• 제목/요약/키워드: 전류분포

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이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 전류에 대한 게이트 산화막 의존성 (Gate Oxide Dependent Subthreshold Current of Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제18권2호
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    • pp.425-430
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    • 2014
  • 본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 게이트 산화막 두께 변화에 따른 문턱전압이하 전류의 변화를 분석하였다. 이중게이트 MOSFET의 채널 내 전위분포를 구하기 위하여 포아송방정식을 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용하였다. 전위분포는 경계조건을 이용하여 채널크기에 따른 해석학적인 함수로 구하였다. 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 게이트 산화막 두께 등에 대하여 문턱전압이하 전류 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 전위모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 전류 특성을 분석하였다. 분석결과, 문턱전압이하 전류는 게이트 산화막 두께 및 가우시안 분포함수의 변수 등에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

상호Impedance에 의한 선형안테나상의 전류분포에 관하여 (A Study of Radiation Current on Linear Antennas According to Mutual Impedance)

  • 황인종
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제4권4호
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    • pp.22-27
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    • 1967
  • 임의장의 두 선형안테나를 중심의 높이가 다르게 서로 평행하게 놓았을 때의 상호임피이던스의 일반적인 표시식을 얻고 이식을 특별한 경우에 대해서 적용해본 결과 다른 이들에 의해서 제시된 것에 귀착됨이 들어나 이 일반표시식의 정당성을 확인할 수 있었다. 또한 간단한 수직편파다단안테나의 경우에 대하여 윗식을 이용해서 얻은 각 상호임피이던스로 부터 여상안테나 각부의 방사성전류분포를 계산하여 보았으며 이와같은 방법이 전류분포에 대한 하나의 간이해석법이 될 수 있다는 것을 알았다.

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권선단락에 의한 초고압 변압기 권선의 전자력 계산 연구 (An Electromagnetic Force Calculation of Internal Winding Fault in a High Voltage Transformer)

  • 하정우;신판석;한성진
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.747-748
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    • 2006
  • 본 연구에서는 전력계통에서 발생되는 surge나 고장전류에 의해서 변압기의 1차측 코일에 유도되는 전자력의 크기를 유한요소 전자계해석 프로그램(FLUX2D)을 이용하여 해석하였다. 400kVA, 6600/220(V) 단상내철형 변압기의 권선간 전자력계산을 축대칭FEM을 이용하여 각방향의 전자력을 분석하였다. 누설자속분포, 전류유입시 권선 상호간에 작용하는 힘의 변화와 힘의 분포, 전류유입시 권선 상호간에 작용하는 힘의 변화와 힘의 분포, 변압기 내부권선의 정상시와 고장전류시의 전자계비교를 전자계해석을 통하여 변압기에 미치는 영향을 해석하였다. 변압기에 대전류가 유입되는 경우의 전자력 분석결과는 변압기의 절연설계 및 단락기계력에 대한 프레임 구조 설계를 위한 자료로 활용된다.

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다중 적층 초전도선재의 전류분포가 교류손실에 미치는 영향 (Effect of AC Loss on the Current Distribution in the Multi-stacked Superconducting Tapes)

  • 변상범;이승욱;황영인;장데레사;최경달
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.2245-2246
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    • 2006
  • 병렬선재를 사용하여 권선을 제작할 경우 구성하는 초전도 선재의 임피던스의 차이에 의하여 통전전류 불균형이 발생하게 된다. 본 논문에서는 BSCCO 선재를 사용하여 제작된 병렬선재에서 전류불균형 분포에 따른 교류손실을 측정하였다. 4 가닥 병렬선재의 경우 전류 불균형이 발생한 선재에서의 교류손실이 전류 불균형이 일어나지 않을 때보다 2배 이상 증가함을 확인하였다.

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다중 적층 초전도선재의 전류분포가 교류손실에 미치는 영향 (Effect of AC Loss on the Current Distribution in the Multi-stacked Superconducting Tapes)

  • 변상범;이승욱;황영인;장데레사;최경달
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 A
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    • pp.613-614
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    • 2006
  • 병렬선재를 사용하여 권선을 제작할 경우 구성하는 초전도 선재의 임피던스의 차이에 의하여 통전전류 불균형이 발생하게 된다. 본 논문에서는 BSCCO 선재를 사용하여 제작된 병렬선재에서 전류불균형 분포에 따른 교류손실을 측정하였다. 4 가닥 병렬선재의 경우 전류 불균형이 발생한 선재에서의 교류손실이 전류 불균형이 일어나지 않을 때보다 2배 이상 증가함을 확인하였다.

