• Journal of IKEEE
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• v.28 no.2
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• pp.158-167
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• 2024

In this study, U-net model based on electrical capacitance is applied to monitor the condition inside the pipeline of semiconductor rear end process implemented in the numerical simulation. Capacitance values measured from electrodes attached to the pipeline is used as input data for the U-net network model and estimated permittivity distribution by the U-net model is used to reconstructed cross-sectional image at the pipeline. In the numerical simulation, images reconstructed by U-net model, Fully-connected neural network (FCNN) model and Newton-Raphson method are compared for evaluation. U-net model shows good results as compared to other models.

• The Korean Fashion and Textile Research Journal
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• v.14 no.6
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• pp.1018-1023
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• 2012

Smartphone is integrated into the daily lives of all types of people not even young generation. A touch screen display is a primary input device of a smart phone, a tablet computer, etc. While there are many tough technologies in existence, resistive and capacitive are dominant and currently lead the touch screen panel industry. And a capacitive touch screen panel widely used in smart phones is coated with a material that stores electrical charges. In this study, we tried to manufacture gloves produced with electro-conducting leather as a tool to operate a touch panel screen. Therefore, electrically conductive materials, Polyaniline(PANI), Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), and Carbon nanotubes (CNT) were applied to the surface of leather to be used as a touching operator for capacitive touch screen panel. The leather samples were treated by simple painting method; firstly, they were painted with aqueous solution containing each of the electrically conductive materials and then dried. This cycle was repeated three times. Consequently, the treated leather samples showed electrical conductivity and reasonable working performance to the capacitive touch screen. And, PANI showed the best performance and highest electrical conductivity, and then PEDOT and, CNT in decreasing order. This is because the solubilities of PANI and PEDOT show higher than dispersibility of CNT. Thus, the concentration of conducting polymers was greater than that of CNT in the treating solutions.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.306-306
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• 2013

본 연구에서는 저가격, 대면적화를 위한 롤투롤 스퍼터를 이용하여, Index matching (히가시 야마 $125{\mu}m$)의 PET 기판 위에 ITO 박막을 성막 시킨 정전용량 방식의 터치 패널용 투명 전극에 대하여 전기적, 광학적, 구조적, 표면적 특성을 분석하였다. ITO 타겟은 미쓰이사(일본의) 주석 함량 5 wt%을 사용하였으며, 롤투롤 스퍼터는 degassing챔버와 스퍼터 챔버가 한 시스템에 구성되었고, Degassing 챔버는 좌우측의 Rewinder/Unwinder 롤러에 의해 감고 풀어지는 PET 기판의 수분 및 가스를 중앙부에 위치한 히터를 통해 제거하며, 수분 제거 후 스퍼터 챔버로 옮겨진 1,250 mm폭의 PET기판을 Unwinder/Rewinder 롤러에 장착하며, Unwinder 롤러로부터 풀려진 PET 기판은 guide 롤러를 거쳐 cooling drum과의 물리적 접촉에 의해 PET 기판의 냉각이 일어나게 된다. ITO 캐소드 전에 장착된 할로겐 히터 상부로 기판이 지나가면서 열처리가 진행되고 열처리 후 두 개의 ITO 캐소드 상부를 지나면서 연속적으로 ITO 박막이 PET 기판에 성막 되게 된다. ITO 박막의 주요 성막 변수인 DC Power, Ar/$O_2$ 가스 유량비, 기판의 속도는 최적으로 고정하고, 성막된 ITO박막의 필름을 각각 고온 챔버에서 $150^{\circ}C$도에서 10 min에서 60 min 동안 각각 열처리를 통한 내열성 테스트를 진행하여 ITO 필름의 특성 향상을 비교 분석하였다. 분석을 위해 전기적 특성은 four-point probe로 측정했고, 투과도는 Nippon Denshoku사(社)의 COH-300A를 이용해 가시광(550 nm)에서 분석했고, FE-SEM으로 ITO박막의 표면 상태를 분석하였다. 또한 Rolling Tester (Z-300)를 이용하여 기계적 안정성을 분석하였다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.14 no.1
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• pp.81-86
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• 2019

