• Korean Journal of Food Science and Technology
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• v.8 no.4
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• pp.230-235
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• 1976

The current experiment has been carried out in order to find the chemical and physical properties of three species of the acorn starch. The results of the experiment are as follows. 1. Acorn is made up of 3.5-5.0% of lipid, 7.2-7.7% of protein, 71.6-76.3% of carbohydrate, and 1.9-2.2% of ash. 2. The purifying method of ether treated is better than that of 85% methanol treated for isolating pure starch. 3. Initial gelatinization temperature of the acorn starches ranged from $61-68^{\circ}C$; Quercus crispula Blume was the lowest and Quercus mongolica Fischer was the highest. On viscosity, Quercus mongolica Fischer shows the highest and Quercus crispula Blume shows the lowest. 4. It is estimated that the acorn starch lie halfway between those of the potato starch and the corn starch. By drying at $100^{\circ}C$, the crystal structure is destroyed first in the farther part of the lattice distance.

• Journal of Life Science
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• v.20 no.5
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• pp.775-781
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• 2010

The antioxidant activities of hot water extracts from fresh, red and black garlic processed in low temperatures were compared. The chromaticity value of browning garlic was between that of fresh and black garlic. Red garlic was similar in browning intensity to fresh garlic. Also, total phenol, flavonoids, total pyruvate and thiosulfate contents were similar between fresh and black garlic. DPPH, ABTs, NO radical scavenging activity and reducing power of red garlic were significantly higher than fresh garlic, but lower than those of black garlic. $\alpha$-Glucosidase inhibitory activity in red garlic was similar to that in black garlic. Antioxidant activities of red garlic were higher than fresh garlic but lower than black garlic, and it was confirmed that antioxidant activity by production of browning material through the thermal process was the main parameter of the biological activity in the aged red garlic.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.7
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• pp.621-627
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• 1998

The formation of Co-silicide between Co/Zr bilayer on the amorphous and crystalline Si substrates has been investigated. The films of Zr(50$\AA$) and Co(l50$\AA$) were deposited with e-beam evaporation system and were heattreated with the rapid thermal annealing system at the temperatures between 50$0^{\circ}C$ and 80$0^{\circ}C$ with 10$0^{\circ}C$ increments for 30 seconds. The phase identification of Co-silicide was carried out by XRD and the chemical analysis was examined by AES and RBS. The interface morphologies of Co/Zr bilayer films were investigated by cross sectional TEM and HRTEM. $CoSi_2$ was formed epitaxially on the crystalline Si substrate above $700^{\circ}C$ while polycrystalline $CoSi_2$ was grown on the amorphous Si substrate. The formation temperature of Co-silicide on the amorphous Si substrate was about 100 C lower than that on the crystalline Si. The COzSi phase was not identified on the both Si substrates. The formation temperature of first phase of Co-silicide on ColZr bilayer was higher than that on Co mono layer. CoSizlayer formed on the amorphous Si substrate exhibits better uniformity compared to the CoSiz formed on the crystalline substrate. The sheet resistance of CoSiz layer on crystalline Si was lower than that on the amorphous Si at high temperatures.tures.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.9 no.1
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• pp.113-118
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• 1999

Aluminum hydrates were synthesized using $AlCl_3$.$6H_2O$as starting material by precipitation method. The phases of obtained powder were amorphous, boehmite, bayerite, nordstrandite depending on the pH of solutions. Aluminum hydrates transformed to $\alpha-Al_2O_3$via $\gamma$- $Al_2O_3$,$\delta$- $Al_2O_3$,and $\theta$-$Al_2O_3$,and particle sizes were grown by increment of heating temperature. The TEX>$\gamma$- $Al_2O_3$ powder was coated on intermediate layer of ceramic membrane by the dip-coating method, and unsupported membrane was also prepared for comparison. The supported layer showed porous structure with small grains, but the unsupported layer revealed interconnected larger grains. Grain growth is dominant in the unsupported layer than in the supported one.

• Journal of the Korean Professional Engineers Association
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• v.31 no.1
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• pp.74-84
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• 1998

