• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2009.10a
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• pp.395-397
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• 2009

현재의 전력 사용량 증가로 인해 보호설비의 보수 및 증설이 불가피하게 되었다. 계통상의 사고 전류를 제한하기 위한 방안으로 초전도 한류기의 연구 개발 중이다. 본 논문에서는 사고시 사고전류를 제한하기 위한 매트릭스형 초전도 한류기의 사고전류가 제거 된 이후 회복특성을 조사하였다. 초전도 소자의 ��치로 인해 사고전류를 제한하는 것도 중요하지만 사고 후 회복 특성 또한 계통적용에 있어 큰 영향을 미친다. 초전도 소자와 병렬 연결된 자장인가 코일의 임피던스 차이에 따른 특성을 비교하여 좀 더 나은 설계 파라미터 값을 도출하였다. 자장인가 코일의 임피던스가 커짐에 따라 초전도 소자의 전력부담을 감소시켜 회복 시간을 줄일 수 있었고, 초전도 소자의 수명에도 큰 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.306-306
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• 2012

본 연구에서는 태양전지 소자의 온도에 따른 전류-전압(I-V) 특성 변화를 통해 태양전지 다이오드의 전기적 특성을 분석하였다. 상온 조건의 경우 공핍층 영역(SCR)과 준중성 영역(QNR)에서 각각 3.02와 1.76의 이상 계수 값을 보였으며, 온도가 300 K에서 500 K으로 상승함에 따라 SCR 영역에서는 감소하는 경향을, QNR 영역에서는 증가하는 경향을 보였다. 이는 온도 상승에 따른 공핍층 영역에서의 캐리어 흐름 증가와 대면적 공정 과정에서의 오염물 침투 및 dangling bond 등의 결함으로 인한 bulk 에서의 캐리어 재결합에 따른 것으로 판단된다. 또한 텍스처링 공정에 따른 태양전지 소자의 접합면 균일성 확인을 위한 I-V 측정 결과 SCR 영역에서는 40.87%의 평균 전류 분산을, QNR 영역에서는 10.59%의 평균 전류 분산을 보였다. 이는 텍스처링 공정으로 형성된 접합면에서의 피라미드 구조가 원인이 되는 것으로 판단되며, 전체 다이오드 전류 흐름에 영향을 주게 된다. 이러한 공정 과정에서의 결함 및 접합 구조로 인해 태양전지 다이오드는 일반 다이오드에 비해 비이상적인 전기적 특성을 보이게 된다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.07a
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• pp.68-69
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• 2013

태양광 효율 기준 규정인 IEC의 EN50530에서는 태양광발전용 PCS(Power Conditioning System)의 성능평가를 위하여 PV Simulator를 사용하도록 규정하고 있다. PV Simulator는 전압원과 전류원의 복합적인 특성을 갖는 PV array의 전원특성을 구현하여야 한다. 즉, $I_{SC}$ 동작점 부근에서는 전류원의 형태로 동작하고, $V_{OC}$의 동작점 부근에서는 전압원의 형태로 동작하여야 한다. 또한 MPP 운전점에서는 전류원도 아니고 전압원도 아닌 중간적인 동작 특성을 갖는다. 본 논문에서는 PV Simulator의 출력방식을 전압원형과 전류원형으로 구현하는 제어시스템의 동작 특성을 실험을 통하여 비교 연구한다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.4
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• pp.322-329
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• 1991

폴리테트라후로루에틸렌의 유전특성을 규명하기 위해 두께 100[.mu.m]를 시료로 선택하여 온도범위 30-150[.deg.C], 주파수범위 30~3*$10^{5}$[Hz]에서 유전특성과 열자격 전류를 측정하였다. 유전정접은 유리전이온도 부근에서 긴 체인의 마이크로 브라운 운동에 의한 손실로 이때 활성화 에너지는 15.18[kcal/mole]를 얻었으며 열자격전류방법에서 얻은 .betha. 피크의 활성화에너지와 거의 일치함을 확인하였다. 또한 열자격전류방법으로 게산된 유전정접의 크기도 유전특성의 초저주파에서 나타나는 값과 잘 일치됨을 확인하였다.다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2010.05a
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• pp.779-781
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• 2010

