• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.18 no.5
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• pp.341-353
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• 1974

The electrochemical reduction of triphenylphosphine penylimide in nonaqueous media has been examined by polarography, cyclic voltammetry, controlled-potential coulometry and electron spin resonance spectroscopy. The reduction of triphenylphosphine phenylimide proceeds by a one-electron transfer to form anion radical which undergoes both protonation and a second one-electron reduction followed by cleavage of the phosphorus-nitrogen double bond. Aniline is a major product. The cleavage of a phosphorus-phenyl bond was also observed after reduction of triphenylphosphine oxide which is one of the major products of the chemical reaction which follow the primary process.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07d
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• pp.2735-2737
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• 2001

비젼 검사시스템에서 기판에 존재하는 납 형상의 패턴을 분류함으로써 사전에 불량을 줄일 수 있다. 이러한 경우 대부분의 불량은 부정확한 납의 위치 및 두께로 인해 발생하게 되는데, 이러한 문제를 해결하기 위해 주어진 경계 내에 불분명하게 형성된 납의 형태 및 두께를 정상과 불량으로 분류하기 위해 무게중심점에 기초한 정합과 XOR연산을 이용한 비젼 검사시스템을 제안하였다. 제안한 비젼 검사시스템을 인쇄회로기판상의 납땜형상 패턴에 적용하여 제안한 방법의 성능을 검증하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.219-219
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• 2007

Ni stamper위에 100nm의 Si 코팅후 자기조립 단문자막(SAM)을 액상 코팅방식으로 형성 하였고, 내구성 및 열적 안정성을 검증하기 위해 반복적인 이형 및 압력인가test가 실시하였다. 20 회 이상의 이형실험을 통해 열적, 기계적 안정성을 확인하고, 접촉각 측정을 통해 이형특성의 안정성도 고찰하였다. 이를 Imprint공법을 적용 fine pattern의 구조물을 얻을수 있었다. SAM코팅은 TRICHLOROSILANE을 사용하였으며 Hexane과 1000:1의 비율로 섞어서 stirrer에서 mixing하는 방식을 사용했으며, UV-ozone처리를 통한 이형성 제거 효과도 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.209-209
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• 2007

Ni stamper위에 100nm의 Si 코팅후 자기조립 단분자막(SAM)을 액상 코팅방식으로 형성 하였고, 내구성 및 열적 안정성을 검증하기 위해 반복적인 이형 및 압력인가 test가 실시하였다. 20회 이상의 이형실험을 통해 열적, 기계적 안정성을 확인하고, 접촉각 측정을 통해 이형특성의 안정성도 고찰하였다. 이를 Imprint공법을 적용 fine pattern의 구조물을 얻을 수 있었다. SAM코팅은 TRICHLOROSILANE을 사용하였으며 Hexane과 1000:1의 비율로 섞어서 stirrer에서 mixing하는 방식을 사용했으며, UV-ozone처리를 통한 이형성 제거 효과도 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.153-156
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• 2005

원자층 증착 (atomic layer deposit : ALD) 방식으로 증착한 $Al_2O_3$의 건식식각 특성을 연구하였다. 전자 싸이클로트론 공진 (electron cyclotron resonance : ECR) 방식의 건식식각장치에서 source power, bias power, 압력 그리고 $Cl_2$ 가스를 변수로 하여 $Al_2O_3$의 식각속도와 Poly-Si 의 $Al_2O_3$에 대한 선택비를 측정하였다. bias power가 감소할수록 그리고 압력이 증가할수록 $Al_2O_3$의 식각속도는 감소하였고 Poly-Si 의 $Al_2O_3$에 대한 선택비는 증가하였다. 이 특성을 이용하여 TiN/$Al_2O_3$/Poly-Si 구조의 캐패시터와 Periphery 회로영역의 레지스터를 $Al_2O_3$를 식각 정지막으로 이용하여 구현하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.343-343
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• 2006

집적회로기판의 소형화 추세에 따라 커패시터, 인덕터, 저항과 같은 수동소자를 PCB 기판내부에 임베딩하는 연구가 국내외에서 활발하게 진행되고 있다. 본 논문에서는 polymer-metal-ceramic의 3상 복합체 구조를 가지는 임베디드 커패시터에서 Bimodal PZT분말에 따른 유전 특성에 대하여 고찰하였다. 매트릭스를 형성하는 고분자 재료로는 PMMA(polymethyl methacrylate)를 사용하였으며, 충분히 혼합된 분말을 고온에서 프레싱하여 시편을 제조하였다. 유전특성은 임피던스분석기 및 LCZ 미터를 이용하여 측정하였으며, 실험결과는 혼합법칙과 Percolation 이론을 이용하여 해석하였다.