본 지도업체인 쌍희금속은 1988년 2월 설립, 주생산제품은 닉켈합금선으로서 1997년 12월 현재 총매출액 7.4억원(수출 0.12억 포함) 당기순이익 0.32억원으로 종업원 9명을 포함한 개인기업 형태로 특히 총매출액의 6%를 기술투자비율에 할당하고 있는 유망 중소기업이다. 기술지도와 관련한 연선의 선재(線材)는 포항제철의 $^{ø}$8mm 태선(允線)이 주종이나 특수선(特殊線)인 경우는, 국내선재의 경우 멜팅(Melting)기술이 부족하여 독일국으로부터 $^{ø}$5.5 mm의 선재를 직수입에 의존하고 있었다. 한편 세선가공의 선재는 20여개의 Dies공구 가공공정을 통한 $^{ø}$1.3 mm의 선채를 사용하여 $^{ø}$0.6 mm의 세선(細線)을 가공하고 있었다. 그러나 인발(引拔) 기술과 관련함에 특히 Dies 공구로부터 세선(細線)을 제조한 후 마무리 공정에서의 탈지문제가 정립돼있지 못하여 End User로부터 불만사례가 종종 야기 되었다 이의 원인 규명을 기술지도를 통해 조사한 결과 소성가공유(습식형)의 인식 부족이 주원인이였다. 소성가공유의 조성은 일반적으로 식물성. 광물성, 계면활성제, 극압제 등으로 구성됨에 마무리공정에서의 탈지방법은 가공유제의 기재(Base oil)에 따라 다르다 즉 기유(基油)가 광물계인 경우는 탈지제가 용제형(TCE 등)이 양호하나 식물계인 경우는 Alkali계가 양호하다. 따라서 NaOH sol'n2~3%+분산제(기포방지제)로서 음이온인 노닐페놀 0.1~0.3%의 처방을 제시하고 설비로서는 8$0^{\circ}C$로 유지되는 조제된 알칼리 Vessel과 물중탕 설비(열풍설비 포함)등을 대입하는 공정개선으로 Dies를 통과한 중간제품의 세선 $\longrightarrow$ 탈지설비 $\longrightarrow$ 80～85$^{\circ}C$로 유지되는 열처리(Aniling)공정을 대입함에 세선의 가공경화가 없었으며 아울러 수용성 가공유의 관리 한계(사내표준화)를 설정 관리 하도록 지도함으로서 지도 전에 비해 제조원가의 절하 및 생산성 향상은 물론 세선의 신규 탈지제 개발과 공정 개선을 통하여 가열공정의 부하개선 과 최종제품인 절연선의 품질향상을 가져 왔다.

• Journal of Conservation Science
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• v.28 no.3
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• pp.285-296
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• 2012

This study was to assess the effect of consolidation for intension measures of stone cultural heritage using artificially weathered stones. We have prepared four kinds of stones (Gyeongju Namsan Granite, Iksan Granite, Yeongyang Sandstone, Jeongseon Marble), and manufactured fresh, weathered and highly weathered stone samples by thermal shock for each rock type. The samples were treated with three consolidants (Wacker OH 100, Remmers KSE 300, 1T1G) by three methods {immersion, capillary rise (partial immersion), spray}, and tested for weight, porosity, ultrasonic velocity, Equotip hardness and color before and after treatment. As a result, the effect of consolidation was widely influenced by porosity and treatment methods. Wacker OH 100 was shown the highest consolidation effect in almost every stone sample.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.21 no.8
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• pp.432-438
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• 2011

In this study, chemical bath deposited (CBD) indium sulfide buffer layers were investigated as a possible substitution for the cadmium sulfide buffer layer in CIGS thin film solar cells. The performance of the $In_2S_3$/CIGS solar cell dramatically improved when the films were annealed at $300^{\circ}C$ in inert gas after the buffer layer was grown on the CIGS film. The thickness of the indium sulfide buffer layer was 80 nm, but decreased to 60 nm after annealing. From the X-ray photoelectron spectroscopy it was found that the chemical composition of the layer changed to indium oxide and indium sulfide from the as-deposited indium hydroxide and sulfate states. Furthermore, the overall atomic concentration of the oxygen in the buffer layer decreased because deoxidation occurred during annealing. In addition, an In-thin layer was inserted between the indium sulfide buffer and CIGS in order to modify the $In_2S_3$/CIGS interface. The $In_2S_3$/CIGS solar cell with the In interlayer showed improved photovoltaic properties in the $J_{sc}$ and FF values. Furthermore, the $In_2S_3$/CIGS solar cells showed higher quantum efficiency in the short wavelength region. However, the quantum efficiency in the long wavelength region was still poor due to the thick buffer layer.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.98-98
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• 2000

