• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.21 no.4
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• pp.58-64
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• 1984

A simple model for the impurity profile in an ion-implanted channel layer of an enhancement type IGFET is assumed and a simple expression for the threshold voltage derived by using the assumed impurity profile is analyzed in detail. Also, this simple model is applied to simulating the substrate bias dependence of its threshold voltage. Excellent agreement is obtained between theory and experiment on n-channel devices. The error range of threshold voltage between gaussian-profile and box-profile is calculated in this paper and a new method of calculating the depth of ion-implanted Baler D is also introduced.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.4
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• pp.9-14
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• 2004

This paper reports the measurement and analysis of the short channel effects and the punchthrough voltage of SOI-MOSFET with a self-aligned ground plane electrode in the silicon mechanical substrate underneath the buried oxide. When the channel length is reduced below 0.2${\mu}{\textrm}{m}$ it is observed that the threshold voltage roll-off and the subthreshold swing with channel length are reduced and DIBL is improved more significantly in GP-SOI devices than FD-SOI devices. It is also observed from the dependence of threshold voltage with substrate biases that the body factor is a higher in GP-SOI devices than FD-SOI devices. From the measurement results of punchthrough voltage, GP-SOI devices show the higher punchthrough voltages than FD-SOI devices

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.3
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• pp.54-59
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• 2008

A highly accurate wide swing BiCMOS cascode current mirror is proposed. It uses the base-current compensated BJT current mirror. It increases both output impedance and output voltage range by using the npn-NMOS cascode instead of the NMOS-NMOS cascode. The npn transistor copies the input current and the NMOS transistor increases the output impedance for the accurate current mirroring. The proposed current mirror achieves highly constant current for wide output voltage range. Simulation results were verified with measurements performed on a fabricated chip using a 5/16V 0.5um BCD process. It has only $-2.5%{\sim}1.0%$ current error for $0.3V{\sim}16V$ output voltage range.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.408-408
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• 2010

현재 AC-PDP에서는 이온 sputtering 으로부터 유전층을 보호하기 위하여 유전체 위에 MgO 박막을 증착하여 사용하고 있으며 MgO 박막은 높은 2차 전자 방출 계수와 내 sputtering 특성을 가지고 있다. MgO 박막은 증착 조건에 따라 각각 다른 방전특성을 가지는 것으로 널리 알려져 있어 본 실험에서는 MgO 박막을 증착하는데 사용하는 pellet의 크기를 변화시켜가면서 MgO박막을 증착하여 그에 따른 방전특성을 고찰해 보았다. 각각의 MgO pellet의 크기는 1.5, 0.5 mm 와 60 um이며, 기존의 MgO pellet의 크기는 6 mm 이다. MgO pellet 을 E-beam evaporation 방법으로 증착하여 최적화된 test panel을 제작하였다. 제작된 test panel의 방전 전압 특성을 측정하였으며, 실험 결과 AC-PDP의 면방전 구동 시 MgO pellet의 크기가 작아짐에 따라 방전 개시 전압과 방전 유지 전압이 약 11 %, 16 % 감소하였다. 그러나 MgO pellet의 크기가 60 um 경우의 방전 개시 전압은 MgO pellet의 크기가 0.5 경우의 방전 개시 전압과 차이가 없었다. 이는 MgO 증착시에 사용되는 pellet은 적정의 크기가 있는 것으로 보인다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2022.10a
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• pp.118-120
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• 2022

This paper investigated the change of threshold voltage according to the influence of work-function variation (WFV) of metal gate in the device structure of monolithic 3-dimension inverter (M3DINV). In addition, in order to investigate the change in threshold voltage according to the electrical coupling of the NMOS stacked on the PMOS, the gate voltages of PMOS were applied as 0 and 1 V and then the electrical coupling was investigated. The average change in threshold voltage was measured to be 0.1684 V, and they standard deviation was 0.00079 V.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2000.06b
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• pp.44-47
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• 2000

본 연구는 α-Si:H TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)를 대체 할 펜타센을 활성층으로 사용하는 박막 트랜지스터를 제작에 관한 것이다. 유기 박막 트랜지스터는 유기발광소자와 함께 유연한 디스플레이에 응용된다. 펜타센 박막 트랜지스터의 제작은 채널 길이 25㎛, 70㎛, 소스, 드레인, 게이트 전극으로 Au을 lift off 공정으로 제작하였으며, 펜타센은 OMBD(Organic Molecular Beam Deposition)로 기판온도를 80℃로 유지하여 증착하였다. 제작된 소자로부터 트랜지스터 전류-전압 특성곡선을 측정하였고, 게이트에 의한 채널의 전도도가 조절됨을 확인하였다. 그리고, 전달특성곡선으로부터 문턱전압과 전계효과 이동도를 추출하였다.

• The Magazine of the IEIE
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• v.37 no.8
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• pp.86-94
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• 2010

본 논문에서는 전류 제어 방식을 갖는 DC-DC 변환기에 사용되는 기울기 보상회로에 있어서 가변적으로 동작하는 기울기 보상회로를 제안하였다. 시비율이 50% 이상으로 동작하는 DC-DC 변환기의 시스템의 안정도를 유지하기 위해서는, 램프 기울기 보상회로가 반드시 필요하다. 고정적인 기울기의 보상은 동작 범위를 제한하게 된다. 제안된 가변 기울기 보상회로는 넓은 범위의 입력 전압과 출력 전압에 적합하도록 설계 되었으며, LED 드라이버 응용분야에 적용하기 위한 DC-DC 변환기에 사용되었다. 동작을 검증하기 위하여, 0.35-um BDC 공정으로 회로를 제작하여 측정하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.1-6
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• 2016

태양광발전, 풍력발전등의 분산형 전원의 보급, 전력전자기기의 보급 확대, 부하설비의 다양화등에 의해, 교류 계통의 전력품질에 대한 관심이 높아지고 있다. 전력품질로서 지금까지 전압, 주파수, 평균정전회수, 정전시간, 순간전압강하, 고조파에 주안점을 두고 있었다. 여기서는 전력품질 국제규격의 현재의 적용규격과 장래의 발전방향에 대하여 비교, 검토한 사례를 소개하고자 한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.91-92
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• 2016

본 논문에서는 1:3:9의 비대칭 입력전원을 갖는 H-bridge 모듈 3개를 직렬 결합하여 27-레벨의 단상 220V 출력전압을 생성할 수 있는 가정용 멀티레벨인버터 기반 PCS 시제품을 개발하였다. 가정용 멀티레벨인버터의 부하별 출력전압 및 출력전류, 전력변환 효율과 THD를 측정, 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.30-31
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• 2009

전하가 다른 두 종류의 토너입자를 ITO 기판에 격벽 높이의 차이를 두어 제작한 패널을 사용하였다. 토너입자를 충전할 때 동일한 격벽 높이의 패널을 사용하는 것과 서로 다른 패널을 사용하여 합착, 2가지 type을 제작하였다. 제작된 패널을 전압별로 구동하고 각 구동전압에서의 광특성을 측정하였다. 셀 내부에 충전되어 있는 입자보다 운동량이 적은, 즉 셀 내부에서도 격벽 표면에 흡착되어 있는 토너입자들이 구동과 광특성에 어떠한 영향을 미치는지 평가하였다.