• Title/Summary/Keyword: 전류의 특성

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IPM control using by neural network and sliding mode control (신경회로망과 슬라이딩 모드제어를 이용한 IPM 제어)

  • Kim, Jae-Hoon;Yoon, Tae-Sung;Park, Seung-Kyu
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.1587-1588
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    • 2007
  • IPM(Interior Permanent Magnet) Machine의 전류 제어는 자기저항에 의존하는 토크특성 때문에 SPM(Surface Permanent Ma- gnet) Machine보다 복잡하다. 고성능 토크제어를 위해서는 d축 전류와 q축 전류의 동특성간의 상태 decoupling이 요구된다. 그러나 전류의 상태 동특성이 coupling된 인덕턴스의 변화(온도, 파라미터들의 부정확한 측정값)는 상태 decoupling을 어렵게 한다. 그래서 이러한 변화와 각각의 전류가 독립적으로 제어될 수 있게 여러 decoupling 방법들에 초점이 맞춰지고있다. 본 연구는 외란에 강하고, 특히 인덕턴스의 변화와 상관없는 이상적인 토크제어를 하기 위해 신경회로망을 이용하여 슬라이딩 평면(sliding surface)을 구성하고, SMC(Sliding Mode Control)를 이용하여 상태 cross-coupling의 decoupling을 위한 새로운 접근을 제안한다. 이 방법은 PI제어 성능과 SMC의 강인성을 알고리즘을 이용하여 결합한 것이라고 볼 수도 있다.

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The analysis of Current limiting Characteristics of Magnetic Shielding Type Fault Current Limiter (차폐 유도형 전류 제한기의 전류제한 해석 연구)

  • Lee, Jae;Lim, Sung-Hun;Ko, Seok-Cheol;Du, Ho-Ik;Han, Byoung-Sung
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2001.10a
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    • pp.94-96
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    • 2001
  • 본 논문은 차폐유도형 고온초전도 한류기의 전류제한 특성을 연구하였다. 회로해석은 유한 차분법(FDM)을 사용하였으며 회로 설계의 변수 값에 따라서 전류제한 방식은 저항형과 유도형으로 전류 제한이 이루어짐을 알 수 있었다. 사고 발생 시 나타나는 고온초전도 한류기의 임피던스는 사고 전류를 제한하는 주요한 요소로써 다양한 파라미터 값의 변화를 통하여 고온 초전도한류기의 임피던스 변화와 특성을 관찰하였고, 본 논문에서 설계한 형태의 임피던스 변화에 따른 전류 제한 효과를 저항형 과 유도형 방식으로 제어 가능함을 확인할 수 있었다.

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Study on Dip Variation of STACIR/AW Conductor Using DC Current Facility (STACIR/AW전선의 대전류설비에 의한 실증적 이도특성에 관한 고찰)

  • Shin, Koo-Yong;Lee, Seong-Doo;Min, Byung-Uk;Wi, Hwa-Bok
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2005.07a
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    • pp.566-568
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    • 2005
  • STACIR/AW은 최근 사용이 증가되고 있는 증용량전선으로 기존 송전선에 비해 많은 전류를 송전하면서도 이도특성이 우수한 장점을 가지고 있다. 이 논문에서는 STACIR/AW 전선의 온도 및 대전류특성에 대한 실증시험을 위하여 구축된 송전선로용 3[kA]급 대전류 발생 장치를 이용해 345kV 송전선로의 표준경간인 350m 시험선로에 $480\;mm^2$$410\;mm^2$ 전선을 가선하여 전류 특성 시험을 수행하였다. 본 논문에서는 최대 허용전류에 대한 단계별 이도특성을 외기 조건과 전선의 장력 변화를 고려하여 고찰하여 국내 주요 전선사의 증용량전선에 대한 신뢰성을 검증하고, 또한 계절별 특성시험 및 환경시험 챔버를 이용한 참고시험과 기본적 동적해석을 통하여 외기 조건에 전선의 최대허용전류를 검토하였다. 또한 실선로에 적용된 $480\;mm^2$$410\;mm^2$ 의 증용량 전선에 최대 부하율을 파악하고 동일 조건에 부하전류를 인가한 실증시험을 통하여 전선의 이도증가율을 분석하여 상용선로의 운전조건을 검토하였다.

