• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1989년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.6-7
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• 1989

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.7-12
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• 1999

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제32권1호
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• pp.32-41
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• 2019

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제24권7호
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• pp.10-17
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• 2011

현재 개발 중인 Chalcogenide계 열전재료 중에서, 이방성 재료인 Thallium chalcogenide, Alkalimetal bismuth chalcogenide, Bismuth telluride와 등방성 재료인 Lead telluride, Silver antimony telluride, TAGS, LAST 및 SALT를 소개하였고, 이 재료들에 대한 연구 동향을 살펴보았다. Chalcogenide는 S, Se, Te 및 다른 원소와의 다양한 조합에 의해, 넓은 온도범위에서 열전재료로 응용하기 위한 밴드갭 에너지의 조절이 가능하다. 또한 합성공정에 따른 상변태, 석출 등 구조변화에 따른 열전특성의 변화를 기대할 수 있어 열전재료 개발 초기부터 활발한 연구가 진행되어 왔다. 과거의 전통적인 Chalcogenide계 열전재료뿐만 아니라, Chalcogenide계 열전 신소재에 대해서도 살펴보았다. Chalcogenide는 전자적, 광학적, 열적 성질 등 특성이 독특하고 변화가 무궁무진하여 아주 매력적이기 때문에, 앞으로도 계속 열전재료로서 각광받는 물질군으로 판단된다. 그림 11에 현재까지 ZT의 최댓값이 1이 넘는다고 보고된 열전재료의 성능지수를 요약하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권1호
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• pp.93-104
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• 1996

연질자성재료는 대부분 직류 및 고주파용 변압기, inductor, 대형 motor, 자기헤드의 자심재료 및 센서등으로 사용되고, 경질자성재료는 주로 motor 및 speaker용으로 사용되며, 자기기록매체재료는 화상, 음성 및 컴퓨터 정보의 기록용으로 사용된다. 특수자성재료로는 microwave용, 전자파 흡수, 열팽창 제어, 기체밀봉등 많은 용도에 이용되고 있다. 최근 국내외에서 수요가 급증하는 첨단 전자기기용 자성재료 시장등이 내구, 내열성 뿐만 아니라 소형화, 경량화 됨에 따라 자성재료의 고성능화를 요구하고 있다. 따라서 본 고에서는 경질자성재료의 개발현황을 살펴보고 자성재료의 고성능화를 위한 연구동향을 생각해 보고자 한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제3권1호
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• pp.1-10
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• 1996

반도체 산업의 급속한 발전에따라서 모든 전자산업부품의 경박단소화와 신호처리 속도가 고속화되는 추세에 있다. 특히 중대형 컴퓨터의 연산 처리가 고속화 됨에 따라서 반 도체 실장 재료로서 널리 사용되었던 Al2O3/Mo계 세라믹 소재로는 요구조건을 만족시킬수 없게 되었다. 따라서 저 유전율 절연 재료와 고밀도 배선이 가능한 고전도성 도체 재료의 개발이 요구되고 있다. Cu는 높는 전도성 뿐만 아니라 내 migration 특성 미세패턴의 적합 성 및 고주파 특성 등이 우수하여 저온 소성용 세라믹 기판용 전극 재료로서 유망하다.

• Composites Research
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• 제29권6호
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• pp.379-387
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• 2016

본 논문에서 전자기장과 열 하중을 받는 복합재료 평판에 대하여 압전재료를 이용한 압전제어를 수행하였다. 구조물에 가해지는 전자기장과 열 하중, 그리고 구성방정식에서 고려되는 압전효과가 모두 포함된 지배방정식을 FSDT 판 이론에 기초하여 Hamilton 원리에 의하여 유도하였다. 평판의 경계면에서 발생하는 제어력과 제어 모멘트는 비례제어 및 속도제어 로직에 의하여 적용되었다. 전자기장과 열 하중, 그리고 압전효과가 복합재료 평판의 동특성에 미치는 영향에 대하여 고찰하고, 압전효과 및 복합재료의 섬유각 변화를 통하여 복합재 구조물의 동특성을 효과적으로 제어 가능함을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.9-12
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• 2002

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제14권9호
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• pp.5-11
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• 2001

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권3호
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• pp.332-336
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• 2024

High-energy bandgap material silicon carbide (SiC) is gaining attention as a next-generation power semiconductor material, and in particular, SiC-based MOSFETs are developed as representative power semiconductors to increase the breakdown voltage (BV) of conventional planar structures. However, as the size of SJ (Super Junction) MOSFET devices decreases and the depth of pillars increases, it becomes challenging to uniformly form the doping concentration of pillars. Therefore, a structure with different doping concentrations segmented within the pillar is being researched. Using Silvaco TCAD simulation, a SJ VVD (vertical variation doping profile) MOSFET with three different doping concentrations in the pillar was studied. Simulations were conducted for the width of the pillar and the doping concentration of N-epi, revealing that as the width of the pillar increases, the depletion region widens, leading to an increase in on-specific resistance (R_on,sp) and breakdown voltage (BV). Additionally, as the doping concentration of N-epi increases, the number of carriers increases, and the depletion region narrows, resulting in a decrease in R_on,sp and BV. The optimized SJ VVD MOSFET exhibits a very high figure of merit (BFOM) of 13,400 KW/cm², indicating excellent performance characteristics and suggesting its potential as a next-generation highperformance power device suitable for practical applications.