• Title/Summary/Keyword: 전기 회로 형성

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세라믹 PTC 서미스터의 입계 장벽과 자기제어 정온발열 기능의 상관성 (Correlation between Grain-boundary Barrier-height and Self-controlled Fixed-temperature Heat-generation Function of Ceramic PTC Thermistor)

  • 소대화;임병재
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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    • pp.240-241
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    • 2005
  • 비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖는 PTC thermistor는 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내다가 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 $BaTiO_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로 저항-온도 특성 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser), 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 그 응용성을 조사하였다.

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한빛 자기거울 장치의 고주파 가열 시스템에 대한 등가회로 모델 정립 및 정합 특성 분석 (Establishment of an Equivalent Circuit Model and Analysis of Impedance Matching Characteristics of RF-Heating System in Hanbit Magnetic Minor Device)

  • 이종규;윤남식;박병호
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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    • pp.568-569
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    • 2005
  • 한빛 자기거울 장치는 고온 플리즈마 물성을 연구하기 위한 장치로서 플러즈마 밀도 형성을 위한 slot 형 안테나 고주파 가열 시스템이 중앙 진공용기에 설치되어 있다. 본 연구에서는 이러한 고주파 전송선로, 임피던스 정합 network. 장치 임피던스를 포함하는 한빛 장치의 고주파 가열 시스템에 대하여 기존에 정립된 고주파 가열 이론[1]을 기반으로 하여 이론적인 해석만으로 구성된 회로모델을 완성하였다. 임피던스 정합 소자 값들은 임피던스 정합 조건으로 결정함으로써 다양한 장치 및 플라즈마 변수들의 함수로 표현하여 그 의존성을 조사하였다.

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반도체 제품의 CVD Barrier Metal기인 Contact불량 연구 (Defect Characterization & Control for the Metal Contact with CVD Barrier Metal in Memory Device)

  • 박상준;윤주병;이경우;이상익;김진성;채승기;채희선;노용한
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.179-180
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    • 2007
  • 반도체의 최소 회로 선폭이 감소함에 따라 Contact 저항이 크게 증가하게 된다. Contact 저항을 낮추기 위하여 Tungsten Metal Contact을 일반적으로 사용하며, Si 기판과의 Ohmic 접촉 및 WF6의 Fluorine과 Si 반응을 억제하기 위한 Barrier Metal로 Ti/TiN 이중막을 사용한다. 본 논문에서는 90nm급 이하 제품의 CVD Ti/TiN Barrier Metal이 유발하는 불량 현상과 원인 규명에 대하여 연구하였으며, Ohmic Contact형성을 위해 TiSix형성 최적화 방안에 대해 정리하였다.

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ISL 트랜지스터의 특성 파라메터 추출 (The Characteristics Parameter extract of ISL ( Intergrated Schottky Logic ) Transistor)

  • 장창덕;이정석;이용재
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.5-8
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    • 1998
  • 기존의 바이폴라 논리회로에서 신호변환시 베이스 영역의 소수 캐리어를 빨리 제거 하기 위해서, 베이스 부분의 매몰충을 줄여서 npn트랜지스터의 베이스와 에피충과 기판사이에 병합 pnp 트랜지스터를 생성한 트랜지스터와 게이트 당 전달 지연 시간을 측정하기 위한 링-발진기를 설계, 제작하였다. 게이트의 구조는 수직 npn 트랜지스터와 기판과 병합 pnp 트랜지스터이다. 소자 시뮬레이션의 자료를 얻기 위하여 수직 npn 트랜지스터와 병합 pnp 트랜지스터의 전류-전압 특성을 분석하여 특성 파라미터를 추출하였다. 결과로서 npn 트랜지스터의 에미터의 면적이 기존의 접합넓이에 비해서 상당히 적기 때문에 에미터에서 진성베이스로 유입되는 캐리어와 가장자리 부분으로 유입되는 캐리어가 상대적으로 많기 때문에 이 많은 양은 결국 베이스의 전류가 많이 형성되며, 또 콜렉터의 매몰층이 거의 반으로 줄었기 때문에 콜렉터 전류가 적게 형성되어 이득이 낮아진다. 병합 pnp 트랜지스터는 베이스폭이 크고 농도 분포에서 에미터의 농도와 베이스의 농도 차이가 적기 때문에 전류 이득이 낮아졌다. 게이트를 연결하여 링-발진기를 제작하여 측정한 AC특성의 출력은 정현파로 논리전압의 진폭은 200mV, 최소 전달 지연시간은 211nS이며, 게이트당 최소 전달지연 시간은 7.26nS의 개선된 속도 특성을 얻었다.