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A Study on Characteristics of Current-Voltage Relation by sizes for Double Gate MOSFET (DGMOSFET의 크기에 따른 전류-전압특성변화에 관한 연구)

  • Jung, Hak-Kee;Na, Young-Il;Lee, Jae-Hyung
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • v.9 no.2
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    • pp.884-886
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    • 2005
  • In this paper, we have investigated characteristics of current-voltage for double gate MOSFET with main gate and side gate. Investigated current-voltage characteristics of channel length changed len호 of channel from 1${\mu}$m to 3${\mu}$m. Also, compare and analyzed characteristics of changed of operation temperature changing current that is dignity. gate voltage could know 2V that is superior than device characteristics of current voltage characteristic in 77K acts in room temperature when approved.

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A Study on the melting Characteristics of Fuse Element by Repeating Overcurrent (반복과전류에 의한 퓨즈 엘리먼트의 용단특성에 관한 연구)

  • Kim, Youn-Hyun
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.24 no.2
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    • pp.120-126
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    • 2010
  • This paper propose analysis and examination of the melting characteristic of fuse elements by repeating overcurrent as a depletion factor of high pressure current limiting fuse through test following existence and nonexistence of extinction material and various configuration of elements. To examine deterioration progress rate by repeating overcurrent we analyzed heat for various element notching configuration, designed plate type, ring type element and estimated the relationship with life span by analyzing breaking characteristic through repeating overcurrent test with adjusting load factor at Silicon Dioxide(SiO2) filled state or in air. A Crack by repeat stress, decrease of section and transformation by friction with extinction material by repeating overcurrent causes a problem which shortens life span based on fuse repeating frequency. Since the contents of this paper might be useful to research the correlation between friction of materials and repeating life span based on load factor of repeating current, the quality of product would be improved through solution of the problem.

ECO(Electro-Coagulation & Oxidation) 공법에서 전극 및 전류밀도에 따른 축산폐수 처리특성 변화

  • Kim, Hak-Seok;Kim, Hong-Tae;Kim, Jeong-Bae;Lee, Du-Hui
    • Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.510-514
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    • 2008
  • 본 연구에서는 전극의 특성에 따른 돈사유래 축산폐수의 ECO 공법에 의한 처리특성을 평가하기 위해 ECO 시스템 모듈내 Fe-Fe 및 Al-Al 계열의 용해성 전극과 Al-SUS, Ir-SUS 등 불용성 전극을 대상으로 5$\sim$20mA/cm$^2$의 전류밀도하에서 축산폐수내 유기물 및 영양염류의 제거특성을 평가하여 다음과 같은 결론을 얻을 수 있었다. 1. 전기응집산화에 의한 축산폐수의 처리시 수중 유기물질 및 영양염류의 제거효율은 전류밀도의 증가에 비례하여 증가한다. 2. 불용성 전극조합 및 불용성-용해성 전극조합은 전류밀도가 높을수록 수중 유기물 및 오염물질 제거효율이 안정되고, 용해성 전극은 15mA/cm$^2$ 이하의 저 전류밀도의 조건하에서 전류밀도의 증가에 따라 안정된 제거효율 향상을 기대할 수 있다. 3. 불용성전극 조합인 Ir-SUS 전극조합을 사용하여 축산폐수를 처리할 경우 COD$_{Mn}$ 제거효율을 약 10% 향상시킬 수 있으며, TN 20mA/cm$^2$에서 Al-Al 전극조합과 TP 15mA/cm$^2$ 이하에서 Fe-Fe 전극조합은 제거효율이 저하되는 경향이 나타난다.

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비대칭 FinFET 낸드 플래시 메모리의 동작 특성

  • Yu, Ju-Tae;Kim, Dong-Hun;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.450-450
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    • 2013
  • 플래시 메모리는 소형화가 용이하고, 낮은 구동 전압과 빠른 속도의 소자 장점을 가지기 때문에 휴대용 전자기기에 많이 사용되고 있다. 현재 사용되고 있는 플로팅 게이트를 이용한 플래시 메모리 소자는 비례축소에 의해 발생하는 단 채널 효과, 펀치스루 효과 및 소자 간 커플링 현상과 같은 문제로 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있다. 이 문제를 해결하기 위해 FinFET, nanowire FET, 3차원 수직 구조와 같은 구조를 가진 플래시 메모리에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 비례축소의 용이함과 낮은 누설 전류의 장점을 가진 FinFET 구조를 가진 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성에 대해 조사하였다. 메모리의 집적도를 높이기 위하여 비대칭 FinFET 구조를 가진 더블 게이트 낸드 플래시 메모리 소자를 제안하였다. 비대칭 FinFET 구조는 더블 게이트를 가진 낸드 플래시에서 각 게이트 간 간섭을 막기 위해 FinFET 구조의 도핑과 위치가 비대칭으로 구성되어 있다. 3차원 TCAD 시뮬레이션툴인 Sentaurus를 사용하여 이 소자의 동작특성을 시뮬레이션하였다. 낸드 플래시 메모리 소자의 게이트 절연 층으로는 high-k 절연 물질을 사용하였고 터널링 산화층의 두께는 두 게이트의 비대칭 구조를 위해 다르게 하였다. 두 게이트의 비대칭 구조를 위해 각 fin은 다른 농도로 인으로 도핑하였다. 각 게이트에 구동전압을 인가하여 멀티비트 소자를 구현하였고 각 구동마다 전류-전압 특성과 전하밀도, 전자의 이동도와 전기적 포텐셜을 계산하였다. 기존의 같은 게이트 크기를 가진 플로팅 게이트 플래시 메모리 소자에 비해 전류-전압곡선에서 subthreshold swing 값이 현저히 줄어들고 동작 상태 전류의 크기가 늘어나며 채널에서의 전자의 밀도와 이동도가 증가하여 소자의 성능이 향상됨을 확인하였다. 또한 양족 게이트의 구조를 비대칭으로 구성하여 멀티비트를 구현하면서 게이트 간 간섭을 최소화하여 각 구동 동작마다 성능차이가 크지 않음을 확인하였다.

