• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.2138_2139
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• 2009

본 논문은 ZnO 바리스터에 10/350${\mu}s$ 서지전류를 인가하였을 때 서지전류의 크기와 인가횟수에 따른 바리스터의 제한 전압에 미치는 영향에 관한 것으로 동일한 사양의 시료에 서지의 크기를 다르게 하여 바리스터가 소손될 때 까지 인가하였으며 그 때의 전압을 각각 측정하였다. 그 결과 10/350${\mu}s$ 서지전류의 크기가 증가함에 따라 제한 전압의 크기는 증가하였고 바리스터가 소손되기까지의 서지인가횟수는 감소하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.11a
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• pp.27-28
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• 2012

본 논문에서는 수퍼커패시터 에너지 저장장치의 동작을 예측할 수 있는 시뮬레이터를 구현하고 실험하였으며, 수퍼커패시터 시뮬레이터의 동작 및 제어 방법에 대하여 서술한다. 수퍼커패시터는 수초에서 수분 내의 동작 시간을 가지고 있기에 수퍼커패시터의 충전 또는 방전 동작은 빠른 시간에 이루어지게 된다. 충 방전 수행에 따라 증감되는 수퍼커패시터의 전압을 예측하여 제어하는 수퍼커패시터 시뮬레이터를 제안한다. 수퍼커패시터 시뮬레이터 동작은 대기모드인 CV모드와 충 방전모드인 SC모드로 구분된다. CV모드에서는 충 방전모드가 수행되지 않기에 수퍼커패시터 시뮬레이터가 대기하고 있는 상태이고, SC모드에서는 충 방전 동작이 수행됨에 따라 수퍼커패시터의 전압이 변화되는데 증감되는 전압의 크기를 제어하는 알고리즘이 필요하다. 충 방전 시 발생하는 DC 전류를 측정하여 계산과정을 통해 수퍼커패시터에서 변화되는 전압을 예측하여 SC모드에서 충 방전이 안정적으로 동작함을 실험을 통해 확인하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.11a
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• pp.3-5
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• 2005

Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해 항복전압이 증가하고 누설 전류가 감소한 수평방향 GaN 쇼트키 장벽 다이오드를 제작하였다. 산화 과정 후, 턴-온 전압이 미세하게 증가하였으며 높은 애노드 전압하에서 애노드 전류가 증가하였다. 5분과 10분의 산화 과정 후, 누설 전류는 1nA 이하 수준으로 현저히 감소하였다. Edge Termination 방법으로 Floating Metal Ring을 사용하고, 산화 과정을 적용하여 제안된 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 항복전압은 750볼트의 큰 값을 얻을 수 있었다. 상온과 $125^{\circ}C$ 에서 제작한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 회복 파형도 측정하였으며, 제작한 소자는 매우 빠른 역방향 회복 특성을 보였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.11a
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• pp.172-175
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• 2005

a-Si TFT는 TFT-LCD의 화소 스위칭(swiching) 소자로 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 a-Si을 이용하여 gate drive IC를 기판에 집적하는 기술이 연구, 적용되고 있는데 이때 가장 큰 제약은 문턱 전압의 이동이다. 펄스(pulse)형태로 인가되는 gate 전압에 의한 문턱 전압 이동은 a-Si:H gate에 인가되는 펄스의 크기, duty cycle, drain pulse의 크기 및 동작 온도에 기인하며 실험결과를 통해 입증된다. 초기의 DC Stress 측정 Data를 이용하여 문턱전압이동을 모델링/시뮬레이션한 결과 a-Si:H gate 회로설계 및 펄스 조건에 따라 stress시간에 따른 gate의 출력 파형 예측이 가능하고 상온에서 Von=21V를 인가한 결과, 약 4년후에서 시프트레지스터 출력 파형이 열화되기 시작한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1064-1065
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• 2015

