• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.316-318
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• 2004

본 논문은 부분방전검출 시험 전에 수행하는 Calibration 신호 주입 및 검출 방법에 대한 연구이다. 사용된 시료는 활선상의 배전용 XLPE 케이블이다. 실험방법은 50kV 내전압기 (750-2CTS, Hipotronics)로부터 공급된 Calibration 신호를 Lemke (LDP-5, LDIC), 오실로스코프 (TDS-3012, Tektronix)와 주파수 분석기 (8563E, HP)를 사용하여 측정하였다. 마지막으로 시험에 사용된 센서는 안테나 특성의 UHF 센서와 고주파 특성의 HFCT 센서이다. 실험결과, Calibration 신호 주입 시 시험 환경 및 센서에 따라 Calibration 신호와 주입방법의 차이가 발생하였다. 따라서 신호의 형태와 인가 전하량에 따른 Calibration 파형과 전하량 변화를 알 수 있었다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2004.02a
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• pp.274-275
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• 2004

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.17 no.3
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• pp.262-267
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• 2006

We proposed a PPLN fabrication setup that measures the voltage and current applied to $LiNbO_3$ in real time during application of a DC electric field. Because the duration for transferring a sufficient electron charge to $LiNbO_3$ increases, we are able to control the electron charge flow transferred to $LiNbO_3$ efficiently. We divided the domain inversion process of PPLN into 5 states: Nucleation (state 1), Spread of the domain inversion region under the electrode(state 2), Accumulation of the electron charge at the insulator/$LiNbO_3$ interface(state 3), Domain inversion under the insulator layer after breakdown(state 4), and Lowering the electric field applied to $LiNbO_3$ (state 5). We have found that the Threshold Point is essential for the domain inversion and that the domain inversion process must be stopped within state 3 for the optimum PPLN. Using these results, we could fabricate a stable and reproducible PPLN efficiently.

• Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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• v.39 no.4
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• pp.201-207
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• 2017

This study was conducted to investigate the characteristics of the stream current detector (SCD) and charge analyzing system (CAS), which are well known as the automatic coagulant dosage determination instruments. When the SCD system was used, the current charge value set at pH 9.3 could not be used as the coagulant dosage when the pH of the raw water decreased to 5.7, and the current charge value corresponding to pH 5.7 was required to be reset. In case of CAS system, polydadmac is stable as a cationic titrant when the pH of the raw water ranged 9.3 to 6.0. And it was effective to use polydadmac as a cationic titrant for high turbidity water. The current charge of polydadmac was almost constant between pH 5 and 11, however, the difference in charge of alum is six times in this pH range. Therefore, when the pH of the raw water was changed, it seems that the coagulant used in the actual water treatment plant was as a good cationic titrant.

• Korean Journal of Soil Science and Fertilizer
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• v.34 no.4
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• pp.237-244
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• 2001

Investigation on the surface charge properties of some Korean arable soils was performed by ion adsorption technique with two kinds of indifferent ion ($Na^+$ and $K^+$) at the range of pH 3 to 9 in bulk solution. The contribution of soil components(organic matter, oxides and clay mineral) on the surface charge density was determined at two soil depth with different solid particle composition When the pH of solution increased, the negative charge of soil surface was increased among the all soils, but positive charge were not appeared above pH 6. apparently. The magnitude of surface charge density measured by NaCl adsorption method showed ra nges of $0.01{\sim}2.84cmol_c{\cdot}kg^{-1}$ and $7.41{\sim}12.20cmol_c{\cdot}kg^{-1}$ at pH 3 and pH 9, respectively. Ion adsorption method using KCl as index ion overestimated than the method using NaCl as index ion. The content of organic matter is the strongest factor on the value of dCEC/dpH.

