• Title/Summary/Keyword: 접합의 깊이

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Cyclic Loading Test for Exposed Column-base Plate Connections of Small-size Steel Structures (소규모 철골조 노출형 주각부의 반복가력 실험)

  • Lim, Woo-Young;You, Young-Chan;Yoo, Mi-Na
    • Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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    • v.21 no.2
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    • pp.34-45
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    • 2017
  • Cyclic loading tests for a total of nine test specimens were performed to evaluate the seismic performance of the exposed steel column-base plate connections. From the tests, flexural strength, deformation capacity, energy dissipation, and initial stiffness were investigated. The primary test parameters were the thickness of base-plate, embedment length of anchor bolt, the presence of hook, and rib plates. Test results showed that flexural behavior of column base-plate connection was substantially affected by the base-plate thickness, embedment length and the number of anchor bolts. On the other hand, the effect of rib plates on the increase of the flexural performance was not observed. The initial stiffness of the test specimens was about 15% of the flexural stiffness obtained by assuming that the support is fixed. As a result, even if the exposed column base-plate is designed in accordance with current design recommendations, in case that bond strength between concrete and the anchor bolts is not sufficient, the base-plate connection showed an unaccceptable load-displacement behavior.

Microfabricated Disposable Microchip with a Capillary Electrophoresis and Integrated Amperometric Detection (모세관 전기영동 및 전기화학적 검출 시스템을 위한 일회용 마이크로칩)

  • Kim, Ju-Ho;Kang, C.J.;Kim, Yong-Sang
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2004.07c
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    • pp.2131-2133
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    • 2004
  • 모세관 전기영동 및 전기화학적 검출 시스템을 마이크로 시스템에 적용하여 ITO 유리기판과 polydimethylsiloxane (PDMS)로 제작하였다. 제작된 모세관 전기영동 및 전기화학적 검출 시스템은 일회용으로 사용가능하며 전기화학적 검출에 아주 적합한 특성을 보인다. 모세관 전기영동 및 전기화학적 검출 시스템은 주입과 분리 채널 (80 ${\mu}m$${\sim}$ 40 ${\mu}m$ 깊이)을 가진 PDMS 층과 유리기판 위에 검출 전극으로 사용되는 ITO가 형성된 층으로 구성된다. PDMS 층과 ITO 유리 기판은 UV-$O_3$ cleaner를 사용하여 접합하였다. 완충용액은 10 mM 2-(N-morpholino)ethanesulfonic acid (MES)를 사용하였고 분석물질은 1 mM 농도의 dopamine과 1 mM 농도의 catechol을 사용하였다. 60 V/cm 전계로 주입 및 분리를 하였으며 작업전극과 기준전극 간의 전위는 +600 mV로 유지하며 분석물질의 농도에 비례하는 전류량법으로 측정하였다. 전기화학적 검출 회로는 천기영동 전계의 간섭으로부터 분리하였다. 10 mM MES 완충용액에서 바탕 전류의 크기가 ${\sim}$10 pA 일 때 측정전류 값은 10 nA이다. 측정된 피크 값은 기존의 Au 전극과 비교하여 선택성, 감도, 분해능이 유사한 특성을 보여준다.

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Effect of Tool Plunge Depth on Weldability of Dissimilar Al5083-O/DP590 Friction Spot Joint (이종재 Al5083-O/DP590 마찰교반점용접시 툴의 삽입깊이(Plunge Depth)가 용접성에 미치는 영향)

  • Jeong, Su-Ok;Bang, Han-Sur;Bang, Hee-Seon
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.34 no.3
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    • pp.17-22
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    • 2016
  • In terms of mechanical and metallurgical characteristics, the effect of tool plunge depths(0.2, 0.5, 0.7, 1.0, 1.5mm) on weldability in dissimilar Al5083-O/DP590 friction spot joint has been clarified. From the results, it is found that the stirred nugget was stably formed at a plunge depth of more than 0.7mm, which is caused by improved stirring action against each other material. With increasing a plunge depth, the thickness of intermetallic compound(IMC) layer in Al5083-O/DP590 joint has a tendency to increase. The tensile shear strength reaches to the maximum failure load of 6.5kN at a plunge depth of 0.7mm due to relatively small decrease in the thickness of Al5083-O sheet and relatively minute thickness of IMC layer, compared with those of other plunge depth conditions.

