• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권3호
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• pp.77-82
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• 2004

본 연구에서는 고유전율(K100) 및 저유전율(K7.8) LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 그린 시트를 이종 LTCC 기판으로 동시 소성하는 경우, 고유전율 LTCC 내의 유리 분말 함유량에 따라 발생하는 수축 거동 변화가 이종 LTCC기판의 휨 특성에 미치는 영향에 대하여 평가하였다. 유리 분말 함유량의 증가에 따른 고유전율 LTCC 그린시트의 수축률 및 유전 특성을 측정하였으며, 고유전율/저유전율 비대칭형 적층체의 소결 거동을 고온 현미경을 이용하여 실시간으로 측정하였다. $50\%$ 유리가 첨가된 K100 조성의 경우 수축 개시 온도 및 수축 구간의 범위 , 최종 수축률이 K7.8 조성과 유사하였으며, 동시 소성 시 가장 우수한 휨 특성을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제12권5호
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• pp.747-754
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• 2001

영동산 일라이트의 비유전율 측정에 대해 기술한다. 비유전율을 측정하기 위해 윗면 조정이 가능한 원통형 공동 공진기가 이용되었다. 동심 유전체 봉이 삽입된 원통형 공동 공진기를 이용하는 방법과 non-decaying 모드의 정확한 전자계 표현은 비유전율을 측정하기 위해 소개되었다. 동심 유전체 봉이 삽입된 경우에 정확한 전자계 표현들을 해석하였다. 유전체가 삽입된 공진기를 이용한 비유전율의 계산은 특성방정식의 해석에 의해 계산된다. 특성방정식은 상용 수학 툴인 Mathematica의 ContourPlot 그래프 기능을 이용하여 풀이하였다. Non-decaying 모드 해석법은 근사적인 해석법이 아니라, 정확한 해석법이다. 결과적으로 바인더가 들어있는 유전체 시료에 대해서는 7.820의 비유전율이 측정되었고, 바인더가 없는 유전체 시료에 대해서는 7.894의 비유전율이 측정되었다.

• 세라미스트
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• 제8권3호
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• pp.25-30
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• 2005

최근 SOP에 대한 관심이 늘어나고 있으며 그에 따라 새로운 재료에 대한 관심도 증폭되고 있다. 예전의 단순한 신호 전달의 매개체 역할에서 벗어나 많은 수동 소자나 RF소자들을 내장하고 궁극적으로는 능동 소자까지 단일 기판위에 탑재하기 위해서는 기존의 RF 적인 전기적인 요구 특성 위에 많은 부가 특성들이 요구된다. 특히 SI이나 GaAs같은 능동 소자들과의 Assembly과정에서의 신뢰성을 확보하기 위해 낮은 선팽창 계수나 높은 탄성 계수 등의 기계적인 특성들이 요구되고 있으며 또한 점차 복잡한 회로 구조 등을 구현하기 위해 무수축이라는 새로운 공법 또한 요구되어 지고 있다. 그리고 사용주파수가 점차 높아짐에 따라 한편으로는 저유전율과 저손실의 재료가 요구되고 있으며 다른 한편으로는 embedded Capacitance의 요구에 맞춰 고유전율의 기판재료 또한 요구되어 지고 있다. 따라서 궁극적으로는 회로 구현의 목적에 따라 저유전율과 고유전율의 이종 재료의 접합이라는 문제 또한 자연스럽게 대두되고 있다. 이처럼 SoP에 대한 시장의 요구가 증가함에 따라 새로운 재료개발의 요구 또한 늘어나게 될 것으로 예상된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1477-1480
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• 2015

본 논문은 TDR(Time Domain Reflectometry)을 이용하여, 비유전율내에서 PD(Partial Discharge) 발생 시 부분방전 위치를 추적할 수 있는 한분야의 방법으로 비율전율간의 이동속도를 적용하여 PD위치를 쉽게 겁근할 수 있는 방법이다. 기존에는 절연유와 SF6 가스의 연결부에서 부분방전 발생 시 30cm/ns의 이동속도를 이용하여 위치를 추적함으로써 약 31% 오차가 발생하였다. 절연유내에서의 이동속도를 20cm/ns의 상수를 적용하여 현장에 적용결과 PD위치의 오차를 저감할 수 있었으며, PD발생 부분을 절연유와 SF6 가스구역으로 구분을 할 수가 있었으며, 이를 통하여 점검예산을 확보할 수 있는 계기가 되었다. 비유전율 상수를 이용한 이동속도를 산출하여 PD위치를 추적하는 방법을 활용하면, 기존의 PD발생위치 추적을 보다 용이하게 접근할 수 있는 방법이라 생각한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권3호
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• pp.43-48
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• 2012

