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황현상
- 세라미스트
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- 제4권1호
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- pp.46-55
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- 2001
$SiO_2$ 절연막의 우수한 절연특성 및 계면 특성으로 인해 지난 40여년 간 MOSFET 소자에 사용되어 왔으나, 차세대 $0.1{\mu}m$ 소자에서는 direct tunneling에 의한 누설전류가 지나치게 증가하여 더 이상 사용되기가 어렵다. 이에 대한 대안으로 많은 연구 그룹에서 고유전율 박막에 대한 연구를 하고 있으나 아직까지 $SiO_2$와 비교할 만한 탁월한 계면특성을 가진 절연막은 개발되어 있지 않아서, 수년 내에 개발될 $0.1{\mu}m$ MOSFET 소자의 개발에 가장 심각한 기술적 문제로 지적되고 있다. 현재의 연구경향을 종합할 때, $HfO_2$, $ZrO_2$, $HfSiO_x$, $ZrSiO_x$를 이용하여 계면 공정의 최적화를 통해 1-2nm급의 절연막을 구현하고, 1nm급 이하에서는 이보다 더 높은 유전상수를 가지는 재료의 선택과 이를 epitaxy로 성장시키는 방법에 대한 연구가 필수적이다.
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천성종;박재영
- 대한전기학회:학술대회논문집
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- 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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- pp.260-261
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- 2007
본 논문에서는 800MHz와 1.9GHz 대역의 시스템에 적용할 수 있는 20dB 방향성 결합기를 8층 PCB 기판에 내장하여 소형화 및 저가화 할 수 있도록 설계하였다. 방향성 결합기는 4층과 6층에 coupled line으로 적층함으로써, 다층 PCB기판을 최대한 활용하여 공간을 최소화하였다. 또한, 고유전율을 가진 필름을 이용하여, coupled line의 끝에 내장형 고용량 커패시터를 연결하여 설계하였다. 6 $\times$ 6 $\times$ 0.7 (height)$mm^3$ 크기로 설계된 방향성 800MHz 결합기의 경우 -20dB의 coupling 특성, -0.6dB의 transmission 특성, -25dB의 isolation 특성을 나타내었다. 패키징 기판에 내장된 방향성 결합기는 단말기 및 통신시스템의 소형화에 크게 기여할 수 있을 것이다.
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정도현;이용수;이길헌;김광훈;이희우;최종선
- 한국진공학회:학술대회논문집
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- 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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- pp.40-40
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- 2000
직접 회로의 소자크기가 더욱 미세화에 따라, 기존에 사용하는 금속 배선의 저항과 금속 배선과 층간 유전 물질에 의한 정전용량의 증가로 인한 시간 지연 (RC time delay) 문제가 크게 대두되고 있다. 이 문제를 해결하기 위해 비유전율이 낮은 물질을 층간 유전체로 사용하여 정전용량을 낮추는 것이 필요하다. 기존의 실리콘 산호막 대신에 MSSQ(methylsilsequioxance)를 이용할 때 필요한 건식 식각 공정을 연구하였다. MSSQ 물질을 patterning 하기 위해 습식 공정의 부산물인 폐액 등의 문제점이 발생하지 않을 뿐만 아니라, 소자의 손상이 적고 선택비가 높으며, 식각의 이방성을 향상시킬 수 있는 장점을 갖고 있는 반응 이온 식각기(reactive ion etchin)을 이용하였다. CF4/O2 plasma를 사용하였는데, 가스의 양의 flow rate와 조성비, RF pover(50, 100, 150 W)등의 변화에 따른 식각 특성을 알아보았다. atep, SEM, AFM등을 이용하여 측정·분석하였다.
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김형린
- 월간 양돈
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- 제12권7호통권131호
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- pp.155-159
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- 1990
농장측은 모돈회전율이 2.1에서 2.4정도는 된다고 생각하고 있으나 실제,조사해보면 2.0에 훨씬 못미치는 경우도 적지 않다. 객관적인 비교를 위하여 복당 9두 이유기준으로 하여 모돈당 연간 이유자돈수에 따라 손실 자돈수를 환산해 낼수 있다
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