Breakdown Voltage Characteristics of LDMOST with External Field Ring (외부 전계 링을 갖는 LDMOST의 항복전압 특성)

  • Oh Dong-joo;Yeom Kee-soo
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.8 no.8
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    • pp.1719-1724
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    • 2004
  • In this paper, we have proposed a new structure of LDMOST, which has been expected as a next generation RF power device, to improve the BV(Breakdown Voltage) characteristics. The proposed structure, named external field ring, is formed around a drift region by the three dimensional structure. The external field ring relieves the electric field in the drift region and improves the BV characteristics. By the three dimensional TCAD simulations, it was found that the BV of LDMOST was increased by the increase of the junction depth and doping concentration of the external field ring. Therefore, the BV characteristics of the LDMOST can be remarkably improved by addition of external field ring using an existing p+ sinker process.

Surface Modification of Iron-alloy Steels by Plasma Nitriding Pricess (플라즈마질화법에 의한 강의 표면개질)

  • ;;中田一博
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.14 no.2
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    • pp.1-9
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    • 1996
  • 철강재료에 대한 플라즈마질화법의 적용에는 지금까지 많은 연구결과가 나와 있는데, 탄소강이나 적합금강의 경우는 그 표면정도가 Hv400 - 900, 고합금강의 경우 는 Hv1000이상의 정도를 얻을 수 있으며, 내마모성도 향상한다고 알려져 있다. 그리 고 플라즈마질화처리에 의한 질화층의 형성기구나 화합물층 및 확산층의 생성에 관여 하는 처리조건의 영향, 질화층의 경도 및 깊이에 대한 합금원소의 영향등이 어느 정도 밝혀져 있다. 그리고 스테인레스강의 경우는 그 표면에 견고한 산화피막을 형성하기 때문에 염욕질화나나 가스질화법에 의한 처리가 일반적으로 곤란하다. 그러나 프라 즈마질화처리에 의하면, 분위기를 질소와 수소의 혼합가스로 함으로서 특별한 전처리 를 하지않고도 질화처리가 가능한 것으로 알려져 있다. 또한 철강재료 이외의 비철 금속에 대한 플라즈마질화처리의 적용이 검토되었으며, 질화물을 형성하기 쉬운 Ti 와 그 합금, Zr, Al 그리고 Va, AIa족원소의 경우는 Hv1000이상의 경도가 얻어진다는 것과 최적 질화조건등이 보고되어져 있다. 또한 질화물을 형성하지 않는 금속, 즉 Ni 나 Cu합금 등에 대하여도 Ti, Al 등의 질화물생성원소를 첨가하여 플라즈마질화법에 의한 표면경화특성도 검토되고 있다. 본 해설에서는, 탄소강, 탄소저합금강 등의 철강 재료를 중심으로하여 플라즈마질화처리한 경우의 표면경화특성에 대하여 서술하고자 한다.

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Surface Melting and Alloying Process for Surface Hardening of Aluminum Alloys (표면용융합금화법에 의한 Al합금의 후막표면경화기술의 현상)

