• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.2
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• pp.884-886
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• 2005

In this paper, we have investigated characteristics of current-voltage for double gate MOSFET with main gate and side gate. Investigated current-voltage characteristics of channel length changed len호 of channel from 1${\mu}$m to 3${\mu}$m. Also, compare and analyzed characteristics of changed of operation temperature changing current that is dignity. gate voltage could know 2V that is superior than device characteristics of current voltage characteristic in 77K acts in room temperature when approved.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.331.1-331.1
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• 2016

내부지름이 2.0 mm 이하인 PTFE와 PE 튜브에 진공장치를 이용하여 튜브 내부의 압력을 감압하여 진공상태를 형성하였다. 진공기밀 후에 반응성 가스를 인입하여 튜브 외부에 장착된 전극을 통하여 고전압의 AC 전압을 인가하여 튜브 내부에 선택적으로 유전체 장벽 방전을 유도하였다. 본 연구에서는 유전율이 3.0 이하로 낮은 PTFE와 PE 튜브에 유전체 장벽방전이 유도될 때 나타나는 전압과 전류의 파형을 분석하여 방전의 개시와 방전의 형태를 조사하였다. 주파수 40 kHz인 AC 전원(PEII, Advanced Energy)과 Loadmatch 모듈을 이용하여 4 kV 이하의 전압을 인가하여 플라즈마 방전 유도하였다. 튜브에 인가고전압 프로브와 전류 프로브를 이용하여 오실로스코프를 I-V 분석을 실시하였고, 실험 결과 대기압 방전에서 유도되는 유전체 장벽방전의 I-V 특성과 달리 방전의 형태가 유전체장벽방전과 글로우방전이 혼합된 형태로 나타났다. 또한 유전체 장벽방전을 통해 튜브 내부에 형성되는 플라즈마에 대한 분석으로 OES 광분석을 실시하여, 방전 시간과 전압 변화에 따른 고분자 표면으로부터 방출되는 활성종에 대한 분석을 실시하였다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.11 no.3
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• pp.71-79
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• 1997

SRm의 성능에 미치는 영향은 전동기 권선을 여자하는 모드에 어는 정도 의존하며, 여자모드에 전류펄스식(전류원) 또는 접압펄스식(접압원)이 있다. SRM의 운전 특성상에서 볼 때 전류원에 의한 방법이 이상적인 전원이지만, 대용량의 사용을 위한 구성이 후자에 비하여 실혐하기가 쉽지 않고 경제적이지 못하다. 본 논문에서는 지금까지 보통 상용되고 ldT는 전압원의 대안으로 가변전압원이 고려되었다. 3가지 여자 모드에 관한 비교가 제시되고, 순시 전압과 전류 파형이 실험결과로 포함된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• summer
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• pp.773-775
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• 2004

최근 높은 임계전류를 지닌 고온초전도선재를 이용한 초전도 전력기기의 개발이 활발히 이루어지고 있다. 고온초전도선재의 임계전류는 자장에 대한 의존성을 지니고 있으며 이로 인해 고온초전도선재가 코일의 형태로써 초전도 전력기기의 개발에 이용되는 경우, 권선 방식에 따라 다른 전기적 특성을 지니게 된다. 이러한 특성은 초전도선재의 전력기기의 효율에 큰 영향을 미치므로 권선 방식에 따른 코일의 특성을 연구하는 것은 초전도선재를 이용한 전력기기의 효율을 높이는데 있어서 중요한 의미를 갖는다. 본 논문에서는 권선 방식에 따른 코일의 특성을 비교하기 위해 동일한 턴 수와 사용 선재길이를 가진 팬케이크 코일과 솔레노이드 코일을 설계, 제작하고 두 코일의 임계전류를 측정하였다. 또한 인가전류에 대한 두 코일의 전압, 저항특성과 교류손실 특성을 측정하고 비교하였다. 측정결과, 두 코일의 임계전류는 솔레노이드 코일이 109A로 팬케이크 코일에 비해 약 $36\%$ 더 높았다. 코일에 가해준 인가전류가 증가함에 따라 코일에서 발생하는 전압 중 손실에 관련된 저항성 성분의 전압이 변화하고 있음을 확인하였다. 또한 교류손실은 인가 전류의 피크값이 팬케이크 코일의 임계전류 이하인 구간에서 팬케이크 코일이 솔레노이드 코일의 교류손실보다 9배 크며, 팬케이크와 솔레노이드의 임계전류 사이에서는 8.3배 컸다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.19-20
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• 2005

고속 동작 다이오드를 제작하기 위해 Non punch trough 형 실리콘 pn 다이오드에 다양한 조건으로 양성자를 주입하고 조건에 따른 소자의 전류-전압 특성을 분석했다. 양성자 주입은 에너지를 2.32Mev, 2.55Mev, 2.97Mev 로 또, 각 에너지 조건에서 도즈를 $1\times10^{11}cm^{-2}$, $1\times10^{12}cm^{-2}$, $1\times10^{13}cm^{-2}$로 변화 시키며 수행했다. 분석 결과, 순방향 전류 5A에서 전압 강하는 1.1V로 주입하지 않은 최초 소자의 122%로 증가하였으며 역방향 항복전압은 양성자를 주입하지 않은 소자와 비슷한 값을 보였다. 소자의 역방향 회복시간은 50nsec로써 최초 소자의 20% 수준으로 감소했다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.99-101
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• 2002

