• Title/Summary/Keyword: 전류의 특성

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Analysis of Recovery Characteristics on the three-phase Transformer-Type SFCL according to fault type the voltage increase (전압증가 시 사고 유형에 따른 3상 변압기형 초전도 한류기의 회복특성 분석)

  • Go, Sung-Pil;Choi, Hyo-Sang;Cho, Yong-Sun;Park, Hyung-Min;Jung, Byung-Ik;Ha, Kyoung-Hun;Choi, Soo-Geun
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.2162-2163
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    • 2011
  • 현재 산업의 발전으로 인해 전기의 사용량이 증가하고 있는 상태이다. 이로 인하여 지락이나 단락과 같은 사고 발생 시 전류가 급격하게 증가하게 된다. 이러한 급격한 사고전류를 제한하기 위하여 본 논문에서는 재폐로 동작을 접목하여 전압 증가 시 사고유형별 3상 변압기형 초전도 한류기에 대해서 분석하였다. 재폐로 주기는 5-10-7-20주기로 설정하였고, 1선지락과 2선지락일 때 3상 변압기형 초전도 한류기의 전류제한에 대해서 분석해보면, 1선지락 일 때 2선지락 사고일 때보다 사고 제한율이 높은걸 확인 할 수 있다. 하지만 2개의 초전도 소자의 동시 ��치가 아닌 불균형 ��치가 일어나서 하나의 소자만이 전류를 제한하였다. 그리고 스위치가 open 되었을 때 초전도체의 회복특성은 전류제한과 마찬가지로 1선지락일 때 보다 빨리 회복되는 것을 확인 할 수 있다. 이처럼 사고 발생 시 사고전류를 낮게 제한하고, 재폐로 동작을 통하여 빠르게 사고 확인을 하여 사고를 차단할 수 있다고 사료된다.

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Study of the Application of PTC elements for Molded Case Circuit Breakers (소형 배선용차단기에 PTC 소자 적용에 관한 연구)

  • Kim, K.S.;Lee, S.S.;Lim, K.J.;Kang, S.H.
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.376-377
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    • 2008
  • 저압계동의 고장전류를 차단하기 위해서, 기중차단기(ACB), 배선용차단기(MCCB) 등을 사용하고 있는데, 저압차단기는 저압계통의 고장전류를 차단할 수 있으나, 고장전류를 효과적으로 제한하지 못하며, 차단기 내부의 아킹시간이 상대적으로 길므로, 저압차단기는 물론 주변 전력기기에 전기적/열적/기계적 스트레스를 주게 된다. 또한 지속적인 부하의 증가로 인해 저압계통의 단락전류는 점점 증가하는 추세에 있으므로 저압계통은 물론 고압계통에서도 고장전류를 보다 빠르고 효과적으로 제한 및 차단을 할 수 있는 한류형 차단기가 제안되고 있다. 저압계통의 경우, 정온도계수(Positive Temperature Coefficient, PTC) 특성을 가지는 한류소자를 기존 차단기에 직렬 혹은 병렬로 연결하여 저압계동의 고장전류를 매우 빠르고 효과적으로 제한 및 차단하는 추세이다. 본 연구에서는 정온도계수 특성을 가지는 소자를 이용하여 소형 저압차단기의 차단용량 향상에 기여할 수 있는지 검증하였다.

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Analysis of Volatage and Current Waveform Distortion Characteristics at Office Buildings (사무용 빌딩에서의 전압 및 전류파형 왜곡특성 분석)

  • Yoo, Jae-Geun;Lee, Sang-lck;Jeon, Jeong-Chay;Jeong, Jong-Wook;Lim, Young-Bae
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.19 no.1
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    • pp.155-161
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    • 2005
  • Nonlinear electronic loads used at office buildings distort the voltage and current waveform that cause the overheating of transformer losses, ELB(Electrical Leakage Breaker) tripping, and so on. This paper analyzed waveform distortion characteristics at several once buildings by comparing with magnitude of voltage and current harmonics, crest factor of voltage and current, phase voltage and current unbalance. As a consequence, severe current waveform distortion in phase and neutral line by harmonics and high current unbalance rates by unbalanced using of single loads among the three phases are investigated. The results of the study can be used in making decisions regarding reasonable and economical operating of loads at office buildings.

A Study on composition of current stable negative resistance circuits. (전류안정부저항회로의 구성에 관한 연구)

  • 박의열
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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    • v.10 no.1
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    • pp.9-17
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    • 1973
  • This paper dealt with composition of current stable negatil'e resistance circuit based on Beam resistance of the tube SAMUEL SEBLY suggested. Beam resistance which is decreased by input current increment on definite region of current, accompanied generation of equivalent e. m. f on model circuit. With equivalent e. m. f there appeared increased current on circuit but decrease of terminal voltage. Bloc constructed by above concept induced transistorized circuit which have NPN and a PNP Transistor. Circuit operation predicted and calculated values of negative resistance are coincident with experimental results. A Circuit proposed on this paper sllowed good linearity on Ve-Ji characteristics.