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다중 적층 초전도선재의 전류분포가 교류손실에 미치는 영향 (Effect of AC Loss on the Current Distribution in the Multi-stacked Superconducting Tapes)

  • 변상범;이승욱;황영인;장데레사;최경달
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.1279-1280
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    • 2006
  • 병렬선재를 사용하여 권선을 제작할 경우 구성하는 초전도 선재의 임피던스의 차이에 의하여 통전전류 불균형이 발생하게 된다. 본 논문에서는 BSCCO 선재를 사용하여 제작된 병렬선재에서 전류불균형 분포에 따른 교류손실을 측정하였다. 4 가닥 병렬선재의 경우 전류 불균형이 발생한 선재에서의 교류손실이 전류 불균형이 일어나지 않을 때보다 2배 이상 증가함을 확인하였다.

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나선형 산란체의 전류분포 특성 (The Characteristics of Current Distribution on a Spiral Scatterer)

  • 남창호;김정기
    • 한국통신학회논문지
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    • 제11권4호
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    • pp.241-250
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    • 1986
  • 안테나 해석 및 설계에 있어 전류분포는 그 기본을 이루고 있다. 본 연구에서는 가는 도체를 평면상에 감은 나선형 산란체에 평면파가 입사한 경우의 나선형 도체의 전류분포를 적분방정식을 세워서 구하는 방법을 제시하고, 나선형 산란체의 길이(회전수)와 입사파의 입사각을 바꾼 경우의 전류분포를 계산한 결과를 제시하였다 수치 해석으로는 기저 함수로 Cubic B-Spline 함수를 이용한 Point matching 방법을 적용하였다.

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다중 적층 초전도선재의 전류분포가 교류손실에 미치는 영향 (Effect of AC Loss on the Current Distribution in the Multi-stacked Superconducting Tapes)

  • 변상범;이승욱;황영인;장데레사;최경달
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1739-1740
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    • 2006
  • 병렬선재를 사용하여 권선을 제작할 경우 구성하는 초전도 선재의 임피던스의 차이에 의하여 통전전류 불균형이 발생하게 된다. 본 논문에서는 BSCCO 선재를 사용하여 제작된 병렬선재에서 전류불균형 분포에 따른 교류손실을 측정하였다. 4 가닥 병렬선재의 경우 전류 불균형이 발생한 선재에서의 교류손실이 전류 불균형이 일어나지 않을 때보다 2배 이상 증가함을 확인하였다.

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플라즈마 식각 공정 시 비 침투적 방법으로 이온에너지 분포 측정 연구 (Noninvasive Monitoring of ion Energy Distribution in Plasma Etching)

  • 오세진;정진욱
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.2069-2071
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    • 2005
  • 본 연구에서는 플라즈마 식각 공정 시 식자률, 선택비, wafer 손상등과 중요한 관련이 있는 이온 에너지 분포(IED)를 측정하기 위해서 챔버 내에 직접적으로 분석기를 설치하지 않고 챔버 외부에서 비 침투적(noninvasive)인 방법을 사용하여 측정하였다. 이 방범은 신호선 중 한 곳에 측정 점을 잡기 위한 연결 장치만 필요하며 그곳에서의 전안 신호와 전류 신호를 오실로스코프에서 측정한 후 미리 얻어진 챔버 구조 모델링 계수 등을 통해 실제 바이어스 전극에 걸리는 전압 및 전극에서 플라즈마로 흐르는 전류를 유추한다. 전압 및 전류측정값과 power balance와 particle balance를 적용하여 얻은 플라즈마 특성 상태 변수들을 사용하여 oscillating step sheath model을 기반으로 한 분석 프로그램을 통해 실시간 이온에너지 분포 결과를 얻었다. 실제 공정 시 바이어스 주파수 변화, 바이어스 파워 변화, 소스 파워변화 조건 등에 따른 이온 에너지 분포 측정 및 분석을 통해 비 침투적측정방법 적용의 가능성과 장점을 확인하였다.

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도전성지주에 평행한 반파장 Dipole Antenna의 전류분포 (The Distribution of Radiation Current on a Halfwave Dipole Antenna and its Conductive Supporter)

  • 박성기
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제4권2호
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    • pp.29-34
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    • 1967
  • 도전성지주가 '안테나'의 방사에 주는 영향을 고찰하기 위하여 Dipole '안테나'를 도전성지주에 매우 가까히 놓고 여진하였을 경우의 전류의 분포를 해석 및 실측하였으며 양자가 잘 일치함을 확인하였다.

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