• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2022.05a
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• pp.560-561
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• 2022

In this paper, current-voltage characteristics of various types of Nanosheet FET (NSFET) and FinFET are simulated with 3D device simulator. The threshold voltage and subthreshold swing extracted from the simulated current-voltage characteristics of NSFET and FinFET were compared. Both of threshold voltage and drain current of NSFET are higher than those of FinFET. The subthreshold voltage swing (SS) of NSFET is steeper than that of FinFET.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• v.9
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• pp.343-347
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• 1999

We fabricated a resistive SFCL having a shunt resistor parallel to it in order to bifurcate the transient current at faults. The SFCL consists of a YBCO film coated with an Au layer (10 ${\omega}$ at room temperature), which is to disperse the heat generated at hot spots in the YBCO film, and the 5 ${\omega}$ shunt resistor. The minimum quench current of the SFCL was found to be 12.2 A$_{peak}$. This SFCL successfully controlled the fault current below 23 A$_{peak}$ which is otherwise to increase up to 113 A$_{peak}$. Bifurcation of the current resulted in the temperature rise of the YBCO/Au film 3 times slower than without the shunt, protecting the SFCL at high currents.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07b
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• pp.620-622
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• 2001

자성체 코어의 비선형 특성을 이용하여 DC와 AC 전류를 측정하는 Zero-Flux Current Transformer는 정밀 전류 측정용으로 많이 연구되고 있다. Zero-Flux Current Transformer는 DC 대전류 측정에 합당하며 저 전류 측정에 사용될 경우 소모전류, 안정되고 첨예한 필터 제작, magnetic modulator에 의한 zero point drift, 자화 전류가 비대칭일 때 출력 등과 같은 문제가 해결되어야 한다. 그리고 상용으로 사용하기 위하여 Hand-Held Type으로 제작되어야하며 동작시의 소모전류가 작고 정확도가 우수하여야 한다. 본 연구에서는 자화 전류가 비대칭일 때 출력을 zero로 만들기 위하여 사용하는 필터와 복잡한 회로로 구성된 magnetic modulator 부분을 여러개의 peak detector를 사용하여 AC와 DC를 측정하는 클램프미터를 개발하였으며 그 특성에 대한 내용을 기술하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.816-817
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• 2008

본 논문에서는 2세대 고온초전도 선재인 YBCO CC(Coated Conductor)를 사용하여 접합 없이 권선되는 새로운 형태의 고온초전도 팬케이크형 코일에 영구전류를 인가하기 위한 영구전류 스위치의 형태를 제안였다. 제안된 테이프 형태의 광폭 YBCO CC의 양끝부분을 제외한 중간부분을 2분할하여 감아 뒤집은 형태의 팬케이크 코일에는 접합부분이 없으므로 영구전류가 흐를 수 있으나, 전류의 인가를 위한 스위치를 별도로 제작하여 연결하기 곤란하다는 단점이 있다. 본 연구에서는 감아 뒤집은 고온초전도 팬케이크 코일의 한쪽 단부를 영구전류 스위치로 사용할 수 있는 구조를 제안하였고, 추후 연구에 실제로 사용될 12 mm 폭의 YBCO CC를 사용하여 영구전류 스위치를 제작하고 특성시험을 수행하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2009.11a
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• pp.179-181
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• 2009

고압 방전 램프는 점등 후부터 정상상태에 이르기까지 방전관 내부의 온도 및 압력이 광범위하게 변화하는 복잡한 동작 특성으로 모델링이 어렵다. 이러한 특성은 램프를 구동하는 안정기의 설계에 어려움이 따른다. 램프의 구동에는 초기 점화 시 높은 점화용 전압 펄스를 필요로 한다. 점화 후에 정상상태에 다다르면 램프 전극의 소모를 줄이기 위해 교류로 구동되어야 한다. 하지만 램프를 교류로 구동하게 되면 음향 공진 현상이 발생할 수 있다. 음향 공진 현상은 램프 구동 전류의 맥동성분이 큰 경우에도 발생을 할 수 있으므로 구동 전류의 맥동 성분의 크기는 최소화 돼야 한다. 램프의 수명시간을 길게 하려면, 안정기는 램프를 정격전력으로 구동하여야 한다. 따라서 안정기에서는 정전력 제어가 필요하게 된다. 램프 전류의 극성이 변화할 때, 램프 전류는 spike전류와 중첩이 된다. 본 논문에서는 spike 전류를 저주파구형파 램프 전류의 포락범위 안에 유지하고, 고주파 스위칭시손실을 줄이기 위해 소프트 스위칭 기법을 이용한 회로 설계를 제안했다. 제안된 방법은 시뮬레이션 및 이론적 수식적 방법으로 검증 했다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.21 no.5
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• pp.25-31
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• 2007

This paper presents a comparison of different current controller response characteristics of SRM. The most common current controllers of the SRM is hysteresis type. The hysteresis controller is easy to implement and fast current control response, but has the inherent disadvantage of switching frequency variations. The other common type of current controller is PI scheme. The design of a classical PI current controller with fixed parameters for SRM is not an easy task due to the extreme nonlinear characteristics. In this paper, some linearization technique is used for design of PI current controller. Experimental results of 1-hp SRM are presented for the basic reference data which can be used to select the proper current control scheme according to the applications.

