${N_2}O$ 플라즈마 전처리와 엑시머 레이저 어닐링을 통한 $150^{\circ}C$ 공정의 실리콘 산화막 게이트 절연막의 막질 개선 효과
(High quality $SiO_2$ gate Insulator with ${N_2}O$ plasma treatment and excimer laser annealing fabricated at $150^{\circ}C$ )
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- 대한전기학회:학술대회논문집
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- 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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- pp.71-72
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- 2006