• The Transactions of the Korea Information Processing Society
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• v.4 no.4
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• pp.1100-1105
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• 1997

The verial black stripe is one of the defects in a chrge-coupled device(CCD). Vertical black stripes are caused by some signal chrges which fail to transport form the vertical CCD region to the horizontal one. The defective transport of signal charges orignates in the potential barrier with the narrow width effects in the verti-cal-horizintal interface stuccture. The vertical black stripes show up when the charge transfer dfficiency is less than 99.2% under the low illumination condition. In this research, we designed and developed a new vertical-horizontal interface structre of a delta type, thus marking it possible to eliminate the vertical black stripes.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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• v.48 no.3
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• pp.53-59
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• 2011

Charge transfer through DNA oligonucleotides has been investigated for potential applications of DNA into molecular electrooptic switching devices. Electrons were injected using gold electrode probes where DNA oligomers were adsorbed that are separated in medium. The results show that increased adsorption of DNA reduces the ionization current due to the combined effect of charge transfer through DNA and surface-limited charge transport. The probe-based charge injection was extended to examine the capability of extinguishing fluorescence of Cy3 dye molecules attached to DNA. It is expected that the results may be employed to implementing a novel electrooptic switching device based on DNA molecules.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.209-209
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• 2010

단위면적 당 메모리 집적도를 높이기 위해 플래시 기억소자의 크기를 줄일 때, 절연층 두께 감소에 의한 누설 전류의 발생, 단채널 효과 및 협폭 효과와 같은 문제 때문에 소자 크기의 축소가 한계에 도달하고 있다. 이러한 문제점들을 개선하기 위해 본 연구에서는 FinFET구조위에 Oxide-Nitride-Oxide (ONO) 층을 적층하여 2-비트 특성을 갖는 플래시 메모리 소자를 제안하였다. 소자의 작동전압을 크게 줄일 수 있으며 소자의 크기가 작아질 때 일어나는 단채널 효과의 문제점을 해결할 수 있는 FinFET 구조를 가진 기억소자에서 제어게이트를 제어게이트1과 제어게이트2로 나누어 독립적으로 쓰기 및 소거 동작하도록 하였다. 2-비트 동작을 위해 제어 게이트1의 게이트 절연막의 두께를 제어게이트2의 게이트 절연막의 두께보다 더 얇게 함으로써 두 제어게이트 사이의 coupling ratio를 다르게 하였다. 제어게이트1의 트랩층의 두께를 제어게이트2의 트랩층의 두께보다 크게 하여 제어게이트1의 트랩층에 더 많은 양의 전하가 포획될 수 있도록 하였다. 제안한 기억소자가 2-비트 동작하는 것을 확인 하기위하여 2차원 시뮬레이션툴인 MEDICI를 사용하여 제시한 FinFET 구조를 가진 기억소자의 전기적 특성을 시뮬레이션하였다. 시뮬레이션을 통해 얻은 2-비트에 대한 각 상태에서 각 전하 포획 층에 포획된 전하량의 비교를 통해서 coupling ratio 차이와 전하 포획층의 두께 차이로 인해 포획되는 전하량이 달라졌다. 각 상태에서 제어게이트에 읽기 전압을 인가하여 전류-전압 특성 곡선을 얻었으며, 각 상태에서의 문턱전압들이 잘 구분됨을 확인함으로써 제안한 FinFET 구조를 가진 플래시 메모리 소자가 셀 당 2-비트 동작됨을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.4
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• pp.402-406
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• 1995

MOS(금속 산화막 반도체 접합) 소자가 방사선에 노출되면, 산화막재에 양의 공간전하가 생성되고 Si-SiO2 계면에 계면준위가 생성된다. MOS 커패시터의 방사선 조사효과를 방사선 피폭량과 산화막의 두께를 달리하는 시편에서 정전용량과 전류변화를 측정하여 고찰하였다. 정전용량-바이어스 전압 특성 실험결과로부터 플렛밴드 전압 및 계면상태밀도를 계산하였다. 또한 전압-전류 특성은 방사선 조사로 산화막내에 생성된 양의 공간전하와 Si-SiO2 계면에 포획된 전하에 의해서 설명이 가능하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.202-202
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• 2009

대전제어제를 이용하여 전하량을 가지는 토너 입자를 제조하고, 입자의 유동성을 부여하기 위하여 입자의 표면처리를 하였다. 제조된 토너 입자의 크기는 약 $8{\mu}m$정도이며, 표면 처리를 위해 크기가 약 14nm 정도인 nano-silica를 사용하였다. 대전제어제가 첨가된 토너 입자의 평균 전하질량비는 30.9uC/g이고, 표면처리를 한 입자의 전하질랑비는 외첨 시간이 증가함에 따라 점차적으로 감소하는 것을 관찰 할 수 있었다. 또한 표면처리가 된 입자의 유동성은 표면처리를 하지 않은 입자 보다 우수하다는 것을 관찰 할 수 있었다.