Trench D-MOS(double-diffusion MOS)는 기존의 D-MOS를 대체한 것으로 전체 전류의 길이를 짧게 함으로써 온전압강하가 낮아지게 된다. 따라서 소자가 턴-온시에 전력소모가 작게 되며, 온저항과 트레이드 오프관계인 턴-오프 특성도 그다지 나빠지지 않아 트레이드 오프 특성도 개선되어지는 장점이 있다. 본 논문은 MicoroTec 시뮬레이션을 이용하여 Trench D-MOS의 산화벽을 다르게하여 전류-전압 특성을 연구하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.5 no.1
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• pp.26-33
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• 2000

본 논문에서는 PWM ac-dc 컨버터의 출력직류전압 안정화를 위한 새로운 방식의 입력전류 제어기법에 대해 기술하였다. 제안한 방식의 전류제어 기법은 히스테리시스 전류제어기가 갖는 장점을 모드 갖고 있을 뿐 아니라 스위칭 손실도 최소화되는 특성을 갖는다. 기존의 히스테리시스 전류제어기와 다른 점은 PWM 컨버터 각 상 입력전류의 반주기 내에 1/3구간에서는 컨버터의 스위칭 소자가 PWM에 의한 스위칭이 이루어지지 않는다는 것이다. 더군다나 입력전류의 피크값 근처에서 스위칭이 발생하지 않으므로 한 주기 평균 스위칭 손실을 최소로 할 수 있다는 것이 특징이다. 이러한 동작 원리에 대한 설명과 제안한 방식의 특성을 해석하였으며 실험을 통하여 그 효용성을 입증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.11a
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• pp.135-136
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• 2014

본 논문은 계통연계형 인버터를 위한 비례공진제어 기반의 케스케이드전류-전압 제어기 설계에 대해 다루고있다. 인버터가 계통연계모드로 동작할 때 인버터는 계통의 보조 전력원으로서의 역할을 하기 때문에 전류원으로 정의된다. 이때 LCL 필터가 연결된 계통연계형 인버터의 출력 LC 단에 비선형 지역적 부하가 연결될 경우 기존의 단일 전류 제어기만으로는 비선형 부하로 인한 고조파 왜곡에 대처하기 힘들고 독립운전모드와의 모드절환시 매끄러운 과도 특성을 보장하기 힘들다. 따라서 본 논문에서는 비례다중공진제어기를 활용한 내부 출력 전압, 외부 출력 전류 루프로 구성된 케스케이드 전류-전압 제어기를 제안하였고 제안된 방식이 고조파 보상과 모드 절환시의 매끄러운 과도 특성에 효력을 보임을 PSIM 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.04a
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• pp.189-192
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• 2003

V-grooved inner stripe (VIS)형 양자선 레이저의 전류 주입 효율을 높이기 위하여 세가지 서로 다른 전류 차단층 구조, n-blocking on p-substrate (VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate ($VI(PN)_{n}S$), p-blocking on n-substrate (VINS)를 설계, 제작하였다. 그 중 VIPS 구조는 다른 두 구조에 비하여 약 5mW/facet 정도의 높은 광출력을 보였으며, 중심파장 818 nm, 문턱전류 39.9 mA, 외부양자효과 24%/facet, 특성온도 92K의 특성을 보였다. 또한 전류 및 온도 변화에 따른 파장변화를 각각 0.031 nm/mA와 $0.14nm/^{\circ}C$로 관찰되었다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.6 no.1
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• pp.13-20
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• 2001

In this appear, we proposed the new current mirror has large output resistance and excellent current matching characteristics. If supply voltage were lowered under the conventional CMOS operational amplifier, the wing of out put power could be restricted. So, the paper suggests a new way of differential operational amplifier circuit to solve the problem. The paper proposes that a new current mirror increases output swing and has a stable operation. We compare and verify characteristics of the proposed current mirror with the cascoded current mirror and the regulated current mirror through simulation.

• Journal of IKEEE
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• v.28 no.2
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• pp.204-208
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• 2024

In this paper, we propose an ESD protection circuit that applies structural changes to LVTSCR, a general low-voltage ESD protection circuit, to improve the current driving capability (IEC-ESD) characteristics of the ESD protection circuit. Power consumption was minimized by separating the area where the electric field and ESD current path are formed in the LVTSCR structure, and the electrical characteristics were analyzed and current driving characteristics were improved. Structural problems resulting from deterioration of system level characteristics were analyzed through simulation, and the characteristics were verified by reflecting this. The electrical characteristics of the proposed ESD protection circuit were verified using a TCAD simulator and analyzed through HBM modeling and system level modeling. In addition, silicon production and HBM 10kV characteristics were verified through DB-Hitek 0.18um BCD process.