This paper is concerned with a system design that enables a the plurality of switching mode power supplies to be supplied with larger power through a parallel connection. For this purpose, a shunt resistor is placed in series at the output of the constant voltage regulator and the output voltage is sensed and controlled using an arduino. In this paper, two constant-voltage regulators were used for the experiment, but it is possible to generalize for more boards. By using the method that controls the system, the sum of the currents delivered by the two systems to the load was found to be 96% of the current drawn from each board. In case of efficiency, 92.4% efficiency is achieved in the unit board and the efficiency in parallel connection is about 90%.

• Annual Conference of KIPS
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• 2022.11a
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• pp.188-190
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• 2022

본 연구에서는 정전류(Constant Current) 방식에 전압강하법을 이용하여 접촉저항 측정 시스템을 구현하고 측정값을 블루투스 통신을 통해 안드로이드 운영체제에서 확인할 수 있도록 앱을 개발한다. 측정가능한 범위로 0 Ω에서 10.24 Ω 사이의 접촉 저항을 MCP3424 18 bit 분해능 ADC를 사용하여 측정할 수 있도록 설계하였다. 기존에는 반고정 저항과 별도의 전류계를 이용하여 정전류를 설정하였으나, 본 연구에서는 측정의 정밀도 및 편리성 개선을 위해 0.1% 고정밀 고정저항을 병렬로 4개 연결하여 구현하였으며, 또한 1:1 Unity Gain Buffer를 구성하고 Ultra High Precision Z-Foil 방식으로 오차 0.01%, 온도 계수 0.05 ppm/℃ 저항을 사용하여 실제로 측정한 샘플 저항 값의 결과를 확인하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.11a
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• pp.93-94
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• 2017

본 논문은 quasi P+MR 전압 제어를 활용한 삼상 인버터의 계통 동기화 방식을 제안한다. 계통동기화 과정 시 시스템이 고정자 좌표계하에서 제어 또는 모델링된다면 독립운전에서의 정전압 및 정주파수를 갖는 교류 지령 전압은 교류 계통 전압으로 즉각 대체되며 이때 인버터의 실제 전압과 계통 전압 간의 위상차에 기인하여 상당한 제어 오차가 발생할 수 있고 이는 심각한 전압 동특성 저하를 야기하기도 한다. 게다가 인버터 출력단에 비선형 부하가 연결될 경우 부하로부터 발생하는 고조파로 인해 이러한 전압 품질에 대한 문제가 더욱 증대된다. 본 논문에서는 독립 운전 모드에서의 전압제어를 위하여 이러한 비선형 부하의 고조파 영향을 고려한 고정자 좌표계 기반의 PR 제어를 사용한 매끄러운 계통 동기화 방식이 제안되었다. 제안된 매끄러운 계통 동기화 방식의 타당성은 기존의 고정자 좌표계 기반의 계통 동기화 방식과의 비교 사례연구를 기반으로 한 실험을 통해 입증된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.481-481
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• 2011

이 논문은 세라믹 노즐(내경: 20 um)을 제작하여 새로운 프린팅 방식인 정전기수력학방식을 이용하여 유리기판위에 직경 30 um의 ZnO seed dot를 패턴하였다. 정전기수력학은 기존의 프린팅 방식과 달리 전기장으로 유도된 노즐을 이용하여 액적을 토출시키는 새로운 프린팅 방법이다. 패턴된 ZnO seed는 열처리후 수열합성법을 이용하여 성장시켰다. 같은 방법으로 잉크젯 프린팅을 이용하여 ZnO seed 패턴 후 열처리하여 수열합성을 이용하여 성장시켰다. 잉크젯 프린팅 방식을 이용하여 성장된 ZnO nanowire는 위성 액적이 떨어져 ZnO seed dot 주변에 ZnO nanowire가 성장하였다. 반면, 정전기수력학 프린팅 방식을 이용하여 성장된 ZnO nanowires는 ZnO seed 패턴 중앙에 집중되어 ZnO nanowire가 성장하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.217-218
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• 2014