  • ;中田一博
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.14 no.2
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    • pp.10-18
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    • 1996
  • Al합금과 경합을 하는 경량재료에는 금속재료로서는 Mg 및 Ti이 있는데, 이들 은 고가라는 단점이 있다. 또 비금속재료로는 플라스틱.수지등이 있는데, 산업폐기물 등의 문제가 있으나, Al합금은 재활용이 용이하다. 그러나 구조재료로서의 Al합금의 특성에는 아직 많은 결점을 가지고 있으며, 가장 큰 결점의 하나는 철강재료에 비하여 내마모성이 현저하게 떨어진다는 것이다. 그러므로 이 점이 개선된다면, Al합금은 경량구조용 재료로서 다양한 분야에서 철강재료를 대신할 수 있을 것으로 전망된다. Al합금에 대한 내마모특성을 부여하기 위한 종래의 표면경화기술로서는, 고경도합금 의 채용, 알루마이드처리등이 있는데, 충분한 경도가 얻어지지 않거나, 또는 고경도가 얻어져도 경화층의 깊이가 마이크론단위에 불과하여 고하중하에서의 내마모특성 등에 대한 문제가 있었다. 이들 방법 이외에도 PVD, CVD, 도금 등에 의한 표면피복 방법과 표면의 합금화에 의한 표면경화법 등에 있어서 여러 방법들이 있으나, 경도가 높고 또한 후막의 경화층으로서 박리의 위험이 적은 표면경화처리기술은 확립되어 있지 않다고 할 수 있다. 따라서, 이 분야에 대한 기술개발이 산업계로부터 강하게 요구되 고 있으며, 또한 이것과 관련된 연구가 활발하게 진행되고 있다. 본 해설에서는. 내마 모특성에 따른 Al후막기술의 현상과 그 대표적인 기술로서, 표면용융에 의한 합금화 를 이용하는 표면경화기술에 대하여 소개한다.

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A Study on the Channel Length and the Channel Punchthrough of Self-Aligned DMOS Transistor (자기정렬 DMOS 트랜지스터의 채널 길이와 채널 Punchthrough에 관한 고찰)

  • Kim, Jong-Oh;Kim, Jin-Hyoung;Choi, Jong-Su;Yoob, Han-Sub
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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    • v.25 no.11
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    • pp.1286-1293
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    • 1988
  • A general closed form expression for the channel length of the self-aligned double-diffused MOS transistor is obtained from the 2-dimensional Gaussian doping profile. The proposed model in this paper is composed of the doping concentration of the substrate, the final surface doping concentration and the vertical junction depth of the each double-diffused region. The calculated channel length is in good agreement with the experimental results. Also, the optimum channel structure for the prevention of the channel puncthrough is obtained by the averaged doping concentration in the channel region. A correspondence between the results of device simulation of channel punchthrough and the estimations of simplified model is confirmed.

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A study on boron and phosphrous doping profile by RTA using 1MeV high energy ion implantaiton (1MeV 고에너지로 붕소(boron)와 인(phosphorus)을 이온주입 시급속 열처리에 따른 도핑 프로파일)

  • 강희원;전현성;노병규;조소행;김종규;김종순;오환술
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 1998.06a
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    • pp.331-334
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    • 1998
  • p형 실리콘 기판위에 100.angs.의 초기 산화막을 성장시킨 후 붕소(B)와 인(P)을 1MeV 이온주입 에너지로 4.dec. tilting하여 붕소의 도즈량은 1*10/녀ㅔ 13/[cm/sup -2/]까지, 인은 1*10/sup 13/[cm/sup -2]로부터 1*10/sup 14/[cm/sup -2/] 까지 변화시키며 이온 주입하였다. 이온주입 후 RTA 로서 열처리 하였으며, 열처리 시간은 10초에서 40초까지,열처리 온도를 1000.deg.C에서 1100.deg.C까지 변화하였다. 이후 기파낸의 불순물의 프로파일 및 미세 결함의 분포를 분석하기 위하여, SIMS, SRP, XTEM 분석을 실시하였고, 이를 monte-carlo 모ㅓ델로서 시뮬레이션하여 비교하였다. SIMS 분석 결과 열처리 온도와 시간이 증가할수록 접합깊이가 증가하였고, 프로파일이 넓어짐을 볼수 있다. SRP 측정에서 붕소는 주해거리 (Rp)값은 1.8.mu.m~1.9.mu.m, 인의 경우는 1.1.mu.m~1.2.mu.m의 주행거리 (Rp) 값이 나타났다. XTEM 분석결과 붕소의 경우 열처리에 전후에도 결함을 볼수 없었고, 인의 경우 열처리 이후에 실리콘 결정내부에 있던 산소(O)와 인(P)우너자의 pinning효과에 의해 전위다이폴을 형성하여 표면근처로 성장함을 볼수 있었다.

