• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.820-821
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• 2011

본 논문은 단상 line-start permanent- magnet (LSPM) 전동기가 가지는 비동기 운전영역에서 나타나는 다양한 토크성분을 해석적 방법으로 분석한다. 비 동기속도에서의 정상상태 전류를 DQ 등가회로를 이용하여 유도하였으며, 이를 이용하여 유도전류와 제동전류의 주파수를 확인하였다. 마지막으로 시간차분 해석을 이용하여 비동기 운전영역의 특정 속도에 대한 토크와 전류를 분석하였으며, 주파수 변환을 이용하여 각 전류의 주파수 성분을 확인하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.5 no.1
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• pp.101-110
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• 1998

큰 누설전류를 개선하고 누설전류 기구를 해석하기 위해 Pt/Ti/ SiO2/Si 기판상에서 2단계 sputtering 하여 PZT박막을 형성시켰다. 상온층과 perovskite의 두층으로 이루어진 PZT박막은 누설전류가 개선되었다. 특히 20nm의 상온층을 포함하는 PZT 박막은 유전상수 와 누설전류 특성이 모두 탁월한 것으로 나타났다. 이와 같은 조건에서 PZT 박막의 누설전 류 기구는 bulk 지배하는 기구로 바뀌었다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.16 no.2
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• pp.70-73
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• 2013

Iridium oxide is well known as an electrocatalyst for the water oxidation. Recently, Dr. Bard's group observed the electrocatalytic behavior of individual nanoparticle of Iridium oxide using the electrochemical amplification method by detecting the single nanoparticle collisions at the ultramicroelectrode (UME). However, the electrocatalytic current is decayed as a function of time. In this study, we investigated that the reason of electrocatalytic current decay of water oxidation at Iridium oxide nanoparticles. We identified it is due to the bubble overpotential because the cyclic current decay and recovery were synchronized to the oxygen bubble growth and coming away from an Iridium disk electrode.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.55-55
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• 2010

상변화 메모리용 셀은 전류 구동형으로써 셀에 전류를 인가하였을 때 저항이 높은 상태(비정질상)과 저항이 낮은 상태(결정질상)의 두가지 특성을 갖는다. 저항이 높은 상태에서 전류나 전압을 인가하면 높은 저항을 보이다가 일정 값(threshold voltage) 이상에서 낮은 저항을 갖는 현상을 보인다. 이때 상변화물질의 종류 혹은 셀의 사이즈에 따라 threshold voltage의 차이가 나타나는데 이 값을 줄임으로서 상변화 메모리의 구동 전류의 감소에 기여할 수 있다. 본 연구에서는 스퍼터링 방법을 이용해 박막형식의 셀을 제작하여 전기적 특성을 관찰하였다. 셀은 Si 기판 위에 radio frequency power supply 와 direct current power supply를 사용해 하부전극과 상변화층, 그리고 상부전극의 순으로 증착하여 제작하였다. 상변화층은 $Ge_2Sb_2Te_5$를 사용하였고 제작된 셀은 scanning electon microscope(SEM)를 이용하여 표면의 상태를 확인하였고 Keithley 4200scs를 이용하여 인가된 전류 혹은 전압에 따른 특성변화를 측정하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.04b
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• pp.117-120
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• 2007

본 논문은 메탈헬라이드 램프들의 이그니션 특성 비교 분석을 위하여 이그니션 구간에서의 전압, 전류 및 순시임피던스(time varying resist ante), 순시전력(time varying power)을 측정하고 분석하였고, 측정 및 분석을 위하여 램프의 종류(B형, BT형)와 제조회사가 다른 램프 6종을 선택하여 사용하였다. 분석결과, 제조회사별, 램프 상태 둥에 따라 이그니션 특성이 매우 상이하게 나타났으며, 대부분의 램프 이그니션 전류가 40[A]를 상회하고 있고, 특히 몇몇 램프의 이그니션 전류는 50[A] 이상으로 나타났다 따라서 메탈헬라이드 램프들의 이그니션 전류는 정상상태보다 큰 이그니션 전류 및 순시전력이 발생되고 있음을 알 수 있었다. 따라서 본 연구 결과는 전자식 안정기 설계 시, 특정 램프 뿐만 아니라 여러 램프의 이그니션 전류를 만족하는 설계가 필요하며, 메탈헬라이드 램프 시공 시, 램프의 이그니션 구간에서 발생하는 1-2[kV] 고전압 및 50[A] 이상의 대전류에 따른 적절한 안전사고 대책 및 관등회로의 절연, 전선 굵기 선정이 필요한 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.11a
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• pp.172-175
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• 2003

