Kim, Gi-Taek;Yang, Won-Gyun;Lee, Seung-Hun;Kim, Do-Geun;Kim, Jong-Guk
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.254-254
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2013
마그네트론 스퍼터링은 그 단순한 구조로 인하여 신뢰성과 확장성이 높은 기술이다, 이로 인해 DLC, ITO 등의 산업 분야에서 많이 사용하는 박막 공정 기술이다. 하지만 인듐과 같은 희토류 금속의 가격이 최근 상승함에 따라 나타난 낮은 타겟 효율성의 문제와 낮은 파워 밀도로 인한 기판의 추가적인 bias 추가에 따른 비용상승, 그리고 reactive 스퍼터링 시 낮은 증착률 등의 문제점들 또한 존재한다. 이러한 단점들을 해결하기 위해 많은 연구들이 이루어 졌으며, 높은 파워 밀도를 위해 High power Impulse Plasma Magnetron Sputtering (HIPIMS) 기술과 타겟 사용률을 높이기 위한 High Target Utilization Sputtering (HITUS) 등의 기술 등이 개발되었다. 본 연구에서는 직류 전원을 사용한 High density Plasma Sputtering System (HIPASS)이라 명하는 고밀도 원거리 플라즈마 소스를 이용한 스퍼터링 이용해 증착한 박막의 특성을 연구 하였다. Hollow cathode discharge에서 발생한 고밀도 플라즈마가 외부 유도 자장 코일에 의하여 타겟 표면까지 도달하게 되며, 스퍼터링 타겟의 고전압 bias에 의해 플라즈마 이온들이 가속이 이루어져 스퍼터링 공정이 이루어 지게 된다. 본 연구의 공정에서 타겟 사용 효율은 최대 90%까지 이며, 원거리 플라즈마 소스에서의 이온으로 스퍼터링을 실시함으로 인해 스퍼터링 전압과 전류의 독립적인 조절이 가능 하다. 본 연구에서 HIPASS을 이용하여 기판에 추가적인 전압 인가 없이 Ti 타겟과 아르곤/질소 혼합가스를 사용하여 TiN 박막을 증착 하였다. TiN의 증착률은 약 44 nm/min였으며, 이 박막의 XRD 분석 결과 TiN (111), (200), (220) 면들이 관찰이 되었다. 높은 스퍼터링 입자 에너지에서 증착 된 TiN 박막에서 우선적으로 나타나는(200)과 (220) 면들이, 본 실험에서는 기판에 추가적인 전압인가 없이도 우선방위 성장을 보였다. 이 박막의 micro-hardness 측정 결과 약 34.7 GPa이며, 이는 UBM 이나 HIPIMS에서 보여주는 결과에 준하거나 그 이상의 수치이다. 이와 같은 결과는 본 연구에서 사용한 HIPASS 증착 공정이 높은 스퍼터링 입자 에너지를 가지기에 고밀도의 TiN 박막이 증착 된 결과로 볼 수 있다.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.17
no.3
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pp.119-126
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2003
The size of low voltage level conductor cables can be installed with a long length just like a aviation field, shall be determined for considering the ampacity of cable and the drop of voltage for the power system. Therefore, The size of the conductor cables may be larger one for considering the tolerable voltage drop comparatively, although the allowable ampacity of the conductor cables may have a margin in comparison with the rated full load current In this case, the conductor cables' allowable ampacity will be very larger than the rated full load current and the generated heat of the conductor will be relatively downed. The conductor cables' alternating current resistance corrected with the maximum allowable temperature of the conductors, has been applied on the general formula for the calculating the voltage drop in determinating the size of low voltage level conductor cables, and the resistance is larger than the resistance corrected with the actual temperature of the conductor cables. This paper was studied for the purpose of the conductor resistance corrected with the actual temperature rise of the conductor and address the economic design formula so that this studies shall minimize the errors which can be occurred in comparison with the general formula and which can be applied in design work for determining the size of low voltage level conductor cables.
최근 신재생에너지에 대한 관심이 높아지면서 에너지 저장 장치로 친환경적인 2차 전지가 전기 에너지 저장 매체로 관심을 받고 있다. 2차 전지는 다양한 전자기기의 구동전원으로 널리 사용되고 있다. 2차 전지의 수명은 충방전과 관련이 있으며, 특히 니켈 수소 전지의 경우 과충전에 의한 온도 상승은 배터리 수명에 직접적인 영향을 준다. 경제성을 고려할 때 2차 전지는 배터리 관리 시스템을 필요로 하며, 충방전 전압과 전류 및 온도를 고려하여 충방전이 제어 되어야 한다. 본 논문은 범용 프로세서와 전압 전류 센서 및 온도센서를 사용하여 배터리의 자동 충방전 데이터 수집장치를 개발에 관한 것이다. 충방전 전압은 0.5V에서 15V까지 설정이 가능하도록 설계하였다. 제작된 장치로 충방전에 따른 배터리의 온도 변화가 측정 및 분석 가능 하였으며, 배터리 전압은 5mV 단위로 충방전이 가능함을 확인하였다.
