• Journal of Korean Electronics
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• v.11 no.9
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• pp.104-106
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• 1991

• Journal of Korean Electronics
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• v.4 no.4
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• pp.41-65
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• 1984

• Journal of Korean Electronics
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• v.4 no.4
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• pp.97-105
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• 1984

• Journal of Korean Electronics
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• v.16 no.6
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• pp.37-42
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• 1996

• Journal of Korean Electronics
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• v.12 no.9
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• pp.36-37
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• 1992

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.406-407
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• 2019

본 논문에서는 유도전동기의 V/F 속도제어 시 특정 구간에 발생하는 전류 리플 저감에 대한 방법을 제안한다. V/F 속도제어 시 특정 구간에 발생하는 전류 리플을 분석하고, 주파수에 따른 극전압 보상량을 결정하여 보상하였다. 극전압 보상을 통해 유도전동기의 전류 리플을 저감시켜 인버터의 효율적인 제어가 가능하게 하였다. 이를 15kW 유도전동기 시스템에 대한 실험을 통해 제안된 방법의 효율성을 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.273-274
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• 2019

본 논문에서는 SiC MOSFET를 적용한 전기자동차용 LDC의 개발에 대해 다룬다. SiC MOSFET는 기존 Si 계열의 전력 반도체 소자에 비해 고주파 동작이 용이하며 스위칭 손실이 낮아 고효율, 고전력밀도 설계가 가능하다는 장점을 갖는다. 본 논문에서는 SiC MOSFET를 이용한 LDC의 설계에 대해 서술하고, 이를 시뮬레이션 및 실험을 통해 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.277-278
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• 2019

본 논문은 기존 2레벨 인버터와 비교하여 고전압에서 고효율과 절반의 전류리플을 가지는 MNPC 모듈을 적용한 태양광 인버터 개발 내용에 대해 서술한다. 개발한 MNPC 모듈을 적용한 태양광 인버터의 입력 전압 사양은 600~1000V이며, 출력은 3상 380V, 25kW로 설계하였다. 설계된 인버터의 성능은 PSIM 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.275-276
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• 2019

본 논문에서는 SiC MOSFET을 적용한 10kW급 배터리 충전장치용 3상 PWM 정류기를 개발한다. 개발한 정류기는 3상 Bridge에 IGBT를 대체할 수 있는 WBG 전력반도체 SiC MOSFET을 적용하여 스위칭 주파수 향상 및 고전력밀도를 달성하였다. 개발한 10kW급 3상 PWM 정류기의 효율 및 THD 성능을 실험을 통해 검증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.279-280
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• 2019

본 논문에서는 3KW급 전력변환장치에 적용 가능한 650V급 GaN FET를 사용하여 Half-bridge 구조의 개발보드를 설계 및 제작하고, Double pulse test 실험을 통해 Turn-on 및 off 시스위칭 특성을 분석하였다. 또한 동기정류식 Buck 컨버터에 GaN FET을 적용하고, 유사한 전압 및 전류 정격의 Si MOSFET 소자와 시스템 효율을 비교하여 GaN FET 전력반도체의 성능을 평가하였다.