초고집적(ULSI) 반도체 소자의 multilevel metalization을 위한 중간 유저네로서 저 유전상수(k<)와 높은 열적안정성(>45$0^{\circ}C$)을 갖는 새로운 물질을 도입하는 것이 필요하다. 중합체 박막은 낮은 유전상수와 높은 열적 안정성으로 인하여 low-k 물질로 적당하다고 여겨진다. PECVD에 의한 plasma polymer 박막의 증착은 많이 보고되어 왔으마 고밀도 플라즈마 형성이 가능하고 기판으로 유입되는 ion의 energy 조절이 가능한 inductively coupled plasma(ICP) CVD에 의한 plasma polymer 박막에 대한 연구는 보고된 바 없다. 본 연구에서는 Mtehyl-cyclohexane precusor를 사용하여 substrate에 bias를 주면서 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 플라즈마 폴리머 박막(plasma polymerized methyl-cyclohexane : 이하^g , pp MCH라 칭함)을 증착하였으며 ICP power와 substrate bias(SB) power가 증착된 박막의 특성에 어떠한 영향을 미치는지 알아보았다. 증착된 박막의 유전상 수 및 열적 안정성은 ICP power의 변화에 비해 SB power의 변화에 더 크게 영향을 받았다.^g , pp MCH 박막은 platinum(Pt) 기판과 silicon 기판위에서 같이 증착되었다. Methyl-cyclohexane precursor는 4$0^{\circ}C$로 유지된 bubbler에 담겨지고 carrier 가스 (H2:10%, He:90%)에 의해 reactor 내부로 유입된다.^g , pp MCH 박막은 증착압력 350 mTorr, 증착온도 6$0^{\circ}C$에서 \circled1SB power를 10W에 고정시키고 ICP power를 5W부터 70W까지, \circled2ICP power를 10W에 고정시키고 SB power를 5W부터 70W까지 변화하면서 증착하였다. 유전 상수 및 절연성은 Al/PPMCH//Pt 구조의 capacitor를 만들어서 측정하였으며, 열적 안정성은 Ar 분위기에서 30분간의 열처리 전후의 두께 변화를 측정함으로써 분석하였다. SB power 10W에서 ICP power가 5W에서 70w로 증가함에 따라 유전상수는 2.65에서 3.14로 증가하였다. 열적 안정성은 ICP power의 증가에 따라서는 크게 향상되지 않은 것으로 나타났다. ICP power 10W에서 SB power가 5W에서 70W로 증가함에 따라 유전상수는 2.63에서 3.46으로 증가하였다. 열적 안정성은 SB power의 증가에 따라 현저하게 향상되었으며 30W 이상에서 증착된 박막은 45$0^{\circ}C$까지 안정하였고, 70W에서 증착된 박막은 50$0^{\circ}C$까지 안정하였다. 열적 안정성은 ICP power의 증가에 따라서는 현저하게 향상되었다. 그 원인은 SB power의 인가에 의해 활성화된 precursor 분자들이 큰 에너지를 가지고 기판에 유입되어 치밀한 박막이 형성되었기 때문으로 사료된다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.106.2-106.2
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• 2012

Ti-Ni합금은 CsCl구조의 B2상, monoclinic 구조의 B19'(M)상과 rhombohedral 구조의 R상(R)이 나타난다고 알려져 있고, 이들 상의 변태에 의해 열탄성 마르텐사이트와 응력유기 마르텐사이트에 의한 형상기억효과와 초탄성 효과를 가지고 있다. 또한 Ti-Ni 합금은 우수한 형상기억특성을 가질 뿐만 아니라 생체적합성, 가공성 및 내식성 등이 뛰어나 공업분야 및 생체분야에서 폭 넓게 활용되고 있다. Ti-Ni합금의 형상기억특성은 냉간가공 후 어닐링 처리의 온도와 시간에 따른 matrix 내 Ni의 농도, 석출물의 밀도와 크기, 전위밀도와 전위주위의 응력장에 의해 영향을 받는다고 알려져 있다. 본 연구에서는 Ti-Ni합금의 형상기억 특성 및 변태온도에 미치는 영향을 조사하기 위해 다양한 냉간가공률의 시료를 제작하여 다양한 온도에서 Annealing 처리를 하여 냉간가공률 및 Annealing 온도가 형상기억특성에 미치는 영향을 조사하였다. Ti-50.4 at.% Ni 합금은 진공 아크 용해로에서 용해 하였으며, 용해된 Ingot는 열간단조 및 열간 압출한 후 냉간 인발과 중간온도에서 어닐링을 반복하면서 직경 0.5mm의 선재로 만들었다. 최종적으로 제작한 선재의 냉간가공률은 9.5%, 18.2%, 34.5%, 45% 이었다. 각 시편은 5X10-5torr의 진공으로 석영관에 진공 봉입하여 각각 673K, 723K, 783K에서 1hr 열처리 하였다. 합금의 형상기억특성과 변태온도는 DSC에 의해 조사되었다. DSC 측정 결과, 냉간가공률이 증가함에 따라 마르텐사이트 변태 온도는 감소하였고, 어닐링 온도가 증가함에 따라 마르텐사이트 변태 온도는 증가하였다. 또한 가공률이 증가하여도 R상 변태온도는 큰 변화가 없었고, Annealing온도가 증가함에 따라 R상 변태온도는 감소하였다. 또한, 형상기억특성은 인장시험기를 이용한 정하중 열싸이클 테스트를 이용하여 평가 하였다. 냉간 가공률이 증가함에 따라 안정한 형상기억특성을 나타내었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.6
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• pp.484-492
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• 1998

The formation mechanism of the epitaxial cobalt silicide from Co/Ti/OOO) Si structure has been investigated. The transition temperature of CoSi to CoSi, was found to increase with increasing the Ti interlayer thickness, which may be owing to the occupation of the tetrahedral sites by Ti atoms in the CoSi crystal structure as well as the blocking effect of the Ti interlayer on the diffusion of Co. Also, the Co- Ti-O ternary compound formed at the metal! Si interface at the begining of silicidation, which seems to play an important role in epitaxial growth of Co silicide. The final layer structures obtained after a rapid thermal annealing of the Cot Ti/( 100) Si bi-layer structure turned out to be Ti oxide/Co- Ti-Si/epi-$CoSi_2$/OOO)