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Analysis of the Silicon Solar cell According to the doping concentration IV characteristic curve and efficiency process using PC1D Tool (PC1D를 이용한 실리콘 태양전지의 도핑농도에 따른 IV 특성곡선 및 효율 분석)

  • Lee, Byung-Ro;Han, Ji-Hyung;Jung, Hak-Kee;Jeong, Dong-Soo;Lee, Jong-In;Kwon, Oh-Shin
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2010.05a
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    • pp.792-794
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    • 2010
  • 본 연구는 PC1D를 이용하여 태양전지 전류전압 특성곡선및 효율을 분석한 연구이다. 태양전지 전류전압 특성곡선에서 제4상한부분의 면적은 태양전지의 효율을 나타낸다. 곡선인자(Fill Factor)는 개방전압과 단락 전류의 곱에 대한 최대 출력전압과 최대 출력전류의 곱한 값의 비율이다. 본 논문은 태양전지의 최대 효율을 얻기 위해서 도핑 농도를 $1{\times}10^{14}cm^{-3}$부터 $1{\times}10^{17}cm^{-3}$까지 변화시키면서 태양전지의 전류전압 특성곡선 및 최대효율을 분석하였다.

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Temperature-dependent characteristics of Current-Voltage for Double Gate MOSFET (동작 온도에 따른 Double Gate MOSFET의 전류-전압특성)

  • 김영동;고석웅;정학기
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2003.05a
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    • pp.693-695
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    • 2003
  • In this paper, we have investigated temperature-dependent characteristics of current-voltage for double gate MOSFET with main gate and side gate. DG MOSFET has the main gate length of 50nm and the side gate length of 70nm. We have investigated the temperature-dependent characteristics of current-voltage and drain voltage is changed from 0V to 5.0V at $V_{mg}$ =1.5V and $V_{sg}$ =3.0V. We have obtained a very good characteristics of current-voltage for 77K. We have simulated using ISE-TCAD tool for characteristics analysis of device.

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Design of Modified Deadbeat Digital Controller for Output Voltage Improvement of 3-Phase UPS (3상 UPS의 정전압 출력특성 향상을 위한 개선된 데드비트 디지털 제어기의 설계)

  • 조준석;이승요;김홍성;최규하
    • The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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    • v.5 no.1
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    • pp.1-10
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    • 2000
  • 본 논문에서는 무정전전원장치(UPS)에 사용되는 3상 PWM 인버터의 정전압 제어특성 향상을 위해 개선된 형태의 데드비트 제어방식을 제안하고 이의 설계를 수행한다. 일반적으로 UPS는 전압제어 루프 안에 전류제어기를 두는 형태의 이중 제어 루프 구조를 가지며, 빠른 과도응답 제어 특성을 얻기 위해 데드비트 제어기가 많이 적용되어 왔다. 그러나 전압, 전류의 이중 제어구조를 갖는 데드비트 제어기의 경우 동일한 극배치 특성으로 인해 기존의 제어 시스템은 불안정한 측면을 갖게된다. 이러한 제어특성의 개선을 위하여 분리된 극배치를 가지는 제어기구조를 제안하며, 이는 전압제어기 출력으로 1차 지수함수 응답을 사용하는 변형된 형태의 데드비트 제어기로 구성된다. 아울러 부하 변동에 따른 부하전류의 외란성분을 전향보상하기 위하여 전차원 외란 관측기를 설계하고 시뮬레이션 및 실험을 통하여 제안된 시스템의 우수성을 확인한다.