• ETRI Journal
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• v.11 no.3
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• pp.43-64
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• 1989

VLSI소자의 얕은 접합을 형성하기 위한 $BF_2^+$이온주입 공정시에 발생하는 결정격자의 손상및 결함의 발생과 열적 거동, 그리고 블순물의재분포 등에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. BF2' 이은주입에 의해서 형성된 실리큰 기판의비정질층 및 열처리 후에 발생한 전위환 등의결정결함을 TEM과 RBS로서 분석하였으며, 이들이 불순물의 재분포에 미치는 영향을 SIMS로서 분석, 화인하였다. RTA 열처리시, 온도변화에 따라서 boron 및 fluorine의 농도분포는비정상적민 형태를 나타내었으며 그 이유는 결정결함의 형성 및 열적거동에 의한 것으로 설명되 었다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2001.06b
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• pp.161-164
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• 2001

정상상태에서 소자 내부의 격자온도 분포를 해석할 수 있는 시뮬레이터를 제작하였다. Slotboom 변수를 사용하여 열흐름 방정식을 이산화하였다. 또한 격자온도 분포를 고려한 초기 해의 설정 방법을 제안하였다. 제안된 방법의 타당성을 검증하기 위하여 N/sup ＋ P 정합 다이오드에 대해 모의실험을 수행하여 MEDICI의 결과와 비교하였다 순방향 전압-전류 특성은 MEDICI의 결과와 비교하여 7% 이내의 최대 상대오차를 보였고 전위 분포와 온도 분포는 각각 2%, 2% 이내의 최대 상대오차를 보였다. BANDIS에서는 수렴을 위해 평균 3.7회 이하의 행렬 연산이 필요하였으며, MEDICI에서는 평균 5.1회 이하의 행렬 연산이 필요하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2014.10a
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• pp.765-768
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• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 산화막의 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 영역에서 전류를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점이 있다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였다. 이때 전하분포는 가우스분포함수를 이용하였다. 하단게이트 전압, 채널길이, 채널두께, 이온주입범위 및 분포편차를 파라미터로 하여 문턱전압 및 전도중심의 변화를 관찰한 결과, 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 채널길이 및 채널두께의 절대값보다 비에 따라 문턱전압이 변하였으며 전도중심이 상단 게이트로 이동할 때 문턱전압은 증가하였다. 또한 분포편차보단 이온주입범위에 따라 문턱전압 및 전도중심이 크게 변화하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.46 no.11
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• pp.1-7
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• 2009

In this paper, a simple analytical model for deriving the threshold voltage of a short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET is suggested. Using the iteration method, both Laplace equations in intrinsic silicon body and gate oxide are solved two-dimensionally. Obtained potential distributions in both regions are expressed in terms of fourth and fifth-order of the coordinate perpendicular to the silicon channel direction. Making use of them, the surface potential is obtained to derive the threshold voltage in a closed-form. Simulation results show the fairly accurate dependencies of the threshold voltage on the various device parameters and applied bias voltages.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.7
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• pp.9-16
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• 2008

In this paper, a simple analytical model for deriving the threshold voltage of a short-gate SOI MESFET is suggested. Using the iteration method, the Poisson equation in the fully depleted silicon channel and the Laplace equation in the buried oxide region are solved two-dimensionally, Obtained potential distributions in each region are expressed in terms of fifth-order of $\chi$, where $\chi$ denotes the coordinate perpendicular to the silicon channel direction. From them, the bottom channel potential is used to describe the threshold voltage in a closed-form. Simulation results show the dependencies of the threshold voltage on the various device geometry parameters and applied bias voltages.

