• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.5
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• pp.37-42
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• 2004

Shallow $p^{＋}$-n junctions were formed by preamorphization, low-energy ion implantation and dual-step annealing processes. Germanium ions were implanted into silicon substrates for preamorphization. The dopant implantation was performed into the preamorphized and non-preamorphized substrates using B $F_2$2 ions. Rapid thermal anneal (RTA) and furnace anneal (FA) were employed for dopant activation and damage removal. Samples were annealed by one of the following four methods; RTA(75$0^{\circ}C$/10s)＋Ft FA＋RTA(75$0^{\circ}C$/10s), RTA(100$0^{\circ}C$/10s)＋FA, FA＋The Ge Preamorphized sample exhibited a shallower junction depth than the non-preamorphized sample. When the employed RTA temperature was 100$0^{\circ}C$, FA＋RTA annealing sequence exhibited better junction characteristics than RTA＋FA thermal cycle from the viewpoint of junction depth, sheet resistance, $R_{s}$$.$ $x_{j}$, and leakage current.t.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.43 no.11 s.353
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• pp.1-7
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• 2006

3-dimensional(3-D) simulations of ideal double-gate bulk FinFET were performed extensively and the electrical characteristics. were analyzed. In 3-D device simulation, we changed gate length($L_g$), height($H_g$), and channel doping concentration($N_b$) to see the behaviors of the threshold voltage($V_{th}$), DIBL(drain induced barrier lowering), and SS(subthreshold swing) with source/drain junction depth($X_{jSDE}$). When the $H_g$ is changed from 30 nm to 45nm, the variation gives a little change in $V_{th}$(less than 20 mV). The DIBL and SS were degraded rapidly as the $X_{jSDE}$ is deeper than $H_g$ at low fin body doping($1{\times}10^{16}cm^{-3}{\sim}1{\times}10^{17}cm^{-3}$). By adopting local doping at ${\sim}10nm$ under the $H_g$, the degradation could be suppressed significantly. The local doping also alleviated $V_{th}$ lowering by the shallower $X_{jSDE}\;than\;H_g$ at low fin body doping.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2003.05a
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• pp.81-83
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• 2003

The potential advantages of the hybrid welding process are improved weld penetration, enhanced gap tolerance, control of weld metal composition, and improved weld quality in comparison to laser or arc welding. Especially, the deep penetration of hybrid welding is very attractive in welding of thick plates. In this study, therefore, the influence of arc power in hybrid welding on detailed bead dimensions at different laser power levels was investigated.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.1
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• pp.83-89
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• 1999

A Unified model for the alpha-particle-induced charge collection has been developed. By accounting for funneling and diffusion charges separately, new model accurately describes the dependence of collected charge on junction size, junction bias, injection energy, injection angle, injection point, and trench oxide depth.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2009.11a
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• pp.107-107
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• 2009