초전도 한류 소자의 퀜치 특성은 인가 전압의 크기와 시간에 의존한다. 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 박막 형태로 증착된 Au/YBCO의 퀜치 거동을 조사하기 위하여 임의 시간의 고장전류를 인가하고 이 때 발생하는 온도를 검출하여 그 특성을 조사하였다. 시험에 사용된 한류소자는 Au/YBCO/사파이어 기판으로 구성되었으며, 길이 19cm, 폭 2 cm의 stripe 형태를 갖는 초전도 박막이었다. 임계전류는 200A이며 6 주기 동안의 전압인가에 대하여 6 V/cm (상승온도 250 K 기준)의 정격전압을 보였다. 이러한 특성을 갖는 한류소자의 한류 시 온도증가를 조사하기 위하여 한류소자의 뒷면에는 은 박막을 적절한 패턴으로 증착하여 온도 센서로 사용하였으며, 이를 통하여 퀜치 거동을 파악하고자 하였다. 실험 결과, 한류 소자 양단에 250 V의 전압을 인가하고 2 ms 동안 사고 전류를 인가하였을 때, 초전도 박막의 온도는 154 K까지 증가하였으며 다시 초전도성을 회복하기까지의 시간은 약 420 ms가 소요됨을 확인할 수 있었다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2017.05a
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pp.151.2-151.2
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2017
본 연구에서는 정전류 조건에서 알루미늄 합금의 PEO(Plasma Electrolytic Oxidation) 피막 형성 거동에 미치는 전해질 내 cation($K^+$, $Na^+$)의 영향을 아크 발생 양상, 전압-시간 곡선 및 형성된 표면피막 구조를 관찰하여 연구하였다. 전해질은 0.5 M NaOH + 1 M $Na_2SiO_3$ 수용액과 0.5 M KOH + 1 M $Na_2SiO_3$ 수용액이 사용되었다. 아크 발생은 cation의 종류에 상관없이 동일하게 가장자리부터 시작되어 내부로 이동함으로써 전 표면에 걸쳐서 일어났다. 전 표면에서 PEO 피막이 형성된 이후에는 한 지점에서 지속적으로 아크가 발생하는 로컬버닝 현상이 두 용액에서 모두 관찰되었으나 $K^+$이온이 포함된 용액에서 로컬버닝이 빠르게 일어났다. 시편표면에서 아크가 발생하는 동안 중 각 전해액에서의 전압-시간 곡선에서 전압의 상승과 하강이 반복되는 거동이 동일하게 관찰되었다. 이러한 전압 등락의 크기는 $K^+$ 이온이 포함된 수용액에서 더 크게 나타났으며, 그 결과 표면 거칠기가 상대적으로 더 높은 PEO 피막이 형성되었다.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.3
no.1
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pp.36-45
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1998
A simple source voltage clamped resonant link (SVCRL) inverter is proposed to clamp the DC link voltage to the input source voltage and reduce the current rating of resonant inductor. The current control of a permanent magnet synchronous motor (PMSM) using a predictive current control technique (PCCT) employing the SVCRL inverter is also investigated to overcome the disadvantage of the current regulated delta modulation (CRDM) control technique. By using the PCCT based on the discrete model of a PMSM and estimation of back EMF, the minimized current ripple with small number of switchings can be obtained. Finally, the comparative computer simulation and experimental results are given to show the usefulness of the proposed technique.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.21
no.2
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pp.9-14
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2007
Recently, in order to improve the characteristics of operating voltage, brightness, discharge time lag, luminous efficacy of ac PDP, the PDP with high Xe partial pressure has been investigated. However, the serious problems in this case is to increase the operating voltage of ac PDP. In this study, in order to meet this problem the influences of kr gas in Ne-Xe-Kr ternary gas system is investigated for wide range of Xe partial pressure in terms of operating voltage, driving margin, luminance and luminous efficacy.
Floating p-well 전압 감지를 이용한 시간 지연 회로를 적용하여 punch-though형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (PT-IGBT)의 최적화된 보호 회로를 제안하였다. Floating P-well 축전기와 게이트 저항은 정상 스위칭 동작시 단락 회로 감지 동작 (false detection of fault)을 차단하며, floating p-well 전압은 단락회로 상황시 풀-다운 (pull-down) MOSFET의 문턱 전압 이상으로 상승되어 풀-다운 MOSFET을 턴-온(turn-on) 시킴으로서 IGBT의 게이트 전압을 감소시킨다. 이에 따라 IGBT의 컬렉터 전류는 자연스럽게 감소된다. 실험 결과를 통해, 단락회로 상황에서 최적화된 IGBT의 보호회로가 소프트-셧다운 (soft-shutdown) 특성을 보이는 것을 확인할 수 있다.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.10
no.4
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pp.9-14
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2003
The new optical link receiver with data transfer rate higher than 10Mbps at the supply voltage of 1.8V was designed and fabricated using bipolar technology. The fabricated IC showed the dissipation current of 4.6mA under high level input voltage of 1.5V. The high level output voltage($V_{OH}$) and the low level output voltage($V_{OL}$) were 1.15V and 0V, respectively, for a given 10 Mbps signal which has duty ratio of 50%, $V_{IL}$(low level input voltage) of 0.5V, and $V_{IH}$(high level input voltage) of 1.5V, The duty ratio of output waveform was 52.6%. The rising time(t$_{r}$) and the falling time(t$_{f}$) were 9.5ns and 6.8ns, respectively. The propagation delay difference($t_{PHC}-t_{PLH}$) and the jitter($t_j$) were 11.7ns and 4.3ns, respectively.y.
Overhead line voltage of DC railway traction substations has rising or falling characteristics depending on the acceleration and regenerative braking of the subway train loads. The suppression of this irregular fluctuation of the line voltage gives rise to improved energy efficiency of both the railway substation and the trains. This paper presents parameter estimation schemes using the RC circuit model for an overhead line voltage at a 1500V DC electric railway traction substation. A linear artificial neural network with a back-propagation learning algorithm was trained using the measurement data for an overhead line voltage and four feeder currents. The least square estimation method was configured to implement batch processing of these measurement data. These estimation results have been presented and performance analysis has been achieved through raw data simulation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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