전력 계통에 연계하는 신재생에너지 분산형 전원의 보급량이 지속적으로 늘어나면서 저압 계통의 공통 연계점에 다수대의 PCS(Power Conditioning System)가 집중적으로 설치되는 사례가 증가하고 있다. 최근 일본전기공업회(JEMA)는 계통 사고나 계획 정전 등으로 변전소 차단기가 개방되었을 때, 복수대 PCS의 능동방식이 서로 간섭을 일으켜 정해진 시간 내에 단독운전 검출기능이 작동하지 않게 되는 상황을 방지하기 위해 표준형 단독운전 능동적 방식을 공표하였다. 본 논문에서는 일본 단독운전 검출방식의 표준으로 지정된 스텝주입이 있는 주파수피드백 방식의 원리와 특징을 살펴보고, 이를 적용하여 연계 보호기능의 안전성 확보와 분산형 전원 보급에 기여하는 효과에 대해 소개하였다.

• Journal of radiological science and technology
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• v.37 no.3
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• pp.187-193
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• 2014

The purpose of this study was to analyze the effect on the selectivity on of high-voltage rectification device that measured the performance of the grid, and the contrast improvement ability (K factor) by measuring the scattered radiation content of the transmitted X-rays. The scattered radiation generated when the X-ray flux comes from the diagnostic X-ray generator that passes through an object. Targeting four different rectifications of X-ray generators, the mean value of the tube voltage and the tube current was measured in order to maximize the accuracy of the generating power dose within the same exposure condition. Using fluorescence meter, the content of the scattered rays that are transmitted through the acrylic was measured depending on the grid usage. When grid is not used, the content of the scattered rays was the lowest (34.158%) with the single-phase rectifier, was increased with the inverter rectifier (37.043%) and the three-phase 24-peak rectification method (37.447%). The difference of the scattered radiation content of each device was significant from the lowest 0.404% to the highest 3.289% while using 8:1 grid, the content of the scattered ray was the lowest with the single content of the scattered ray was the lowest with the single-phase rectifier (18.258%), was increased with the rectifier (25.502%) and the 24-peaks rectification (24.217%). Furthermore, there was difference up to content 7.244% to the lowest content 1.285% within three-phase 24-peaks rectification, inverter rectifications, and single-phase rectifier depending on the selectivity of the grid. Drawn from the statistical analysis, there was a similar relationship between the contrast improvement factor and the K factor. As a result, the grid selectivity and the contrast were increased within the single-phase rectifier rather than the constant voltage rectifier.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.245-246
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• 2009

정전용량형 후막 스트레인 게이지(piezocapacitive thick film strain gage)는 세라믹 ($Al_2O_3$)을 주 원료로 하는 지지대(약 5mm)와 다이어프램(약 $300{\mu}m$) 그리고 가드 링으로 구성된다. 전극 판은 도전성 페이스트를 이용하여 지지대와 다이어프램에 형성되었으며 극판 사이에는 유전체 메이스트를 사용하여 스크린 인쇄로 후막을 형성하였다. 극판 사이의 가드 링 두께는 약 $30{\mu}m$정도로 다이어프램의 변위 최대값을 유지시키는 데 필요한 간격이다. 따라서 정전용랑형 후막 스트레인 게이지는 지지대를 중심으로 다이어프램에 압력 (0.5~1.0bar)이 인가될 때 변위를 발생시키면서 커패시터 값이 압력의 크기에 따라 비례 특성을 가지고 변화하는 것을 이용한 것이다. 압력이 없을때 초기값은 35pF~40pF 정도이고 정격압력의 최대치를 인가시켰을 때 약 55pF~55p를 나타내었다.