• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.447-448
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• 2019

본 논문은 다양한 전기 자동차의 배터리 전압을 위해 150V-1000V의 넓은 출력전압을 만족하고 전기자동차의 수요자원화를 위해 양방향 제어가 가능한 DC-DC 컨버터를 제안한다. 제안하는 컨버터는 절연형 컨버터와 비절연형 컨버터가 결합된 2단 방식의 구조로 연결된 배터리의 전압에 따라 CC(Constant Current) 또는 CP(Constant Power)로 동작한다. 전체시스템은 20kW급으로 설계하여 시뮬레이션 및 시제품을 통해 출력특성 및 효율을 분석하였다.

• Fire Science and Engineering
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• v.20 no.3 s.63
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• pp.35-41
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• 2006

In this study, we presented the problems in the insulation cover of 22.9kV transformer bushing through investigating actual conditions. After thermal stress applied to the insulation cover, deterioration patterns, thermogravimetric and infrared characteristics were analyzed, and the results were applied to the cause analysis of accidents and judgement of safety. The insulation covers are used to protect exposed terminals of transformer, but they had improper size and length. Therefore, they could not show efficient insulation function. In case that thermal stress of $150^{\circ}C$ was applied to the insulation covers, plastic insulation covers(A, B, D, E) damaged severely, whereas rubber insulation cover(C) showed normal shapes. In the result of thermogravimetric analysis, the thermal gravity of plastic covers(A) decreased about 33.3% at $307.8^{\circ}C\;to\;405.9^{\circ}C$. and he thermal gravity of rubber covers (C) decreased about 53.7% at $258.8^{\circ}C\;to\;32.9^{\circ}C$. In the result of FT-IR analysis, plastic covers showed peaks characteristic of $CH_2,\;CH_3$, C=O and C=C bonds, whereas rubber covers showed peaks characteristic of OH, $CH_2,\;CH_3$, C=O, C=N and C=C bonds.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.48 no.5
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• pp.1-5
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• 2011

In this paper, we optimize the gate field plate structure to improve breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT by two-dimensional device simulator. We have simulated using three parameters such as field-plate length, types of insulator, and insulator thickness and thereby we checked change of the electric field distribution and breakdown voltage characteristics. As optimizing field-plate structure, electric fields concentrated near the gate edge and field-plate edge are effectively dispersed. Therefore, avalanche effect is decresed, so breakdown voltage characteristic is increased. As a result breakdown characteristics of optimized gate field-plate structure are increased by about 300% compared to those of the standard structure.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.18 no.10
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• pp.425-430
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• 2018

The battery system of an electric vehicle suffers from the problem the battery output and the service life decrease at low temperature. A Positive Temperature Coefficient(PTC) heater is used for maintaining room temperature but is heavy due to a complicated insulation structure. The larger the weight is, the lower the fuel economy of the electric vehicle is. On the other hand a induction heater have a simple insulation structure, which is effective in weight reduction and has a rapid temperature rise. The induction heater consists of an LC resonance circuit. The larger the capacitance is, the higher the price and weight is. Therefore, the inductance should be increased to reduce the capacitance. Also, the main heat source of the induction heater is coreloss. So, it is important to optimize inductance and coreloss in terms of electromagnetic field design. In this paper, the inductance and the coreloss according to the change of the induction heater structure were optimized through the Taguchi method and Finite Element Method(FEM) simulation.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.18-25
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• 1995

건식, 습식, 건식/습식 산화분위기로 성장한 게이트 산화막 위에 AI, 인 도핑된 다결정시리콘, 비정질 실리콘/인 도핑된 다결정 실리콘을 증착하여 제작한 금속-산화물-반도체(metal-oxide-semiconductor:MOS)의 전기적 특성을 순간 절연파괴(TZDB), 정전용량-전압(C-V)과 경시절연파괴(TDDB)로 평가하였다. AI 게이트에서 습식산화막과 건식산화막의 평균 파괴전계는 각각 9.0MV/cm, 7.7MV/cm이였고, 습식산화막의 평균 파괴전계가 8.4MV/cm 이였으며, AI 게이트보다 0.6MV/cm 정도 낮았다. 이것은 다결정 실리콘/습식산화막 계면에서 인(phosphorus) 확산으로 다결정 실리콘의 grain 성장과 산화막의 migration에 의한 roughness 증가에 기인한다. 그러나 다결정 실리콘/건식산화막 계면에서 roughness 증가는 없었다. 다결정 실리콘 게이트에서는 건식/습식 산화막이 건식산화막과 습식산화막보다 평균 파괴전계와 절연파괴전하(QBD)가 높았다. 또한 다결정/비정질 실리콘 게이트에서는 습식산화막의 평균 파괴전계가 8.8MV/cm이였으며, 다결정 실리콘 게이트에서보다 0.4MV/cm 정도 높았다. 다결정/비정질 실리콘 구조는 앞으로 VLSI 적용에 있어서 게이트 전극으로 매우 유용할 것이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.10a
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• pp.149-150
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• 2008