• The Journal of Engineering Geology
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• v.16 no.2 s.48
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• pp.179-187
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• 2006

Two specimens of mortar containing artificial slit and Geochang granite containing the straight notch were selected to be used in this research. Source mechanism of micro-crack by radiation pattern based on dislocation the-ory was estimated by the first motion of longitudinal wave and spatial distribution between the location of transducers for monitoring acoustic emission and source coordinates determined by the application of the least square method. Result of analysis showed that the orientation of dislocation surfaces due to shear dislocation and tensile dislocation squares considerably with crack direction visually observed. The ultimate goal of this study is to provide fundamental information for source mechanism of micro-crack within materials.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.30 no.1
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• pp.71-78
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• 2023

The possibility of improving plating thickness distribution was investigated through quantitative consideration of bipolar electrodes without external power applied. By having the cathode tilted with respect to the anode, the potential distribution in the electrolyte solution adjacent to the cathode is different due to the difference in iR drop due to the path difference to the anode in each region of the cathode. The purpose of this study is to observe the bipolar characteristics in the case of an auxiliary anode for the non-uniform potential distribution of such a Hull cell. In particular, in order to evaluate the possibility of improving the non-uniform thickness distribution of the cathode by utilizing these bipolar characteristics, it was verified through experiments and simulations, and the electric potential and current density distribution around the bipolar electrode were analyzed. The electroplating in a Hull cell was performed for 75 min at a current density of 10 mA/cm², and the average thickness is about 16 ㎛. The standard deviation of the thickness was 10 ㎛ in the normal Hull cell without using the auxiliary anode, whereas it was 3.5 ㎛ in the case of using the auxiliary cathode. Simulation calculations also showed 8.9 ㎛ and 3.3 ㎛ for each condition, and it was found that the consistency between the experimental and simulation results was relatively high, and the thickness distribution could be improved through using the auxiliary anode by the bipolar phenomenon.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1998.05b
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• pp.84-89
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• 1998

Alloy 600 및 alloy 690과 Ni-8Cr-lOFe 합금 등의 응력부식(stress corrosion cracking, SCC) 거동을 고온의 염기성 분위기에서 C-ring 시편을 사용하여 연구하였다. Alloy 600과 alloy 690을 여러 조건에서 열처리하여 etching한 후 탄화물의 분포와 입계 주변의 Cr고갈 정도 등의 미세조직을 광학현미경과 주사 전자현미경(SEM)으로 관찰하였다. 이들 재료에 대한 SCC 시험을 315$^{\circ}C$의 40% NaOH 수용액에서 일정한 부하전위(부식전위 + 200㎷)를 가하면서 수행하였으며, 동일 조건에서의 분극거동도 측정하였다. Alloy 600 MA(mill anneal) 및 TT(thermal treatment)의 SCC 저항성은 alloy 690 TT와 Ni-8Cr-10Fe SA(solution anneal)보다 낮았다. Alloy 600 TT 재료는 alloy 600 MA 및 SA 재료에 비해 SCC 저항성이 더 컸다. 고용 탄소농도는 alloy 600의 SCC 저항성에 큰 영향을 주지 못했다. 대부분의 Alloy 600은 균열전파 입계균열을 보였으나, 일부에서는 입계 및 입내 혼합양상(mixed mode cracking)을 보였다. 염기성 분위기에서 Ni기 합금의 SCC 거동을 미세조직, 분극거동의 관점에서 고찰하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.8
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• pp.701-706
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• 1997

AI-2.5wt%Li 합금을 시효처리하여 시효거동과 인장성질에 미치는 $\delta$' 상의 영향을 조사하였다. $\delta$' 상의 입자 반경은 시효 시간의 1/3승에 비례하여 조대화하였다. $\delta$' 상과 기지상과의 계면에너지는 0.0073 J/$m^2$, 확산계수는 1.42$\textrm{cm}^2$/sec, 초대화 거동은 MLSW이론에 부합됨을 알 수 있었다. 미세하고 균일하게 분포한 $\delta$'상은 전반적으로 인장강도의 상승을 가져왔으며, 평형상인 $\delta$상의 석출과 이로 인한 무석출물대의 존재로 과시효시 강도가 감소하였다. 인장변형시 전위는 초전위로 아시효와 피크시효시에는 $\delta$'상을 전단하지만 과시효시에는 $\delta$'상을 전단하지 못하고 우회하여 전위루우프를 형성한다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.17 no.2
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• pp.41-48
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• 2003

To make a efficient grounding facilities, it is very important to assume electrical potential distribution and grounding resistance previously in grounded electrode circumference, when the current flow to grounded electrode. In this paper, grounding resistance analyzed from grounding surface electrical potential in grounded rectangular electrode plate is compared to grounding resistance by theoretical expression and grounding resistance measured by simulated experiment in the water tank.