단상 계통 연계형 전력 변환기에서 계통과 연계하기 위해서는 계통의 위상 정보를 정확히 측정하여 전력 변환기의 출력 주파수와 위상이 동일한 상태로 전류가 공급 되도록 해야 한다. 본 논문에서는 단상 d-q 좌표 변환 기법을 통한 위상 동기화 기법을 적용하여 왜곡된 계통전압이 d축 전압에 야기 되는 에러 성분을 최소화 하는 보상 기법을 제안한다. 제안된 기법은 동기 d축 전압을 일정한 주기로 적분하여 에러 성분을 최소화 한 후, PI제어를 통해 d축 전압을 0으로 수렴하게 하는 기법이다. 제안된 기법은 추가적인 하드웨어를 요구하지 않는다. 본 논문의 타당성을 검증하기 위해 3[kW]급 단상 계통 연계형 전력변환기 시작품을 제작하고 실험을 통해 증명하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2001.05a
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• pp.479-482
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• 2001

We have measured terahertz electromagnetic pulses when DC voltage from V up to 90V is applied to the transmitter chip excited by femto-second laser pulse. The femto-second excitation laser pulse was injected to transmitter chip. Finally, we are observed the amplitude of electromagnetic pulse and variation of spectrum. Consequently, the amplitude of spectrum was increased to high frequency according to increase of voltage. At that time, the signal-to-noise rate(SNR) is increased from 250:1 to 10, 000:1.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2006.06a
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• pp.216-218
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• 2006

본 논문에서는 연료전지용 듀얼 부스트 컨버터의 전압제어루프의 피드백 루프에 디지털 필터를 도입하여 부하에 의해 발생하는 출력전압의 저고조파 리플성분을 제거한 측정값을 사용함으로써 입력전류의 저고조파 리플을 제거하고, 전류제어루프에 predictive deadbeat 제어기법을 적용하여 제어주기와 제어알고리듬 계산에 의한 시간적 지연에 의해 발생되는 동적응답특성의 저하를 최소화한다. 센서를 사용하는 대신 연료전지 스택에 공급되는 수소와 공기의 압력과 스택의 출력전류에 결정되는 연료전지의 전압-전류 특성곡선을 이용하여 부스터 컨버터의 입력전압을 계산하고 전류를 제어함으로써 연료전지 시스템의 성능을 최적화한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07a
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• pp.375-377
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• 2003

수용가에게 영향을 끼치는 전력품질 문제를 다루기 위해서는 3상 전압변동, 전압불평형, 순간전압상승(Swell), 순간전압강하(Sag), 순간정전(Interruption)등의 발생시 측정된 Data들을 근간으로 하여 전력품질을 분석할 필요가 있다. 본 논문에서는 이를 위해 개발된 PQMS DataBase 분석프로그램을 소개하기로 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.293-295
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• 2005

산업현장에서 많이 사용되고 있는 전력기기의 이상 발생에는 여러 가지 원인이 있을 수 있다. 어떤 경우든 사고로 진전되면 경제적, 인적 손실이 발생된다. 본 논문은 GIS 및 많은 전력기기에서 사용되고 있는 절연매체인 $SF_6$의 인가되는 전압의 종류에 따라 저온에서의 절연파괴 특성을 알아보기 위해 모의 GIS 장치에 교류 전압 및 부극성 직류 전압 등 전원의 종류를 달리 하면서 각각의 전원 종류에 대한 $SF_6$가스의 절연파괴 전압을 측정하였다. 본 연구 결과는 SF6가스를 절연매체로 이용하는 전력기기를 혹한지역의 전력계통에서 사용할 때 전원의 종류에 따른 절연설계에 중요한 자료가 될 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2004.05a
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• pp.248-252
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• 2004

본 연구에서는 새로 고안된 NOT 논리를 포함한 방전 AND gate의 방전특성에 대해 고찰하고 동작 특성을 해석하였다. 새로 고안된 방전 AND gate는 방전 경로에 따른 전극사이의 전압의 변화로 AND 출력을 유도한다. 측정결과 AND 출력은 A전극의 A1전압과 B전극 전압의 상호 관계에 영향을 받는다는 것을 알았다. 또한 AND 출력을 위한 DC priming 방전은 방전 후 $30{\mu}s$ 정도까지 영향을 미치며 방전 강도는 AND gate의 특성에 영향을 주지 않는다는 것을 알았다. 시험결과를 통해 AND gate를 구성하는 각 전극 전압의 최적 값을 얻었으며 기존의 연구 결과보다 안정적인 AND 동작을 확인하였다.