• Electric Engineers Magazine
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• v.222 no.2
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• pp.30-36
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• 2001

전회에 걸쳐서 AC 전력계통의 3상 단락전류와 1선 지락전류 및 계통접지 방식에 대하여 살펴 보았다. 본 장에서는 실제로 현장에서 사용되고 있는 Batteries, Rectifiers, DC Generators 등으로 구성되는 DC System의 제반 특성과 고장전류 계산을 쉽게 이해하도록 해설하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1143-1144
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• 2015

반절연 4H-SiC 기판을 이용한 LDIMOSFET에 대해 전류 통전 영역의 길이에 따른 항복전압 및 순방향 특성을 분석하였다. 또한, 온도 변화에 따른 역방향 상태 및 벌크 트랩 유무에 따른 누설전류 특성을 분석하였다. 전류 통전 영역의 두께를 $0.2{\mu}m$로 고정시키고 농도를 $1{\times}10^{15}/cm^3{\sim}1{\times}10^{17}/cm^3$ 까지 변화하였을 때 $2{\times}10^{16}/cm^3$인 경우에 1710V로 가장 높은 항복전압을 나타내었으며, 농도가 $2{\times}10^{16}/cm^3$ 이상인 경우 항복전압은 감소하는 특성을 나타내었다. 제안한 소자의 순방향 특성에 대해서도 simulation을 통해 특성을 분석하였으며, 항복전압이 1710V인 경우 온 저항은 $0.351{\Omega}-cm^2$를 나타내었다. 또한 벌크 트랩이 있는 경우에 대해 온도 변화 및 전류 통전 영역의 길이 변화에 따른 역방향 바이어스 상태에서의 누설전류 특성 변화에 대해서도 분석하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.12 no.2
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• pp.115-120
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• 1998

This paper presents a modeling of a synchronous machine infinite bus system of which not only seperated saturation effect but also cross magnetization effect of the saturated generator is included for the more precise analysis of the system. In the process of reforming the flux linkage equations of the state equations which have generator saturation effects, the d-axis coordinated system of a generator is fixed that the d-axis proceeds the q-axis in $90^{\circ}$ to accord with the generally accepted generator model used before. The simulation results show that cross magnetization has a very important effect to the more precise eigenvalue analysis of steady state stability.bility.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.303.1-303.1
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• 2014

좋은 전기적 특성을 가지면서 소자의 크기를 줄이기에 용이한 Gate-all-around (GAA) twin Si nanowire field-effect transistors (TSNWFETs)의 연구가 많이 진행되고 있다. Switching 특성과 단채널 효과가 없는 TSNWFETs의 특성은 GAA 구조의 본질적인 특성이다. TSNWFETs는 기존의 single Si nanowire TSNWFETs와 bulk FET에 비하여 Drive current가 nanowire의 지름에 많은 영향을 받지 않는다. 그러나 TSNWFETs의 전체 on-current는 훨씬 작고 nanowire의 지름이 작아지면서 줄어들게 되면서 소자의 sensing speed와 sensing margin 특성의 악화를 가지고 온다. GAA TSNWFETs의 제작 및 전기적 실험에 대한 연구는 많이 진행되었으나, GAA TSNWFETs의 전기적 특성에 대한 이론적 연구는 매우 적다. 본 연구에서는 GAA TSNWFETs의 nanowire 크기에 따른 전기적 특성을 관찰하였다. GAA TSNWFETs와 bulk FET의 전기적 특성을 양자역학을 고려하여 3차원 TCAD 시뮬레이션을 툴을 이용하여 계산하였다. GAA TSNWFETs와 bulk FET의 전류-전압 특성 계산을 통해 on-current 크기, subthreshold swing, drain-induced barrier lowering (DIBL), gate-induced drain leakage를 보았다. 전류가 흐르는 경로와 전기적 특성의 물리적 의미에 대한 연구를 위해 TSNWFETs에서의 전류 밀도, conduction band edge, potential 특성을 분석하였다. 시뮬레이션 결과를 통해 Switching 특성, 단채널 효과에 대한 면역 특성, nanowire의 단면적에 따른 전류 흐름을 보았다. nanowire의 크기가 작아지면서 DIBL이 증가하고 문턱전압과 전체 on-current는 감소하면서 소자의 특성이 악화된다. 이러한 결과는 GAA TSNWFETs의 전기적 특성을 이해하고 좋은 소자 특성을 위한 구조를 연구하는데 많은 도움이 될 것이다.