모듈 형 터빈 다이아프람은, 아우터 링(outer ring), 스팀 패스(steam path)와 이너 웹(inner web)의 원형 형상을 갖는 세 부분을 조립하여 원주 방향의 용접 조인트를 형성하는 기존의 다이아프람 형태가 아니라, 아우터 슈라우드(outer shroud), 베인(vane)과 이너 슈라우드(inner shroud)의 세 부분이 하나의 모듈을 이루고 이러한 모듈을 원주 방향으로 조립하여 방사 방향의 조인트를 형성한다. 전자빔 용접은 이와 같은 방사 방향의 조인트를 수직으로 가로지르는 용접 궤적을 따라 진행되며, 용접 패스에 따라 형성되는 용융 비드의 단면적만큼 인접하는 두 모듈을 접합시킨다. 이 경우 용융 비드의 단면적과 형상은 두 모듈의 결합 강도를 결정하는 중요한 요소가 되어, 제작 시 다이아프람의 크기와 두께에 따라 용입 깊이와 평균 단면 비드 폭을 규정하고 있다. 본 연구에서는 용입 깊이와 단면 비드 폭의 요구 조건을 만족하면서 결함이 없는 건전한 용접부를 얻을 수 있는 최적 용접 조건을 도출하는데 그 목적이 있다. 이를 위해 플레이트 시편과 모듈 시편을 사용한 기초 실험과 유사 시제품(semi-mockup) 실험을 실시하였다. 플레이트 기초 실험을 통해 전자빔 주요 변수인 빔 전류, 초점 위치, 용접 속도, 빔 진동 폭 변화에 따른 용융 비드 형상 변화를 관찰하였고, 빔 전류가 용입 깊이에 가장 큰 영향을 주는 인자임을 확인하여 요구 용입 깊이 별 적정 빔 전류 값을 설정하였다. 용접 속도는 생산성 측면에서 균열이 발생하지 않는 범위에서 가능하면 가장 큰 값을 사용하였고, 빔 진동 폭은 초점 위치와 함께 단면 비드 형상 결정에 많은 영향을 주는 인자로 확인되어 균열이 없는 가장 이상적인 단면 비드 형상인 완만한 쐐기 형태가 되도록 설정하였다. 이 후 실제 제품 폭과 용접 패스를 갖는 블록 모듈 실험을 통해 설정 용접 변수의 적용성과 균열 발생 여부를 확인하였고, 이 때 적용 제품 폭이 30 mm 이하이며 요구 용입 깊이가 50 mm 이상의 경우에서 비드 중앙부 균열이 발생함을 관찰하였다. 따라서 해당 영역의 제품에는 균열 저항성이 높도록 용접 속도와 빔 진동 폭을 줄여 최적 용접 변수를 새롭게 설정하였으며, 이를 유사 시제품 실험에 적용하여 최종적으로 용접 변수 안정성을 검증하였다. 이러한 실험을 통해 확인된 최적 용접 조건을 실 제품 제작에 적용하여 모듈 형 터빈 다이아프람 전자빔 용접 제작을 성공적으로 완료할 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Building Construction
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• v.22 no.2
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• pp.149-160
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• 2022

In this study, a pull-out test considering the adhesive type, embedded length, and direction of re-bar was conducted to evaluate the pull-out performance of glued-in rod joints using timber and adhesive produced in Korea. In the test, the specimens using liquid adhesive showed better pull-out performance, and the longer the embedded length of the re-bar, the higher the maximum tensile load by inducing the yield of the re-bar first. Through the test results, a glued-in rod joints design, which is advantageous to design the adhesive strength stronger than the yield strength of re-bar, was proposed, and a correction factor of 0.75 for the adhesive strength considering construction error was also suggested.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.3
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• pp.374-383
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• 1993

필라멘트와 Si 기판 사이의 기전력을 20, 80, 140, 200V로 증가시키면서 EACVD에 의하여 성장된 다이아몬드 박막에 대하여 다이아몬드/Si 계면분석 및 계면강도를 측정하였다. 주사형전자현미경(SEM), 고분해능투과형전자현미경(HRTEM), 오제이전자분석기(AES)에 의해 계면상태를 분석한 결과, 기전력 증가에 따라 활성탄화수소 이온(CmHn-)에너지가 증가되어져 CmHn-이 Siso로 침투(Impringement)가 증가되고 침투된 높은 에너지의 CmHn-이 Si과 화학결합하여 생성되는 SiC층 깊이 및 농도 분포도 증가된다. 풀 시험(Pull test)에 의한 계면강도 측정 결과, SiC층 깊이 및 농도분포가 증가할수록 계면강도가 증가하였다. 관찰된 파면과 파면의 X-선 메핑 결과 및 HRTEM과 AES에 의한 분석 결과, 기전력 증가에 따라 공극율이 적고 치밀한 다이아몬드 박막이 성장된다. 그리고 생성되는 SiC층 농도 및 깊이 분포가 증가함에 따라 다이아몬드/Si 계면이 강화되고, 상대적으로 파괴는 다이아몬드/Si 계면이 아닌 SiC층이나 Si 내부에서 발생된다. 결국, 기전력을 증가하여 활성탄화수소이온의 에너지를 증가함으로써 계면강도가 우수하며 공극율이 매우 적고 치밀한 다이아몬드 박막을 성장할 수 있다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.2
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• pp.95-102
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• 2001