본 논문에서는 운전중인 154 kV 및 345 kV 송전선로에서 철탑 구조의 변경 없이 애자의 수량을 증결하여 절연성능을 보강하는 방안에 대한 연구결과를 제시하고 있다. 송전선로에서 발생 가능한 상용주파과전압과 개폐과 전압의 최대값을 EMTP 해석모델을 이용하여 계산하고 이로부터 뇌섬락 고장확률과 급속오손고장확률을 고려한 절연거리 증대 및 소요애자수량 방법을 제시하고 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.04b
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• pp.185-187
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• 2008

ACSR-OC 전선은 알루미늄, 아연 및 철 등 세 가지 금속이 서로 접촉되는 이질구조이므로 도체 내에 전해질의 수용액이 존재할 경우 전해부식이 일어나기 쉽고 표면이 손상되었을 경우는 서지의 고정점으로 작용하여 단선될 우려가 있다. Al 절연전선이 염분에 의해 발생되는 변화를 살펴보았다. 시료는 10년이상 현장에서 사용한 후 천거한 전선과 신품에 대해 기계적 강도시험(KSC 3113의 5.4.3 (인장하중시험)), 소선의 성분분석(SEM) 및 현미경 관찰을 실시하였다. 실험결과, 철거전선 표면에서는 알루미늄 외 산소, 염소(Cl), 나트륨(Na) 등이 관찰되었으며 소선은 부식 또는 진행 중이어서 전선의 인장력이 저하되어 있었다. 또 표면이 손상된 전선에 대해 파괴시험, 현미경 관찰 등을 실시하여 절연에 미치는 영항을 조사하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.910-911
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• 2008

본 논문에서는 새로운 형태의 삼상 절연형 부스트 컨버터를 제안한다. 이 컨버터는 삼상구조의 특성에 의하여 큰 전력을 취급할 수 있고 전류 연속모드 작동에 의한 실효 전류 값이 작아져 전체적인 도통손실이 줄어든다. 또한, 각 입력 부스트 인덕터의 인터리브 동작으로 입력전류 리플이 작아짐과 더불어 실효 동작주파수가 증가함에 따라 필터부품의 크기도 줄어든다. 이러한 장점들은 연료전지의 전력변환기로서의 적용에 적합하다. 각 부스트 컨버터의 출력은 삼상 변압기를 통하여 합쳐지고 이 변압기를 통하여 입출력간 절연과 승압이 이루어진다. 전체 효율은 평균 96 %이며, 이는 도통손실의 감소와 능동클램프의 적용에 의한 스위칭 손실 감소의 결과로 판단된다. 제안된 컨버터와 삼상 PWM 스위칭 방식을 구간별로 해석하였고 시뮬레이션 하였다. 또한, 500 W 급 하드웨어로 구현 및 실험을 통하여 설계를 검증하고 그 결과를 분석을 하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.132-133
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• 2005

고분자 절연재료의 혼합사용을 통한 계면의 전기적 특성 및 온도 특성을 조사하기 위하여 XLPE층 과 EPDM 층을 각각 단일층 및 이중층으로 적층하였으며, 온도는 상온에서 100 [$^{\circ}C$]까지 변환시키면서 유전정접을 측정하였다. 또한 data는 LABview를 이용하여 GPIB통신으로 받아들인 값을 평균치를 구하여 컴퓨터에 저장하였다. 측정결과 온도에 무관하게 이층구조는 단일층 사이의 값을 나타내며, 온도증가에 따라 XLPE 단일층의 변화가 크게 나타났으며, 이중층은 EPDM의 변화에 크게 의존함을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.90-90
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• 1998

전계 에미터 어레이(FEA)는 진공에서 전계률 인가하여 전극으로부터 전자률 방출시키는 전자원으로서, 마이크로파 소자 및 명판 디스플레이, 센서 둥에 이용된다 .. Transfer Mold 법 은 뾰족한 에미터 립과 게이트 절연막 및 게이트 전극 충올 형성한 후 유리와 같은 기판에 이전 시키는 방법으로, 이러한 방법은 Mold 형태 위에 코탱 충의 두께 조절과, 게이트와 립 높이 조절이 가능하며, 그리고 유리 기판 위에 접착하여 대면적의 평판 디스플레이를 제작 할 수 었다는 장점이 있다[1,2]. 본 연구에서는 일반적으로 사용되는 실리콘 기판올 습식 식 각하여 Mold률 제작하는 방법 대선에, 측벽 스페이스 구조률 이용한 새로운 방법의 Mold 형태률 이용하여 게이트률 가진 에마터 립올 제작하였다. 먼저 실리콘 기판 위에 산화막올 증착하고 그 위에 게이트 전극파 게이트 절연막을 LPCVD 방법으로 증착하여 구명 형태로 패터닝 한 후, BPSG(Boro Phospher Silicate Glass) 박막올 증착하여 고온에서 훌러 내려 뾰족한 형태의 주형(Mold)률 제작한 후 TiN율 증착하여 정전 접합(an여ic bon벼ng)이나 레 진(resine)둥으로 유리률 접합한 후 KOH 용액으로 실리콘 기판옵 뒷면부터 식각해 낸다. 그 다옴, 립과 게이트 위에 있는 절연막올 제거한 후 뾰족한 전계 에미터 어레이륭 제조하 였다. 자세한 제조 공정 및 제작된 에미터 립의 특성은 학회에서 발표될 예정이다.