본 논문에서는 대면적 플라즈마 사인 보드 제어를 위한 저소비 전력용 인버터를 개발하였다. 이 인버터는 215*86mm 사이즈로 인가전압 220V, 출력전압 1200V, 스위칭 주파수 20KHz, 소비전력 50W 급인 인버터를 역률개선회로 PFC(Power Factor Correction)를 적용하여 리플을 줄이고 안정적인 전압 공급, 전체 전류 정격감소, 회생전압 상승분 억제, 유니버설 입력범위에서 동작 가능하게 만들었다. 고전압트랜스를 4개를 집적화 하였으며 전력 소비 전류가 감소되면서 온도가 상승되는 것을 막을 수 있었고 전자파도 줄일 수 있음을 보였다.
3상 4선식 배선 라인에서 중성선이 탈락할 경우 부하측의 중선선에 연결된 일부의 부하측 전압은 급상승하게 되고 이로 인한 피해가 많으므로 본 연구에서는 배전라인의 점검시 또는 접촉 불량에 의하여 발생할 수 있는 중성선의 탈락을 순간 감지하고 이를 보상하여 별도로 중성선을 생성하여 새로운 중성선을 순간 제공함으로서 중성선 탈락에 의한 피해를 최대한 억제하고자 하는 것이다. 이로 인하여 부하측의 전압상승에 의한 전기적 재해를 사전에 미리 예방이 가능한 효과도 있게 된다.
본 논문에서는 저가의 3상 전압형 인버터를 개발하기 위하여, 시스템에 최적화된 전력 변환 장치로 설계하고 이 때 산업 사회에서 요구하는 수명을 만족하기위해 실시간으로 전력 손실을 감시하여 전력 반도체의 수명을 보장하고, 소손 시 분석을 용이하게 하기위하여 소손 모드를 패턴 화 하였다. 전력반도체 열 손실의 이상 유무를 평균 전류 혹은 평균 손실을 이용하여 계산된 온도 상승 기울기와 방열판에서 실측된 온도 상승 기울기와 비교하여 일정 범위 내에 존재함을 확인함으로서 그 가능성을 실험을 통하여 확인하였다.
본 논문에서는 단상 무정전 전원공급 장치의 성능시험을 위한 새로운 방식의 전압변동 발생기를 제안하였다. 제안한 방식의 컨버터는 정상적으로 공급되는 상용전원으로부터 순시접압강하, 순시전압상승, 순간정전 등을 발생시켜서 시험하고자 하는 단상 무정전 정원공급 장체에 인가할 수 있다. 제안한 발생기의 구조는 매우 간단하며 경제적이고 전압변동을 발생시키기 위한 제어방식 또한 간단하여 신뢰도와 효율이 높은 장점을 갖는다. 제안한 방식에 대한 회로분석과 동작원리를 기술하였으며 제안한 방식의 타당성을 컴퓨터 시뮬레이션과 실험을 통하여 확인하였다.
본 논문에서는 종전의 3상 PWM 컨버터의 문제점을 극복하기 위하여, 시스템의 간소화, 안정화, 비용 상승을 고려하여 3상 Z-소스 PWM 컨버터의 전원전압 센서리스 제어 기법을 제안하였다. 제안한 컨버터는 입력 단 전원전압 센서 없이 입력전류 센서와 DC-link단 전압센서만을 이용하여 전원전압을 추종하고 단위역률을 구현하였으며, 이를 PSIM 시뮬레이션을 통하여 검증 하였다.
전자빔 플라즈마는 전자 소스 부분, 전자 가속 부분, 전자빔 플라즈마 생성 부분으로 구성되어 있다. Hollow cathode형태의 전극과 anode역할을 하는 안쪽 그리드로 DC방전을 일으켜 전자를 발생시키고 안쪽 그리드와 바깥쪽 그리드 사이의 전압차이로 전자를 가속시킨다. 가속된 전자는 중성 가스와 비탄성 충돌을 하게 되어 플라즈마가 생성이 된다. 이러한 방식으로 생성된 전자빔 플라즈마는 플라즈마 형성 공간에 전기장이 없어 전자가 에너지를 얻을 수 없으며, 중성가스와 비탄성 충돌로 인해 에너지를 쉽게 잃기 때문에 전자 온도가 낮게 유지가 된다. 일반적으로 바깥쪽 그리드는 접지를 시켜 전자빔 플라즈마를 발생시키지만, DC 전원을 연결하여 양의 전압을 걸어주면 전자빔 플라즈마의 밀도는 크게 변하지 않고 전자 온도가 급격히 상승하게 된다. Ar 전자빔 플라즈마의 경우 바깥쪽 그리드가 접지에 연결되었을 경우 전자 온도는 0.5eV 정도인 것에 비해 바깥쪽 그리드에 20V DC전압을 걸어주면 전자 온도가 1eV 정도로 크게 증가를 한다. 그 이유는 바깥쪽 그리드 전압의 영향으로 전자빔 플라즈마 전위가 상승하게 되고 그 결과 높은 에너지를 가진 전자가 플라즈마 전위에 갇히게 되기 때문이다.
일반적으로 상용주파수에서의 대지는 입력전류의 크기에 따라 일정한 저항체로 다루어 질 수 있으며, 접지도체 임피던스도 무시할 수 있고 접지도체 전체가 등전위로 볼 수 있다. 그러나 써어지 전류 유입시에는 주파수가 수백 MHz 이므로 접지도체 임피던스에 의한 전압강하가 크게 될 뿐 아니라 써어지 전류 유입점의 도체전위가 매우 많이 상승하게 된다. 따라서, 본 논문에서는 운전중인 변전소 안전측면에서 접지임피던스와 보폭 및 접촉전압 등의 위험전압측정을 통한 안전성을 검토하였다.
본 논문에서는 대기상태에서 불평등 전계를 형성하는 봉대봉 전극사이에 절연판 장벽을 삽입하였을 때 절연특성이 개선되는 장벽효과를 실험적으로 연구하였다. 본 실험에서 전극사이에 각각 절연 장벽을 삽입하였을 때와 삽입하지 않았을 때의 섬락정압을 측정하고 또 여러 종류의 장벽 재료에 대해 장벽의 높이와 두께를 변화 시켰을 때의 섬락전압을 측정함으로써 장벽효과를 연구 검토하였다. 실험결과, 절연체 장벽을 각각 삽입하였을 때와 삽입하지 않았을 때의 섬락전압의 비는 1.3-2.0 정도임을 확인하였고 또한 장벽의 높이가 전극간 거리와 같아질 때까지는 섬락전압이 상승하였으나 그 이상일 때에는 변화하지 않음을 알 수 있었다. 또 장벽이 두꺼울수록, 장벽 재료의 유전율이 작아질수록 섬락정압이 상승하였다.
최근 대형 FPD로 주목받고 있는 PDP는 높은 방전개시전압과 투명전극인 ITO를 사용함으로서 가격이 상승하는 문제점이 있다. 그래서 본 논문에서는 ITO전극 대신 금속(Ag) BUS전극을 사용해 저가격화를 이룰 수 있는 Fence전극구조에 Floating전극을 도입함으로서 방전개시전압을 낮추고 효율을 개선할 수 있는 새로운 Fence전극구조를 제안하였다. 실험은 reference와 제안된 구조로 구성되어 있는 4-inch AC PDP에 Test Panel을 직접 제작하여 firing voltage, discharge current, luminanace, luminous efficiency를 측정하여 비교하였다. 제안된 구조는 방전개시전압이 최대 20V감소하고 방전전류가 최대 17%감소하였고 효율면에서도 최대 13%의 상승을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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