Nano-scale gate length MOSFET devices require extremely shallow source/drain eftension region with junction depth of 20∼30nm. In this work, 20nm $n^{+}$-p junctions that are realized by using this $As_{2}^{+}$ low energy ($\leq$10keV) implantation show the lower sheet resistance of the $1.0k\Omega$/$\square$ after rapid thermal annealing process. The $As_{2}^{+}$ implantation and RTA process make it possible to fabricate the nano-scale NMOSFET of gate length of 70nm. $As_{2}^{+}$ 5 keV NMOSFET shows a small threshold voltage roll-off of 60mV and a DIBL effect of 87.2mV at 100nm gate length devices. The electrical characteristics of the fabricated devices with the heavily doped and abrupt $n^{+}$-p junctions ($N_{D}$〉$10^{20}$$cm^{-3}$, $X_{j}$$\leq$20nm) suggest the feasibility of the nano-scale NMOSFET device fabrication using the $As_{2}^{+}$ low energy ion implantation.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.39 no.5
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• pp.16-22
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• 2002

This paper suggests the optimum processing conditions for obtaining good quality $P^{+}$-n shallow junctions formed by pre-amorphization and furnace annealing(FA) to reflow BPSG(bore phosphosilicate glass). $BF_2$ions, the p-type dopant, were implanted with the energy of 20keV and the dose of 2$\times$10$^{15}$ cm$^{-2}$ into the substrates pre-amorphized by As or Ge ions with 45keV, 3$\times$$10^{14}$ $cm^{-2}$. High temperature annealings were performed with a furnace and a rapid thermal annealer. The temperature range of RTA was 950~$1050^{\circ}C$, and the furnace annealing was employed for BPSG reflow with the temperature of $850^{\circ}C$ for 40 minutes. To characterize the formed junctions, junction depth, sheet resistance and diode leakage current were measured. Considering the preamorphization species, Ge ion exhibited better results than As ion. Samples preamorphized with Ge ion and annealed with $1000^{\circ}C$ RTA showed the most excellent characteristics. When FA was included, Ge preamorphization with $1050^{\circ}C$ RTA plus FA showed the lowest product of sheet resistance and junction depth and exhibited the lowest leakage currents.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.81.1-81.1
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• 2015

최근 실리콘(Si) 원재료 가격의 하락으로 인하여, 태양광 시장에서 성능 좋은 저가의 태양광 모듈을 요구하고 있다. 즉, 와트(W)당 낮은 가격의 태양광 모듈을 선호하기 때문에 경쟁력을 갖추기 위하여서는 많은 출력을 낼 수 있는 고효율의 태양전지가 요구된다. 그래서 주목을 받고 있는 것이 N-type 실리콘 기판을 사용한 고효율 태양전지이다. 하지만, n-type Si 기판의 경우, pn 접합의 형성을 위하여서 기존의 열 확산(Thermal diffusion)법에 의한 에미터(Emitter) 형성방법은 양질의 pn접합을 형성하기에는 한계가 있다. 그로 인하여 주목하고 있는 기술이 반도체 공정에서 널리 사용되고 있는 이온 주입(Ion implantation)방식이다. 이 기술은 양질의 에미터 형성을 위하여, 동일한 양의 불순물(dopant) 주입, 정확한 접합 깊이 제어 등이 가능한 방법으로 고효율 태양전지 제작에 필수적이며, 가능한 기술이라고 할 수 있다. 본 발표에서는 어플라이드 머트리얼즈(Applied Materials)사가 보유하고 있는 고효율 태양전지 제작에 필수적인 이온주입방식의 기술과 양산화 가능한 관련장비 등을 소개 하고자 한다.