• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.212-213
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• 2002

전자기기의 소형화에 동반하여 동작주파수가 높아짐에 따라 여기에 이용되는 소자의 크기도 밀리 사이즈에서 마이크로 사이즈까지 작아지고 있다. 이에 따라 여기에 이용되는 각종 소자의 전기적인 값도 작아지고 있으며 허용 오차 값이 적은 정밀한 소자가 이용되고 있다. 그러나 소자의 크기와 소자값의 감소에 따라 정확하고 간편하게 그리고 많은 소자를 효율적으로 측정할 수 있는 방법이 필요하다. 특성 임피던스 50 $\Omega$을 가지는 동축선로형 프루브 제작에 대해 이미 검토하였다[1]. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.389-389
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• 2010

우리 연구그룹에서는 분자 소자에서의 소자 구조와 전도도 간의 상관관계를 알아보기 위해서 분자동역학 전산모사와 전자밀도범함수이론 계산 및 전하수송성 계산을 자동으로 수행할 수 있는 소프트웨어를 개발하고 이를 적용해 다양한 나노소자를 연구하고 있다. 본 발표에서는 hexanedithiolate 단일 분자가 Au(111) 전극 사이에서 다양한 S-Au 접점 구조를 가지고 구성된 소자 모델에서 열적 진동이 소자 전도도에 끼치는 효과를 통계적으로 분석하여 단분자 소자 실험에서 제기된 여러 개의 conductance peak의 측정에 대한 논란에 대해 이론적인 규명을 시도할 것이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.271-271
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• 2015

유기 전자 소자는 높은 유연성을 가지고 있어 차세대 전자소자로 주목을 받고 있다. 이러한 유기 전자소자에 있어서 투명전극은 핵심소재 중의 하나인데, 유연성을 위하여 유연한 투명전극의 개발이 필수적으로 요구되고 있다. 본 연구에서는 마이크로/나노 금속 배선을 활용한 저저항/고투과의 투명전극을 제작하였고, 이러한 금속 배선은 기판에 함몰되어 있음에 따라 높은 평탄도 및 유연성을 가지고 있다. 본 전극은 기존의 ITO 대비 높은 투명전극으로서의 성능을 보이고, 이를 활용하여 유기 발광 다이오드를 제작한 결과 높은 발광 특성을 보임을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.11a
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• pp.159-160
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• 2018

본 논문에서는 인덕션 쿠커의 토폴로지 중 하나인 직렬 공진 하프-브릿지 컨버터에 Wide-Bandgap 전력 반도체를 적용하여 전력 손실을 평가한다. 전력 반도체의 발전으로 Si-기반의 전력반도체를 대체할 GaN과 SiC의 Wide-Bandgap 소자들이 양산되고 있다. Wide-Bandgap 소자의 장점은 고주파수에서의 동작과 낮은 손실에 있다. 이에 인덕션 쿠커의 직렬 공진 하프-브릿지 컨버터에 Wide-Bandgap 전력반도체를 적용하여 전력 손실을 PSIM Thermal Module을 통해 평가하고 인덕션 쿠커에 적합한 소자를 선정한다.

• Annual Conference of KIPS
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• 2024.05a
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• pp.25-26
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• 2024

본 연구에서는 ALD(Atomic Layer Deposition) 기술을 사용하여 고품질의 단일 박막을 형성하고, 이를 이용해 비휘발성 메모리 소자를 제작하며 그 특성을 분석한다. ALD 과정에서 단원자층을 차례로 증착하는 방식을 사용하여, 산화알루미늄 및 하프늄 옥사이드를 포함한 여러 층을 성공적으로 증착하였다. 이를 통해 높은 품질과 신뢰성을 가진 박막을 얻을 수 있었으며, 최종적으로 제작된 메모리 소자의 특성을 CV 곡선 분석을 통해 평가한다.

• The Magazine of the IEIE
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• v.10 no.5
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• pp.6-8
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• 1983

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.49 no.1
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• pp.8-14
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• 2012

The device performances of n-channel MuGFET with different fin numbers and fin widths but the total effective channel width is constant have been characterized. Two kinds of Pi-gate devices with fin number=16, fin width=55nm, and fin number=14, fin width=80nm have been used in characterization. The threshold voltage, effective electron mobility, threshold voltage roll-off, inverse subthreshold slope, PBTI, hot carrier degradation, and drain breakdown voltage have been characterized. From the measured results, the short channel effects have been reduced for narrow fin width and large fin numbers. PBTI degradation was more significant in devices with large fin number and narrow fin width but hot carrier degradation was similar for both devices. The drain breakdown voltage was higher for devices with narrow fin width and large fin numbers. With considering the short channel effects and device degradation, the devices with narrow fin width and large fin numbers are desirable in the device layout of MuGFETs.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.44 no.2
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• pp.13-18
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• 2007

This paper presents the experimental findings on the different degradation mechanism which depends on the gate oxide thickness in lateral DMOS transistors. For thin oxide devices, the generation of interface states in the channel region and the trapped holes in the drift region is found to be the causes of the device degradation. For thick devices, the generation of interface states in the channel region is found to be the causes of the device degradation. We confirmed the different degradation mechanism using device simulation. From the comparison of device degradation under DC and AC stress, it is found that the device degradation is more significant under DC stress than one under AC stress. The device degradation under AC stress is more significant in high frequency. Therefore the hot carrier induced degradation should be more carefully considered in the design of RF LDMOS transistors and circuit design.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.29 no.1
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• pp.104-112
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• 2014

열전소자는 열에너지를 전기에너지로, 전기에너지를 열에너지로 직접 변환하는데 사용되는 소자로 에너지 절감이라는 시대적 요구에 가장 잘 부응하는 소재이자 기술이다. 이것은 자동차, 우주 항공, 반도체, 바이오, 광학, 컴퓨터, 발전, 가전제품 등 산업전반에서 광범위하게 활용되고 있다. 선진국들은 연구소와 기업을 중심으로 연료효율을 증진시키기 위한 열전소재 연구를 진행하고 있고, 국내에서도 연구소와 대학을 중심으로 수행되고 있다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.69-70
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• 2016

본 논문에서는 공진형 DC/DC Converter와 Single-Switch Boost Converter 구조를 적용한 철도차량용 보조전원장치를 제안한다. 제안하는 회로는 기존 대비 반도체 소자의 개수 저감 및 반도체 소자의 전압 스트레스를 해당 회로부 입력전압의 1/2 이하로 저감 가능하여 낮은 내압의 반도체 소자를 적용할 수 있다. 150kW급 철도차량용 보조전원장치 회로를 컴퓨터 기반 시뮬레이션을 통해 검증하였다.