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Implementation of Ternary Adder and Multiplier Using Current-Mode CMOS (전류모드 CMOS에 의한 3치 가산기 및 승산기의 구현)

  • Jang, Sung-Won;Park, Byung-Ho;Park, Sang-Joo;Han, Young-Hwan;Seong, Hyeon-Kyeong
    • Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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    • 2010.11a
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    • pp.1760-1762
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    • 2010
  • 본 논문에서 3치가산기와 승산기(multiplier)는 전류모드 CMOS에 의해서 구현된다. 첫째, 3치 T-gate를 집적회로 설계의 유효 가용성을 갖고 있는 전류모드 CMOS를 이용하여 구현한다. 둘째, 3치 T-gates를 이용해 회로가 유한체 GF (3)에 대하여 2변수 3치 가산표 (2-variable ternary addition table) 및 구구표 (multiplication table)가 실현되도록 구현한다. 마지막으로, 이러한 동작 회로들은 1.5 CMOS 표준 기술과 $15{\mu}A$ 단위전류(unit current) 및 3.3V 소스 전압 (VDD voltage)에 의해 활성화 된다. 활성화 결과는 만족할 만한 전류 특성을 나타냈다. 전류 모드 CMOS에 의하여 실행되는 3치가산기 및 승산기는 단순하며 와이어 라우팅(wire routing)에 대하여 정규적이고, 또한 셀 배열 (cell array)과 함께 모듈성 (modularity)의 특성을 갖고 있다.

Improvement of Control Characteristics of Permanent Magnet Linear Synchronous Motor by Finite Element Analysis (유한요소 해석에 의한 영구자석형 선형 동기전동기의 제어특성 개선)

  • 정인성;현동석
    • The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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    • v.4 no.4
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    • pp.318-324
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    • 1999
  • In this paper. a control method based on finite element analysis is presented to improve the control characteristics of t the permanent magnet linear synchronous motor (PMLSM). In the control method. additional compensation current is a added to the conventional control current according to the position of mover. The characteristics of thrust ripple a according to the position of mover and the current are analyzed by using finite element method (FEM). And. the value of current to compensate the thrust ripple due to the cog밍ng force is calculated from the analysis results. The c characteristics according to control method are compared in case of speed control. and to conform the validity of the p presented method, a test set is built and experiments are performed.

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Characteristics of Short channel effect and Mobility in Triple-gate MOSFETs using strained Silicon-on-Insulator (sSOI) substrate (Strained Silicon-on-Insulator (sSOI) 기판으로 제작된 Triple-gate MOSFETs의 단채널 효과와 이동도 특성)

  • Kim, Jae-min;Sorin, Cristoloveanu;Lee, Yong-hyun;Bae, Young-ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.06a
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    • pp.92-92
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    • 2009
  • 본 논문에서는 strained Silicon-on-Insulator (sSOI) 기판에 제작된 triple-gate MOSFETs 의 이동도와 단채널 효과에 대하여 분석 하였다. Strained 실리콘에 제작된 소자는 전류의 방향이 <110> 밤항일 경우 전자의 이동도는 증가하나 정공의 이동도는 오히려 감소하는 문제점이 있다. 이를 극복하기 위하여 소자에서 전류의 방향이 <110>방향에서 45 도 회전된 <100> 방향으로 흐르게 제작하였다. Strain이 가해지지 않은 기판에 제작된 동일한 구조의 소자와 비교하여 sSOI 에 제작된 소자에서 전자의 이동도는 약 40% 정공의 이동도는 약 50% 증가하였다. 채널 길이가 100 nm 내외로 감소함에 따라 나타나는 drain induced barrier lowering (DIBL) 현상, subthreshold slope (SS)의 증가 현상에서 sSOI에 제작된 소자가 상대적으로 우수한 특성을 보였으며 off-current leakage ($I_{off}$) 특성도 sSOI기판이 더 우수한 특성을 보였다.