• Journal of the Korean Geotechnical Society
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• v.34 no.10
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• pp.29-38
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• 2018

The slime formed at the bottom of the borehole causes the excessive displacement and loss of the bearing capacity of the drilled shaft. In this study, the slime meter is developed for the evaluation of the slime based on the electrical properties of the fluid and the slime in the borehole. The slime meter is composed of a probe instrumented with electrodes and temperature sensor and a frame with rotary encoder, so that the slime meter profiles the electrical resistivity compensated with temperature effect along the depth. For the application of the slime meter, three field tests are conducted at a borehole with a diameter of 3 m and a depth of 46.9 m with different testing time and locations. For all the tests, the experimental results show that while electrical resistivities are constantly measured in the fluid, the electrical resistivities sharply increase at the surface of the slime. Therefore, the slime thicknesses are estimated by the differences in the depths of the slime surface and the ground excavation. The experimental results obtained at the same testing point with different testing time show that the estimated thickness of the slime increases by the elapsed time. Also, the estimated slime at the side of the borehole is thicker than that at the center of the borehole. As the slime meter estimates the slime in the borehole by measuring the electrical resistivity with simple equipment, the slime meter may be effectively used for the evaluation of the slime formed at the bottom of the borehole.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.190-190
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• 2009

전자산업에의 필수인 커패시터는 소형화, 저저항, 고전압을 향한 추세가 늘고 있으며, 이외에도 고전압 전원, 고전압 회로 등 중전기기에 필요한 고전압, 고용량 커패시터가 사용되고 있다. 중전기기에 사용되는 커패시터는 기기에 따라 틀리지만 내전압이 보통 10kV 이상이고 정전용량이 500pF 안팎이며, 대부분 외국에서 수입에 의존하고 있는 실정이다. 본 연구에서는 $Nb_2O_5$를 2mol% 첨가한 $BaTiO_3$를 일반적인 고상 소결법으로 제조하고 성형 시 crack을 방지하기 위해 binder 및 plasticizer를 사용하였으며, binder 첨가량에 따른 성형밀도를 측정하여 최적의 binder양을 선택하였다. 성형 밀도가 떨어짐에 따라 절연파괴강도가 낮아지기 때문에 성형 밀도를 높이기 위해 CIP를 하였으며, 소결후 capacitance와 d-factor를 측정하여 수치가 허용 범위에 들어 올 경우 전극을 형성하고 표면파괴를 방지하기 위하여 epoxy로 표면코팅을 하였다. DC 60kV용 Hi-pot tester를 사용하여 15kV까지 선형적으로 증가시켜 내전압 테스트를 실시하였으며, 제조 된 커패시터 중 몇 개의 sample을 SEM 및 XRD를 사용하여 미세구조와 결정상을 조사하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1243-1244
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• 2007

전자주개물질 (elelctron donating material)인 poly(3-hexylthiophene) (P3HT)와 전자받개물질 (electron accepting material)인 티타니아 ($TiO_2$)를 이용한 복합형 태양전지에 대해 연구하였다. 유기물 태양전지에 응용되는 전도성 고분자의 여기자 (exiton)의 확산거리가 매우 짧기 때문에 그것을 보완하기 위해 전자주개물질과 받개물질의 표면적을 넓힐 필요가 있다. 비교적 패턴을 형성하기 쉬운 무기물인 티타니아를 이용해 표면적을 증가시켰으며 그렇지 않은 태양전지에 비해 효율이 두 배 증가하는 것을 볼 수 있었다. 티타니아의 표면적을 증가시킨 태양전지의 개방회로전압 ($V_{oc}$), 단락회로전류 ($I_{sc}$), FF (fill factor) 및 효율 (${\eta}$)은 각각 560 mV, 0.657 mA, 48.3 %, 0.18% 이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1315_1316
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• 2009

ZnO는 비선형 전류전압 특성으로 인해 급작스런 과전류로부터 회로를 보호하는 바리스터로 널리 사용되고 있다. 이러한 바리스터의 전기적 특성 및 미세조직을 제어하기 위하여 다양한 첨가물을 넣은 ZnO 바리스터의 미세구조에는 대부분의 입자에 wurtzite 구조의 결정학적 극성이 바뀌는 inversion boundary (IB)가 존재한다. ZnO의 비선형 전류전압 특성이 반도성의 ZnO 입자간 계면에 형성되는 쇼트키 장벽에 기인함을 감안할 때 계면의 결정화학적 특성에 영향을 주는 IB에 대한 이해는 필수적이다. 본 연구에서 IB가 ZnO 바리스터의 성능에 미치는 영향을 규명하기 위하여 ZnO-$Bi_2O_3$에 각각 $Sb_2O_3$ 또는 $TiO_2$ 를 첨가하여 결정학적 특성이 서로 상반되는 IB를 유도하였고, 첨가량을 조절하여 모든 입자가 IB를 가지도록 하였다. 화학 에칭을 한 시편의 SEM 관찰을 통해 입자의 형상, 크기, 분포 및 IB의 결정학적 특성 등을 분석하였다. 각 시편의 바리스터 특성은 임피던스의 온도 의존성과 상온에서의 전류-전압 특성을 통해 평가하였다. 관찰된 전기적 특성들을 입내 IB의 결정학적 구조와 이로부터 결과되는 입계면의 극성의 차이를 통해 해석하고자 한다.