientations are <110> and <010> direction, photocurrent-darkcurrent ratio and light transfer ratio are increase.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.08a
• /
• pp.312.2-312.2
• /
• 2013

태양전지에서 SiNX층은 반사방지막 역할과 표면 페시베이션의 역할을 동시에 하고 있다. SiNx에서 굴절율과 두께는 반사율과 밀접한 관계가 있으며 동시에 표면 소수캐리어 수명에도 큰 영향을 미친다. 따라서 굴절율과 두께를 조절하여 낮은 반사도와 긴 소수캐리어 수명을 가지는 SiNx 박막을 제조하여야 우수한 효율의 태양전지를 제조할 수 있다. 본 연구에서는 다양한 굴절율과 두께의 SiNx 박막을 결정질 실리콘 태양전지에 적용하여 효율과의 상관관계를 해석하였다. SiNx 박막은 PECVD장비를 이용하여 RF파워, 가스혼합량, 증착시간 등을 각각 변화시키며 형성하였다. RF 파워는 100~500 W로 변화 시켰고 혼합가스 변화는 SiH4가스와 NH3가스, Ar가스를 각각 주입하며 증착하였다. RF 파워 300W, 가스혼합량 SiH4 90sccm, NH3 26sccm, Ar 99sccm과 기판 온도 $300^{\circ}C$, 공정시간 58초에서 포면 반사율 1.09%와 굴절률 1.965, 두께 76nm를 갖는 SiNx층을 형성 할 수 있었다. SiNx층을 증착하여 셀을 제작한 결과, 개방전압: 0.612V, 전류밀도: 38.49 mA/cm2, 충실도: 75.62%, 효율: 17.82%를 얻을 수 있었다.

• Applied Chemistry for Engineering
• /
• v.19 no.3
• /
• pp.322-325
• /
• 2008

3,3-Dimethyl-1-butene ($C_6H_{12}$) monomer was deposited using a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) instrument. The more the R.F. power/pressure ratio in FT-IR spectrum, the less the hydrogen quantity and the dangling bond in amorphous carbon films observed so that the mechanical property of the films are improved related to the density. Also, with the increase D peak in Raman spectrum is increased and the ring structure's films are produced. According to these results, hardness and modulus are 12 GPa and 85 GPa, respectively. The refractive index (n) and extinction coefficients (k) of the deposited films are increased with the increase in a power/pressure ratio.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.16 no.6
• /
• pp.4121-4124
• /
• 2015

Near infrared blocking function in energy saving window glass is required. The design, deposition and characteristics of optical thin films for reflection of near-infrared light were studied. The optical thin film is designed as laminated film structure with low refractive index film and high index film. Deposition experiments of $SiO_2$ and $TiO_2$ thin films with designed structure using the RF sputtering method were carried out. The characteristics of the thin film with deposition conditions were analyzed. High-refractive-index thin film of $TiO_2$/low refractive-index thin film of $SiO_2$ and high-refractive-index thin film of $TiO_2$ structure for reflection of near-infrared light was designed to be simulated. Results of simulation showed reflectance of 30% or more in the range from 930nm to 1682nm. Triple layer thin films fabricated with simulated results showed wavelength bands from 930nm to 1525nm for the reflectance of 33% or more.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2003.11a
• /
• pp.69-69
• /
• 2003

최근 trench capacitor, isolation trench, micro-electromechanical system(MEMS), micro-opto-electromechanical system(MOEMS)등의 다양한 기술에 적용될 고종횡비(HAR) 실리콘 식각기술연구가 진행되어 지고 있다. 이는 기존의 습식식각시 발생하는 결정방향에 따른 식각률의 차이에 관한 문제와 standard reactive ion etching(RIE) 에서의 낮은 종횡비와 식각률에 기인한 문제점들을 개선하기 위해 고밀도 플라즈마를 이용한 건식식각 장비를 사용하여 고종횡비(depth/width), 높은 식각률을 가지는 이방성 트랜치 구조를 얻는 것이다. 초기에는 주로 HBr chemistry를 이용한 연구가 진행되었는데 이는 식각률이 낮고 많은양의 식각부산물이 챔버와 시편에 재증착되는 문제가 발생하였다. 또한 SF6 chemistry의 사용을 통해 식각률의 향상은 가져왔지만 화학적 식각에 기인한 local bowing과 같은 이방성 식각의 문제점들로 인해 최근까지 CHF3, C2F6, C4F8, CF4등의 첨가가스를 이용하여 측벽에 Polymer layer의 식각보호막을 형성시켜 이방성 구조를 얻는 multi_step 공정이 일반화 되었다. 이에 본 연구에서는 SF6 chemistry와 소량의 02/HBr의 첨가가스를 이용한 single_step 공정을 통해 공정의 간소화 및 식각 프로파일을 개선하여 최적의 HAR 실리콘 식각공정 조건을 확보하고자 하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.11 no.3
• /
• pp.176-182
• /
• 2002