개선된 FB-SOA 및 낮은 턴-오프 시간의 특성을 가지는 수평형 애노드-스위칭 사이리스터(LAST)의 고온에서의 전류-전압 특성을 연구하였다. LAST는 고온에서도 훌륭한 전류 포화 특성을 가져 개선된 FB-SOA의 특성을 보였다. 고온에서 LAST의 순방향 전압 강하는 감소되었다. 또한 LAST는 온도가 상승함에 따라 포화 전류가 감소하여. 병렬연결 동작 시에 전류 균형 특성을 기대할 수 있다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.13 no.6
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• pp.1045-1050
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• 2009

The current-voltage characteristics of solar cell has been analyzed using MicroTec in this paper. The current-voltage characteristics represents a efficiency of solar cell. The part of metal contact is doped highly, but active region is doped lowly. We have investigated the current-voltage characteristics according to variation of doping concentration from $10^{14}cm^{-3}$ to $10^{17}cm^{-3}$. We has also determined the doping concentration to obtain the maximum efficiency of solar cell, and analyzed this current-voltage characteristics.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.11a
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• pp.172-175
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• 2003

새로운 전력 반도체 소자로 주목받고 있는 MOS 구동 사이리스터 중 대 전력용으로 사용되는 EST는 높은 전류 밀도에서 게이트에 의한 전류 조절이 가능할 뿐만 아니라 다른 MOS 구동 사이리스터 소자와는 달리 전류 포화 특성을 지녀 차세대 전력 반도체로 각광 받고 있는 소자이다. 하지만 소자의 동작 시에 스냅-백 특성을 지녀 전력의 손실을 유발할 뿐만 아니라 오동작을 일으킬 가능성이 있다. 따라서 본 논문에서는 기존의 EST에서 스냅-백 특성의 제거와 저지 전압의 향상을 위해 트랜치 전극을 가지는 새로운 구조를 제안하고 게이트 전극과 캐소드 전극의 트랜치 화에 따른 특성 변화 양상을 살펴보기 위해 게이트 전극만 트랜치로 구성한 경우와 캐소드 전극만 트랜치로 구성한 경우를 시뮬레이션을 통해 해석하였다. 그 결과 기존의 EST에서 게이트 전극만을 트랜치 형태로 바꾼 경우에는 스냅-백 특성이 1.1 V의 애노드 전압과 91 A/cm2의 전류 밀도에서 발생하고 순방향 저지 모드 시의 저지 전압은 800 V로 기존의 257에 비해 월등한 전기적 특성 향상을 가져왔다. 그러나 기존의 EST에서 캐소드 전극만을 트랜치 형태로 바꾼 경우에는 스냅-백 특성이 1.72 V의 애노드 전압과 25 A/cm2의 전류 밀도에서 발생하고 순방향 저지 모드 시의 저지 전압은 613 V로 스냅-백 특성은 향상되었으나 저지 전압은 기존의 EST 보다 감소하였다. 결국 기존의 EST에서 게이트 전극만을 트랜치 전극 형태로 구성한 경우에 가장 탁월한 전기적 특성을 갖는 것으로 나타났다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.50 no.8
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• pp.285-291
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• 2013

In this paper, MOS-Capacitor and MOSFET devices with a Low Level Leakage Current of oxide thickness, channel width and length respectively were to investigate the reliability characterizations mechanism of ultra thin gate oxide films. These stress induced leakage current means leakage current caused by stress voltage. The low level leakage current in stress and transient current of thin silicon oxide films during and after low voltage has been studied from strss bias condition respectively. The stress channel currents through an oxide measured during application of constant gate voltage and the transient channel currents through the oxide measured after application of constant gate voltage. The study have been the determination of the physical processes taking place in the oxides during the low level leakage current in stress and transient current by stress bias and the use of the knowledge of the physical processes for driving operation reliability.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.5 no.3
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• pp.246-253
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• 2000

전동기의 제어기법과 제어기 등의 발달로 유도전동기는 산업용으로 널리 보급되고 있으며, 유도전동기를 고효율로 제어하기 위하여 PWM 인버터가 널리 사용되고 있다. 그리고 IGBT와 같은 고속 스위칭 소자의 발달로 인해 전압형 PWM 인버터의 스위칭 주파수가 증가가 가능하게 됐으며, 그로 인해 매우 우수한 동작 특성을 가지게 되었다. 그러나 고속 스위칭은 전압과 전류의 급격한 변화로 인해 매 스위칭마다 발생하는 고주파 성분의 커먼 모드전압과 전류를 발생하게 되고 이들은 베어링 전류와 축전압, 전도 및 방사 EMI, 기기의 절연수명 단축, 등의 악영향을 유발한다. 본 연구에서는 이러한 커먼 모드 전압과 전류에 대한 시스템 레벨 해석이 가능한 시뮬레이션 기법에 대해 실제 측정과 시뮬레이션을 통해 검정하였다. 이를 통해서 커먼 모드 전압과 전류가 PWM 인버터 시스템의 각 부에 미치는 영향을 쉽게 확인 할 수 있으며, 커먼 모드 전압과 전류의 저감을 위해 추가될 수 있는 부가적인 보조회로의 영향에 대해서도 제시된 시뮬레이션 기법을 통해 확인 할 수 있다.