• Proceedings of the KSME Conference
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• 2008.11a
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• pp.1727-1732
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• 2008

We present a facile, yet versatile carbon nanofabrication method using electron beam lithography and resist pyrolysis. Various resist nanopatterns were fabricated using a negative electron beam resist, SAL-601, and were then subjected to heat treatment in an inert atmosphere to obtain carbon nanopatterns. Suspended carbon nanostructures were fabricated by wet-etching of an underlying sacrificial oxide layer. Free-standing carbon nanostructures, which contain 122 nm-wide, 15 nm-thick, and 2 ${\mu}m$-long nanobridges, were fabricated by resist pyrolysis and nanomachining processes. Electron beam exposure dose effects on resist thickness and pattern widening were studied. The thickness of the carbon nanostructures was thinned down by etching with oxygen plasma. An electrical biosensor utilizing carbon nanostructures as a conducting channel was studied. Conductance modulations of the carbon device due to streptavidin-biotin binding and pH variations were observed.

• Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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• v.18 no.6
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• pp.558-564
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• 2009

To aim at obtaining a correct and fine small pattern by an electron beam lithography several conditions and methods affecting a real pattern shape needs to be investigated. A micro/nano sized pattern shape is sometimes dependent on the scanning method. In this work, four types of scanning methods are implemented and their characteristics are investigated. For a $11\times11um$ pattern, a Zigzag scanning method proves a precise pattern generation. The other ways such as SEM scanning and swirl in-out scanning method result in some distorted pattern shape. It is proved that abrupt change in the pattern generation limits to obtaining a fine and small pattern.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.02a
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• pp.122.1-122.1
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• 2009

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2008.06a
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• pp.943-944
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• 2008

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2004.08a
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• pp.158-158
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• 2004

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2005.05a
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• pp.125-127
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• 2005

나노미터 크기의 임의형상 패턴을 형성하기 위해서 새로운 프리어 변환 리소그래피법을 개발하였다. 나노미터급 리소그래피에서 자외선과 엑스레이 같은 전자기파가 나노미터 크기로 형상을 새긴 마스크 위에 조사되면 회절현상이 발생하여 불명확한 패턴을 얻게 된다. 극자외선을 사용하지 않고도 상대적으로 긴 파장의 레이저빔을 특수하게 제작된 마스크를 통해 볼록렌즈에 조사할 경우에 프리어 평면이라 알려진 평면위에 나노미터 크기의 패턴을 형성할 수 있다는 것을 증명하였다. 이 방법은 매우 단순한 장치로 구성할 수 있다는 장점을 가질 수 있다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.17 no.6
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• pp.3-10
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• 2004

1970년대 초반 이후 반도체 산업의 비약적 발전은 다양한 응용으로 적용되어 여러 분야의 산업들의 성장을 촉진시키고, 번영시켰다. 이런 성장의 중심에서, 반도체 소자의 feature size의 감소는 초소형, 저전력, 고기능 특성을 갖는 소자의 생산을 가능하게 하였으며 이를 기반으로 소자의 재현성, 생산성 증가로 이어져 반도체 산업을 성공시킨 필수적인 요건이 되어 왔다. 실질적으로, 반도체 소자의 feature size는 매 3년마다 약 70%씩 감소해 왔다. 최근에는 반도체 기술 발전의 고속화가 이루어지고 있어 그 속도가 2년 주기로 단축되었다. 이런 현상은 Rayleigh equation으로 도출되었으며, 이것은 유명한 무어의 법칙(Moore's law)의 기본 원리이기도 하다. 이런 반도체 소자의 feature size 감소는 특정 패턴의 선폭에 대한 미세화가 필수적인 요건이며, 미세한 선폭을 형성시키기 위한 노광기술은 feature size 감소의 핵심 기술로 대두되고 있다.(중략)

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2002.06b
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• pp.53-56
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• 2002

We have developed a Monte Carlo (MC) simulator for electron beam lithography in multi-layer resists and multi-layer substrates in order to fabricate and develop high-speed PHEMT devices for millimeter- wave applications. For the deposited energy calculation to multi-layer resists by electron beam in MC simulation, we modeled newly for multi-layer resists and heterogeneous multi-layer substrates. Using this model, we simulated T-gate or r-gate fabrication process in PHEMT device and showed our results with SEM observations.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.403.2-403.2
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• 2014

본 연구에서는 갭을 갖는 전극을 제작하고, 전극사이의 간격이 좁아짐에 따른 분석물질의 전기화학적 신호증폭현상을 확인하였다. 광 리소그래피와 전자빔 리소그래피를 이용하여 기본 전극을 구성하고 이를 바탕으로 전극의 표면에 금속의 환원을 유도함으로써 환원시간에 따라 전극이 점점 좁아지게 하는 방법을 이용하여 다양한 간격의 갭 전극을 제작하였다. 이와같은 방법으로 제작된 전극을 전기화학 신호분석장치에 연결하고, $2{\mu}m$의 간격부터 약 50 nm 까지의 다양한 전극 간격을 가지는 갭 전극 각각에 대한 전기화학적 신호를 분석하였다. 전극에 Ferricyanide 를 노출시켜 전극의 간격이 좁을수록 FeCN63-의 산화 환원에 따른 패러데이 전류가 증폭하는 것을 확인하였으며, 분석물질의 검출 한계 농도 또한 낮아짐을 확인하였다. 이러한 실험결과는 일정전위기의 순환전압전류법, 주사전자현미경, 원자힘현미경을 이용하여 분석되었다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2006.10a
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• pp.665-666
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• 2006