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Design of the 25nm LDD MOSFET Process using MicroTec Tool (MicroTec을 이용한 25nm LDD MOSFET Process 설계)

  • Han, Ji-Hyung;Jung, Hak-Kee;Lee, Jae-Hyung;Jeong, Dong-Soo;Lee, Jong-In;Kwon, Oh-Shin
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2008.10a
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    • pp.588-591
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    • 2008
  • 본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 25nm LDD MOSFET Process를 구현하였다. LDD MOSFET의 저농도 도핑은 드레인의 끝에서 발생할 수 있는 핫 캐리어 효과를 감소시키는데 도움을 주며, 낮은 접합깊이는 DIBL 효과 및 전하공유와 같은 단채널효과를 감소시키는 중요한 역할을 한다. MicroTec 툴의 Sidif를 사용하여 25nm LDD MOSFET process를 설계하였고, 시뮬레이션 하는 과정과 방법을 설명하였다. 이온주입 양과 에너지의 크기를 증가하면서 전체도핑농도를 비교 분석하였다. 이온주입 양을 증가시키고 에너지의 크기가 커지면 더 강한 에너지가 가해지게되므로 높게 도핑되는 영역이 확장되고 전체 농도분포도 역시 확장되는걸 알 수 있었다.

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다상 금속재료의 EBSD 분석

  • Gang, Ju-Hui;Kim, Su-Hyeon;Park, Chan-Hui
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.106.1-106.1
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    • 2012
  • EBSD(Electron BackScattered Diffraction)분석은 주사전자현미경에서 관찰되는 비교적 넓은 영역의 결정 방위를 측정하여 집합조직을 해석하는 동시에 결정 방위의 변화를 기준으로 결정립계를 구분 지어 미세조직의 정량 분석도 가능하기 때문에 많은 연구자들이 사용하고 있다. 그러나 EBSD의 Kikuchi 패턴은 시편 표면으로부터 30~50nm 깊이 범위의 표면층으로부터 방출되기 때문에 EBSD 분석 결과는 시편의 표면 처리 상태에 크게 영향을 받아 적절한 시편준비법이 요구된다. 시편 준비 과정 중에 생기는 변형층, 산화층이나 오염층이 10nm 이내로 제어되지 못하면 명확한 패턴을 얻지 못하여 분석이 어려운 경우가 많으므로, 시료의 절단과 연마 과정 중에 변형층을 되도록 적게 만들고 표면의 산화나 오염을 최대한 방지해야 한다. 또한 EBSD 분석 특성상 시편을 70도로 기울이기 때문에 시편의 요철이 심하면 볼록한 영역에 의해 오목한 영역의 패턴이 가려져 결정방위 정보를 얻기 힘들다. 이런 이유로 시편을 최대한 평평하게 하고 요철이 생기지 않게 시편 준비를 하는 것이 관건이다. 금속재료의 EBSD 시편준비법으로는 일반적으로 기계적 연마법과 전해연마법이 주로 쓰인다. 경한 석출물이나 개재물이 연한 기지에 분산되어 있는 시편이나 이종 소재 접합재의 경우는 전해연마법을 사용하면 특정 상(혹은 합금)이 먼저 연마되어 큰 단차가 생기거나 석출물에 의해 요철이 심해져서 정량적인 EBSD 분석이 어렵게 된다. 이 연구에서는 시편 준비가 어렵다고 알려진 다상 금속재료에서의 EBSD 분석 사례를 소개한다. Ti-6Al-4Fe-0.25Si 시효처리합금, 알루미늄 기지 복합재료, 마찰교반용접한 알루미늄-타이타늄합금의 EBSD 시편준비법과 그 분석 결과를 고찰한다.

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