마이크로파 유전체의 비유전율 측정에 널리 사용되고 있는 post resonator 기법에서 시편의 형상과 기구물의 편차 등에 의해서 발생하는 비유전율 계산의 오차요인에 대해 시뮬레이션과 시편 실측을 통해 분석하였다. HFSS 시뮬레이션을 통하여 post resonator 측정 기구물에 놓여진 유전체(유전율 38) 디스크의 $S_{21}$ 파라메터 스펙트럼을 계산하고 $TE_{011}$ 모드 공진주파수로부터 비유전율을 계산하였다. 시편의 형상비(직경D/높이H)가 0.8~1.6 사이로 변화함에 따라 계산되는 비유전율 값의 오차는 약 0.3% 이내로 미미하였다. 시편과 상하부 도체 사이에 1~10% 정도의 공극이 존재할 경우, 비유 전율은 1~10% 정도의 높은 수준으로 오차가 발생하였다. 시편이 중심부에서 벗어나서 위치하는 것은 비유전율 측정에 오차를 유발하지 않았다. 이러한 시뮬레이션 결과는 제작 샘플의 실제 측정을 통해 유사한 경향성을 확인하였다.

• Clinical and Experimental Pediatrics
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• 제48권5호
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• pp.500-505
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• 2005

목 적 : 소아 호흡기 감염의 주된 병원체인 M. pneumoniae는 일반적으로 4 내지 7년의 유행 주기를 가지는 것으로 알려져 있으나 M. pneumoniae 유행 기간 중 항체 양전율에 대한 정확한 국내 보고는 아직까지 없는 실정이다. 이에 저자들은 2003년 하반기 M. pneumoniae 유행 기간 전후로 항체 추적 검사를 시행하여 항체 양전율을 조사하고 나이, 초기 항체가, 아토피 유무가 항체 양전율에 미치는 영향을 알아보고자 본 연구를 시행하였다. 방 법 : 2003년 상반기 본원 외래를 방문하여 Mycoplasma 항체를 측정한 환아 중 혈청 항체가가 음성, 1 : 40, 1 : 80이었던 환아 191명을 대상으로 2004년 상반기에 추적 검사를 실시하였다. 추적 검사상 항체 역가가 4배 이상 증가한 경우를 항체 양전으로 정의하였고 항체 양전 여부에 따라 항체 양전군과 항체 비양전군으로 구분하였다. 혈청 항체 검사는 Serodia-Myco II 입자 응집법을 사용하여 시행하였다. 결 과 : 대상 환아들의 평균 나이는 $6.6{\pm}2.7$세였다. 남여 수는 각각 137명과 54명이었고 4세 이상 환아 중 아토피로 분류된 환아는 75명(44.6%)이었다. 대상 환아 중 항체 양전을 보인 환아는 83명(43.5%)이었다. 항체 양전군과 비양전군의 나이, 성별, 아토피 유무를 각각 비교하였을 때 두 군간의 유의한 차이는 보이지 않았다. 대상 환아들을 나이에 따라 네 군으로 나누어 비교하였을 때 각 군 사이 유의한 항체 양전율의 차이는 없었다. 초기 항체가가 음성, 1 : 40, 1 : 80이었던 환아들에서 항체 양전율은 각각 45.5%, 46.3%, 26.1%로 각 군 간 항체 양전율의 유의한 차이는 보이지 않았다. 아토피군과 비아토피군으로 나누어 비교하였을 때 항체 양전율은 각각 40.0%, 48.4%로 통계적으로 유의한 차이는 관찰되지 않았다. 결 론 : 2003년 하반기의 M. pneumoniae 유행 시기에 항체 양전율은 43.5%로 관찰되었으며 나이, 초기 항체가, 아토피 유무에 따른 항체 양전율의 차이는 없었다. 위 결과로 미루어 보아 M. pneumoniae 유행 시기에 소아 연령의 상당수에서 M. pneumoniae 감염에 이환되는 것으로 생각되며 M. pneumoniae의 혈청학적 역학 연구에 항체 양전율 조사가 유용하게 쓰일 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.181.1-181
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• 2003

• 융합정보논문지
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• 제11권9호
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• pp.94-108
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• 2021

본 연구는 재고자산회전율 변화율에 영향을 미칠 수 있는 기업의 내부적 및 외부적 요인들을 규명하는 것이다. 또한 이러한 요인들에 대하여 적절하게 관리하거나 대응하는 활동을 통하여 재고자산회전율의 변화가 급격하게 발생하지 않도록 함으로써 기업의 경영성과 및 재무적 성과를 제고할 수 있도록 하는 것이다. 이를 확인하기 위하여 매출총이익률, 현금흐름변동성, 광고비용, 물가상승여부, 환율상승여부, 경기선행지수 요인을 선정하였으며, 이들 요인이 재고자산회전율 변화율에 영향을 미칠 것으로 예측하였다. 국내 유가증권 상장, 코스닥 상장, 외감기업을 대상으로 85,878개 기업의 데이터를 확보하고 이를 활용하여 다중회귀분석을 시행하였다. 매출총이익률과 현금흐름변동성은 정(+)의 유의한 영향을 미치는 것으로, 광고비용은 부(-)의 유의한 영향을 미치는 것으로, 물가상승여부와 환율상승여부는 부(-)의 유의한 영향을 미치는 것으로, 경기선행지수는 정(+)의 유의한 영향을 미치는 것으로 검정되었다. 이를 통해 제조 기업들이 재고자산회 전율 변화율에 영향을 미칠 수 있는 요인들을 잘 이해하고 적절하게 관리함으로써 기업 경영성과 제고와 운영 효율을 달성할 수 있음을 제시하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.98-104
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• 2010

