• 제목/요약/키워드: 전압종속 전압소스

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밀폐박스 상태의 가상 라우드스피커 매개변수 규명법 및 개선된 밀폐박스 모델링 (Parameters Estimation for Pseudo Loudspeaker attached to Closed-Box and Enhanced Closed-Box Modeling)

  • 박석태
    • 한국소음진동공학회논문집
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    • 제17권10호
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    • pp.983-992
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    • 2007
  • It was proposed to identify Thiele Small Parameters for loudspeaker attached to closed-box using known dynamic mass of moving parts. Also, enhanced PSPICE circuit model for closed-box loudspeaker system was proposed to more accurately simulate real closed-box loudspeaker system. Frequency dependent parameters were used to model voice coil inductor. Acoustic pressure response curves and electrical impedance curves were simulated and investigated by PSPICE circuit model according to compensation filter's parameters. Finally, proposed method is expected to be utilized for identification of pseudo Thiele Small parameters of microspeaker.

PSPICE를 이용한 개선된 벤트박스 스피커 시스템 모델링 (Enhanced PSPICE Circuit Model for Vented-Box Loudspeaker System)

  • 박석태
    • 한국소음진동공학회논문집
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    • 제17권8호
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    • pp.757-765
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    • 2007
  • Enhanced PSPICE circuit model for vented-box loudspeaker system with lumped parameters was proposed to more accurately simulate real vented-box loudspeaker system. Frequency dependent parameters were used to model voice coil inductor. Acoustic pressure response curves and electrical impedance curves were simulated and investigated by PSPICE circuit model according to circuit parameters' variations. Finally, it was used to identify faults detection in woofers manufactured by unskilled persons.

드레인 전압 종속 게이트-벌크 MOSFET 캐패시턴스 추출 데이터를 사용한 측면 채널 도핑 분포 측정 (Lateral Channel Doping Profile Measurements Using Extraction Data of Drain Voltage-Dependent Gate-Bulk MOSFET Capacitance)

  • 최민권;김주영;이성현
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제48권10호
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    • pp.62-66
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    • 2011
  • 본 연구에서는 측정된 S-파라미터를 사용하여 드레인-소스 전압 Vds에 무관한 게이트-소스 overlap 캐패시턴스를 추출하고, 이를 바탕으로 deep-submicron MOSFET의 Vds 종속 게이트-벌크 캐패시턴스 곡선을 추출하는 RF 방법이 새롭게 개발 되었다. 추출된 캐패시턴스 값들을 사용한 등가회로 모델과 측정된 데이터가 잘 일치하는 것을 관찰함으로써 추출방법의 정확도가 검증되었다. 추출된 데이터로부터 overlap과 depletion 길이의 Vds 종속 곡선이 얻어졌으며, 이를 통해 drain 영역의 채널 도핑 분포를 실험적으로 측정하였다.

Sub-0.1㎛ MOSFET의 게이트전압 종속 캐리어 속도를 위한 정확한 RF 추출 방법 (Accurate RF Extraction Method for Gate Voltage-Dependent Carrier Velocity of Sub-0.1㎛ MOSFETs in the Saturation Region)

  • 이성현
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권9호
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    • pp.55-59
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    • 2013
  • Sub-$0.1{\mu}m$로 스케일이 감소함에 따라 기생 저항 효과가 크게 발생되는 dc Ids 측정 데이터 없이 측정 S-파라미터로부터 얻어진 RF Ids를 사용하여 벌크 MOSFET의 포화영역에서 게이트 전압 종속 유효 캐리어 속도를 추출하는 새로운 방법이 개발되었다. 이 방법은 바이어스 종속 기생 게이트-소스 캐패시턴스와 유효 채널 길이의 복잡한 추출 없이 포화영역의 유효 캐리어 속도를 추출할 수 있게 한다. 이러한 RF 기술을 사용하여 벌크 포화 속도를 초과하는 전자 속도 overshoot 현상이 $0.065{\mu}m$ 게이트 길이의 벌크 N-MOSFET에서 관찰되었다.