Amorphous $TiO_2$ thin films were deposited on glass substrates by ion beam sputtering in which the ratio of $O_2$/Ar gas used as discharged gas was varied from 0 to 2. After optical and microstructure properties and chemical composition of thin films was analyzed, antireflection coating layers were fabricated with $SiO_2$/$TiO_2$ multi-layers. Thin films deposition was performed at room temperature and ion beam voltage and ion current density for sputtering of target were fixed at 1.2 kV and 200 $\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$, respectively. Refractive indexs of the deposited $TiO_2$films were 2.40-2.45 at a wavelength of 633 nm. $TiO_2$films had high transmission and stoichiometry when ratio of $O_2$/Ar was 1. Rms roughness of deposited $TiO_2$ film was below 7 $\AA$. In excessive $O_2$ environments, however Rms roughness increased over 50 $\AA$. Transmittance decreased by scattering of rough surface. Reflectance of $SiO_2$/$TiO_2$multi-layers was below 1% in visible light.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
• /
• v.26 no.3
• /
• pp.410-416
• /
• 2002

The fluid flow, heat transfer and the local mass fraction of chemical species in the chemical vapor deposition(CVD) manufacturing process are studied numerically. Flow with a dilute precursor concentration of silane in hydrogen as the carrier gas enters to the reactor and deposits silicon onto the heated surface. The silicon deposition rate using silane is calculated in the horizontal or vertical, axisymmetric reactor. The effects of inlet carrier gas velocity, mass fraction of silane, susceptor angle and rotation of surface on the deposition rate are described.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.8 no.6
• /
• pp.693-698
• /
• 1995

We fabricated Zinc Oxide transparent conductive thin films with 2wt% of A1203 doping using rf magnetron sputtering. And we investigated electrical and optical characteristics of them which were made with conditions ; rf power 60-300W, thickness of film 3000 11000.angs.. Resistivity, carrier concentration and Hall mobility were investigated for electrical characteristics. Transmittance and optical band gap were investigated with Spectrophotometer in the wavelength range between 200-900 nm. As a result, ZnO thin film fabricated with rf power of 180W and thickness of 5000.angs. showed the best properties. At the best condition, the sample has resistivity of 1*10$\^$-4/.ohm.cm and transmittance of 95% in the visible range.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2007.11a
• /
• pp.87-88
• /
• 2007

반도체 소자가 초고집적화 되어감에 따라 반도체 공정에서 선폭은 줄어들고 박막은 다층화 되어가고 있다. 이와 같은 제조 공정 하에서는 Si 기판과 금속 박막간의 확산이 커다란 문제로 부각되어 왔다. 특히 Cu는 높은 확산성에 의하여 Si 기판과 접합에서 많은 확산에 의한 문제가 발생하게 되며, 또한 선폭이 줄어듦에 따라 고열이 발생하여 실리콘으로 spiking이 발생하게 된다. 이러한 확산을 방지하기 위하여 이 논문에서는 Tungsten - Carbon - Nitrogen (W-C-N)에 Boron (B)을 첨가하였고, Boron 타겟 power을 조절하여 다양한 조성을 가지는 W-B-C-N 확산방지막을 제작하여 각 조성에 따른 증착률을 조서하였고 $1000^{\circ}C$까지 열처리하여 그 비저항을 측정하여 각 특성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2005.05a
• /
• pp.169-172
• /
• 2005

공정시 플라스틱 기판의 변형을 방지하기 위해 PC(Polycarbonate) 기판을 약 12시간 동안 pre-annealing시킨 다음 SiN(silicon nitride)와 PI(Poly-imide)를 각각 Sputter와 Spin-Coater를 이용하여 Coating하였다. 완성된 PC 기판위에 Themal Evaporation으로 Calsium을 증착한 뒤 Al을 올렸다. Calsium 증착 된면에 삼성 코닝의 글래스를 UV resin으로 부착 시킨 다음 상온에서 투습률을 측정하였다. 측정 간격은 12시간으로 하였으며 Calsium Test 의 정확도 향상을 위해 CCD Camera로 측정하여 컴퓨터로 분석하였다. 그래픽 저장 파일은 저장시 이미지 손실을 방지하기 위해 Bitmap방식을 그대로 사용 하였으며 정확도 향상을 위한 분석 프로그램은 MicroSoft 사의 Visual C++로 작성하였다. 화상 처리 면적은 컴퓨터 시스템의 처리 속도를 감안하여 70*70 으로 하였다.