고주파수성분을 포함하는 뇌격전류나 또는 고장전류에 대한 접지시스템의 성능을 평가하기 위해 접지저항보다는 접지임피던스에 대한 고려가 필요하다. 접지임피던스를 평가하기 위해서는 토양의 저항률과 비유전율의 주파수의존성이 규명되어야 한다. 본 논문은 3가지 다른 토양에 대하여 수분함유량에 따른 저항률과 비유전율의 주파수의존성을 나타낸다. 결론적으로 토양의 저항률은 수분함유량이 증가함에 따라서 작아지게 되고, 1[MHz]보다 낮은 주파수에서 거의 변화하지 않으며 1[MHz]이상의 주파수에서는 감소한다. 반면에 비유전율은 1[MHz]이하의 주파수에서 매우 급격하게 감소하며, 1[MHz]이상의 주파수에서는 거의 변화하지 않는 것으로 나타났다. 본 실험 결과로 부터 낙뢰 또는 개폐서지에 대한 보호를 목적으로하는 접지시스템의 설계시 토양의 저항률과 비유전율을 고려하는 것이 바람직한 것으로 밝혀졌다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회
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• pp.6.1-6.1
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• 2010

원자층 증착 기술 (Atomic Layer Deposition)은 기판 표면에서 한 원자층의 화학적 흡착 및 탈착을 이용한 nano-scale 박막 증착 기술이기 때문에, 표면 반응제어가 우수하며 박막의 물리적 성질의 재현성이 우수하고, 대면적에서도 균일한 두께의 박막 형성이 가능하며 우수한 계단 도포성을 확보 할 수 있다. 최근 ALD에 의한 박막증착 방법 중 플라즈마를 이용한 ALD 증착 방법에 대한 다양한 연구가 진행되고 있다. 플라즈마는 반응성이 좋은 이온과 라디컬을 생성하여 소스간 반응성을 좋게 하여, 소스 선택의 폭을 넓어지게 하고, 박막의 성질을 좋게 하며, 생산성을 높일 수 있는 장점이 있다. 그러나 플라즈마를 사용함으로써 플라즈마 내에 이온들이 가속되서 박막 증착 중에 기판 및 박막에 손상을 입혀 박막 특성을 열화 시킬 가능성이 있다. 따라서 플라즈마 발생 영역을 기판으로부터 멀리 떨어뜨린 원거리 플라즈마 원자층 공정이 개발 되었다. 이 기술은 플라즈마에서 생성된 ion이 기판이나 박막에 닫기 전에 전자와 재결합 되거나 공정 chamber에서 소멸하여 그 영향을 최소하고 반응성이 좋은 라디칼과의 반응만을 유도하여 향상된 막질을 얻을 수 있도록 하였다. 따라서 이 원거리 플라즈마 원자층 증착기술은 나노 테크놀러지 소자 개발하기 위한 나노 박막 기술에 있어서 그 활용이 점점 확대될 것이다. 그 적용으로써 리모트 플라즈마 원자층 증착 방법을 이용한 고유전 물질 개발이 있다. 반도체 소자의 고집적화 및 고속화가 요구됨에 따라 집적회로의 크기를 혁신적으로 축소하여 스위칭 속도(switching speed)를 증가시키고, 전력손실 (power dissipation)을 줄이려는 시도가 이루어지고 있다. 그 중 하나로 고유전율 절연막은 트렌지스터 소자의 스케일링 과정에 수반하여 커지는 게이트 누설 전류를 억제하기 위한 목적으로 도입되었다. 유전율이 크면 동일한 capacitance를 내는데 필요한 물리적인 두께를 늘릴 수 있어 전자의 tunneling을 억제할 수 있고 전력손실을 줄일 수 있기 때문이다. 이와 같은 고유전율 물질이 게이트 산화막으로 사용되기 위해서 높은 유전상수 열역학적 안정성, 낮은 계면 전하밀도, 낮은 EOT, 전극 물질과의 양립성 등의 특성이 요구되는데, 이에 따라 많은 유전물질에 대한 연구가 진행되었다. 기존 gata oxide를 대체하기 위한 가장 유력한 후보 재료로 주목 받고 있는 high-k 물질들로는 Al2O3, HfO2, ZrO2, La2O3 등이 있다. 본 발표에서는 ALD의 종류에 따른 기술을 소개하고 그 응용으로 고유전율 물질 개발 연구 (고유전율 산화물 박막의 증착, 고유전율 산화물의 열적 안정성 평가, Flatband 매카니즘 규명, 전기적 물리적 특성 분석)에 대해서 발표 하고자 한다.