새로운 전력 반도체 소자로 주목받고 있는 MOS 구동 사이리스터 중 대 전력용으로 사용되는 EST는 높은 전류 밀도에서 게이트에 의한 전류 조절이 가능할 뿐만 아니라 다른 MOS 구동 사이리스터 소자와는 달리 전류 포화 특성을 지녀 차세대 전력 반도체로 각광 받고 있는 소자이다. 하지만 소자의 동작 시에 스냅-백 특성을 지녀 전력의 손실을 유발할 뿐만 아니라 오동작을 일으킬 가능성이 있다. 따라서 본 논문에서는 기존의 EST에서 스냅-백 특성의 제거와 저지 전압의 향상을 위해 트랜치 전극을 가지는 새로운 구조를 제안하고 게이트 전극과 캐소드 전극의 트랜치 화에 따른 특성 변화 양상을 살펴보기 위해 게이트 전극만 트랜치로 구성한 경우와 캐소드 전극만 트랜치로 구성한 경우를 시뮬레이션을 통해 해석하였다. 그 결과 기존의 EST에서 게이트 전극만을 트랜치 형태로 바꾼 경우에는 스냅-백 특성이 1.1 V의 애노드 전압과 91 A/cm2의 전류 밀도에서 발생하고 순방향 저지 모드 시의 저지 전압은 800 V로 기존의 257에 비해 월등한 전기적 특성 향상을 가져왔다. 그러나 기존의 EST에서 캐소드 전극만을 트랜치 형태로 바꾼 경우에는 스냅-백 특성이 1.72 V의 애노드 전압과 25 A/cm2의 전류 밀도에서 발생하고 순방향 저지 모드 시의 저지 전압은 613 V로 스냅-백 특성은 향상되었으나 저지 전압은 기존의 EST 보다 감소하였다. 결국 기존의 EST에서 게이트 전극만을 트랜치 전극 형태로 구성한 경우에 가장 탁월한 전기적 특성을 갖는 것으로 나타났다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.50 no.8
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• pp.285-291
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• 2013

In this paper, MOS-Capacitor and MOSFET devices with a Low Level Leakage Current of oxide thickness, channel width and length respectively were to investigate the reliability characterizations mechanism of ultra thin gate oxide films. These stress induced leakage current means leakage current caused by stress voltage. The low level leakage current in stress and transient current of thin silicon oxide films during and after low voltage has been studied from strss bias condition respectively. The stress channel currents through an oxide measured during application of constant gate voltage and the transient channel currents through the oxide measured after application of constant gate voltage. The study have been the determination of the physical processes taking place in the oxides during the low level leakage current in stress and transient current by stress bias and the use of the knowledge of the physical processes for driving operation reliability.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.24 no.1
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• pp.112-116
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• 2010

As one of the countermeasures to improve the recovery characteristics of the SFCL (superconducting fault current limiter), the method using the trigger of high-TC superconducting element (HTSC) when the quench in the HTSC element occurred was proposed. To confirm the suggested method, the control circuit to detect the quench occurrence of HTSC element in case of the fault occurrence was designed and the current limiting and recovery experiments of the SFCL using the designed control circuit were performed. Through the analysis for the experimental results, the points of both the open time and the closing time of a power switch comprising the control circuit could be adjusted by the resistance amplitude of a normal conducting current limiting resistor (CLR) and the recovery characteristics of the SFCL together with the current limiting operation could be confirmed to be improved by using the control circuit.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.7 no.3
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• pp.27-29
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• 2000

For the DLC-coaled Si-tip FEA, the modified lift off-process, by which DLC coated on both gate electrode surface and gate insulator in the gate aperture could be removed, was proposed. In the process, the Al sacrificial layer was deposited on a tilted and rotated substrate by an e-beam evaporation, and DLC film was coated on the substrate by PA-CVD method. Afterward the DLC was perfectly removed except the DLC films coated on emitter tips by etch-out of Al sacrificial layer. Current-voltage curves and current fluctuation of the DLC-coated Si-tip FEA showed that the proposed lift-off process played an important role in decreasing gate leakage current and stabilizing omission current.

• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• s.307
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• pp.68-73
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• 2002

감전보호$\cdot$누전화재보호로서 누전차단기가 일반적으로 사용되고 있는데 이 누전차단기가 누전으로 트립되었을 경우 (1) 누전트립이 재현되지 않는다. (2) 누설전류치가 고조파의 영향 때문에 측정이 곤란하다는 등의 이유로 원인조사가 어려운 경우가 많다. 그래서 누전차단기의 동작원인조사를 지원하는 기기로서 WS시리즈의 노퓨즈차단기 및 누전차단기에 각종 누설전류치의 액정표시유닛을 탑재한 $''$누설전류표시부 노퓨즈차단기$\cdot$누전차단기$''$를 제품화하였다. 이에 의하여 전로에 영상변류기(ZCT)와 계측기 등을 설치하지 않고 전로의 절연열화상태나 누전사고 상황을 간단하게 파악할 수가 있다. 또 액정표시유닛의 제어전원은 차단기 내부에 포함하고 있기 때문에 특별배선작업은 불필요하다. 이 제어전원은 차단기가 오프상태 또는 트립상태에서는 끊어지나 내부에 전기이중충 콘덴서를 내장하고 있기 때문에 각종 누설전류 정보를 표시할 수가 있다(정전보상시간 100시간). 주요특징은 다음과 같다. (1)각종 누설전류의 계측과 표시(현재치, 최대치, 이동평균치, 이동평균의 최대치, 각 최대치의 발생경과시간) (2) 누전경보의 설정 감도를 세분화하여 설정가능 또한 접점경보출력 표준탑재 (3) 누전트립 발생시의 누전사고전류치 및 누전사고 발생으로부터의 경과시간 표시(누전차단기만) (4) 미쓰비시전기 누전차단기의 액티브필터와 같은 특성의 필터를 내장하고 있으며 누전차단기의 동작특성에 맞는 누설전류치 표시가능 (5) 누전경보만으로 누전트립 동작을 하지 않는 누설전류표시부 노퓨즈차단기 라인업