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Conventional Grounding Impedance according to the Length and Soil Resistivity of the vertical grounding electrode (수직접지전극의 길이와 대지저항률에 따른 규약접지임피던스 분석)

  • Choi, Jong-Hyuk;Shin, Hee-Gyung;Lee, Bok-Hee;Kim, Tae-Ki;Ahn, Chang-Hwan
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.1568-1569
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    • 2011
  • 최근 기후변화로 인해 낙뢰의 발생빈도가 크게 증가하고 있으며 이에 따라 피뢰시스템의 중요성이 부각되고 있다. 피뢰시스템의 원활한 기능을 수행하기 위해 접지시스템의 성능이 보장되어야 하며, 접지전극은 뇌격전류를 안전하게 대지로 방류시켜야 한다. 본 논문에서는 피뢰시스템에서 가장 흔하게 사용되는 수직접지전극을 대상으로 서지전류가 인가되었을 때 접지전극이 묻힌 대지저항률, 접지전극의 길이, 서지 전류의 파두시간 등에 따른 규약접지임피던스를 측정하고 그 특성을 분석하였다. 그 결과 대지저항률이 높은 토양과 접지전극의 길이가 짧은 경우 접지임피던스가 감소하는 용량성 특성이 지배적으로 나타나며, 대지저항률이 작고 접지전극의 길이가 긴 경우 접지임피던스가 증가하는 유도성 특성이 지배적으로 나타났다. 따라서 피뢰시스템을 위한 접지시스템 설계 시 대지저항률 및 접지전극의 길이를 고려하여 유도성 특성을 최소화 할 수 있도록 설계해야 한다.

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GaN기반 LED 응용을 AZO, Ni/AZO 및 NiOx/AZO의 전기적.광학적 특성

  • Ju, Dong-Hyeok;Lee, Hui-Gwan;Yu, Jae-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.249-249
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    • 2011
  • 투명전도성산화물(transparent conducting oxides, TCOs) 박막은 전기 전도성과 광투과성이 우수하여 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED), 태양전지(solar cell), 발광다이오드(LED) 등의 광전자 소자에 널리 응용되고 있다. 특히 LED에서 p-GaN층에서 전류가 층안에서 충분하게 확산되지 않기 때문에, TCO는 균일하게 전류를 흘려보내기 위해서 전류확산층(current spreading layer)으로 사용된다. 그 중 널리 쓰이는 산화인듐주석(indium tin oxide, ITO)은 고가의 indium가격과 인체에 유해한 독성 등이 문제점으로 지적되고 있다. 따라서 indium의 함량을 저감하거나 함유하지 않은 새로운 조성의 친환경적 대체 TCO 개발에 대한 연구가 많이 진행되고 있다. 이러한 반도체 재료 중 하나인 AZO (Al-doped zinc oxide, Al2O3 : 2wt.%)는 3.3 eV의 넓은 에너지 밴드갭을 가지며, 가시광선 및 근적외선 파장영역에서 높은 투과율을 나타낸다. 따라서 본 연구에서는 GaN기반 LED 응용을 위한 전류확산층으로 ITO 대신 AZO의 특성을 연구하였다. 박막 증착율이 높고, 제작과정의 조정이 용이한 RF magnetron 스퍼터를 이용하여 glass기판 위에 AZO, Ni/AZO, NiOx/AZO를 증착하였다. 이어서 $N_2$ 분위기에서 다양한 온도 조건에서 열처리(rapid thermal annealing, RTA)하여 전기적 광학적 특성에 대하여 비교 분석하였다.

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Redox Property of Self-Assembled Viologen Monolayers with Various Concentration using QCM (수정진동자를 이용한 Viologen 자기조립 단분자막의 농도변화에 의한 전하이동 특성 연구)

  • Park, Sang-Hyun;Lee, Dong-Yun;Kang, Hye-Young;Park, Jae-Chul;Kwon, Young-Soo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.05a
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    • pp.63-64
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    • 2006
  • 본 연구에서는 광에너지를 화학적인 에너지로 변환할 때, 디바이스의 전하전달 매개를 위한 electron transfer mediator로서 널리 이용되는 Viologen이 자기조립화된 수정진동자률 전기화학법의 하나인 순환전압전류법(Cyclic Voltammetry)을 이용하여 산화 환원 반응 (redox reaction) 특성과 주사속도와 피크전류와의 상관관계를 분석하였다. 먼저 수정진동자를 친수 처리한 후, 메탄올 용액과 아세토니트릴 용액을 섞은 용매에 Viologen 분자를 자기조립 (self-assembly)하여, 전해질 용액의 농도 변화에 따른 산화 환원반응 특성과 피크전류의 값을 측정하였다 주사 속도를 2 배씩 증가하여 피크전류와의 상관관계를 조사한 결과, 선형적인 증가를 보였으며, 이를 통해 가역적인 반응(reversible reaction)이 일어났음을 확인할 수 있었다. 또한, 산화 환원 반응과 동시에 측정된 수정진동자의 공진 주파수(resonant frequency) 변화로부터 전하이동(charge transfer) 특성에 의해 반응에 참가한 이온의 질량을 알 수 있었다.

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