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인라인 가변 광섬유 감쇠기 제작 및 특성 측정 (Fabrication and characterization of in-line fiber-optic tunnable attunuator)

  • 김효겸;윤대성;문정원;김광택
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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    • pp.22-23
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    • 2003
  • 광섬유 가변 감쇠기는 광증폭기, add/drop 모듈, Mux/Demux, 광송수신기 등 중요한 광통신 시스템의 입력 및 출력 광신호 레벨을 적절하게 제어하기 위해 요구되는 중요한 소자이다. 가변 감쇠기는 높은 신뢰성, 높은 해상도, 작은 삽입손실, 낮은 편광 및 파장 의존성 손실 등이 요구되어 진다. 가변 광감쇠기는 평면 기판에 형성된 도파로 의 열광학 효과나 전기광학 효과를 이용하는 기법과 MEMS 기술에 기초한 방법이 잘 알려져 있다. (중략)

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다중공진회로를 이용한 고효율 DC-DC 컨버터 (High-Efficiency DC-DC Converter using the Multi-Resonant-Circuit)

  • 정강률
    • 전기전자학회논문지
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    • 제25권1호
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    • pp.218-228
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    • 2021
  • 본 논문에서는 다중공진회로를 이용한 고효율 DC-DC 컨버터를 제안한다. 제안한 컨버터는 하프브리지 전력구조이며 컨버터의 고효율화를 위해 2개의 인덕터(LL)와 1개의 커패시터(C)로 구성된 다중공진회로를 이용한다. 이 다중공진회로는 동작모드에 따라, 각각의 공진주파수를 가진 직렬회로 형태의 공진회로를 각각 형성한다. 본 논문에서는 먼저, 동작모드와 정상상태 기본파 근사 모델링에 의해 제안한 컨버터의 동작원리를 설명한다. 그다음 이에 근거하여 제안한 컨버터의 설계예시를 보인다. 그리고 설계된 회로 파라미터에 의해 제작된 프로토타입 컨버터의 실험결과를 통하여 제안한 컨버터의 고효율 DC-DC 전력변환 동작특성을 입증한다.

무전해 구리도금 박막의 특성분석

  • 조양래;윤재식;;이연승;김형철;나사균
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.281-281
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    • 2013
  • 본 연구에서는 고출력 금속 인쇄회로기판(Metal PCB) 개발을 위해 절연층으로 양극산화막을 형성하고 이 절연층 위에 Screen Printing 법을 이용하여 Ag paste를 패턴 인쇄한 알루미늄 기판을 사용하였다. 이 기판 위에 무전해 방식으로 구리 박막을 성장시켜, 무전해 도금 조건이 구리 박막 성장에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 무전해 도금 시, pH 농도와 plating 온도를 변화시켜 이 변화에 따른 무전해 구리도금 박막의 물리적/전기적 특성을 비교 분석하여 무전해 도금에 의해 형성된 구리 박막과 기판과의 상관 관계도 비교 검토하였다. XRD (X-ray Diffraction), 광학현미경, FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope)등을 이용하여 성장된 구리 박막 및 기판의 결정성, 표면 및 단면 형상 등을 측정하였고, XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 무전해 도금에 의한 Cu의 화학구조 및 불순물 상태를 조사하였다.

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병렬아크의 전기적 특이점에 관한 연구 (A Study on the Electrical Properties of Parallel Arc)

  • 김동욱;이기연;김향곤;정영식
    • 한국화재소방학회:학술대회논문집
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    • 한국화재소방학회 2012년도 춘계학술발표회 초록집
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    • pp.452-455
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    • 2012
  • 전기배선 또는 코드가 가구 등의 무거운 물건에 깔리거나 진동이나 날카로운 모서리 등에 의해 피복이 손상되어 회로의 누설에 의한 경우 먼지 등 오염물질이 쌓여 습기를 포함하면 전기통로가 형성된다. 즉, 트래킹(tracking)현상과 부품의 열화 등에 의한 누설전류가 흘러 발생하는 전기적 조건의 변화 등이 있다. 또한 전기설비가 규격미달이나 노후된 경우, 전기설비를 변경할 경우, 혹은 전기설비가 잘못 사용되거나 기기와 맞지 않을 경우에 화재가 발생할 수 있다. 본 논문에서는 일반적으로 가정에서 사용되는 전원코드에서 충전부에 흡습되어 나타날 수 있는 병렬아크에 의해 전원코드가 열화되어 용융되는 특성을 고찰하였다.

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전기분전반용 블록형 부스 바의 구조 설계 연구 (The Structural Design of the Bus-bar block type of electrical switch boards)

  • 권영민;황찬규;김근호;한희
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제17권2호
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    • pp.378-385
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    • 2016
  • 전기 분 배전반의 내부 회로 인 부스 바는 충전부의 노출로 인해 전기 사고의 원인이 되며 이로 인한 감전 사고와 단락 사고가 발생된다. 또한 동물 및 이물질 침투로 인한 전기 화재 사고가 발생되는 원인이 되기도 한다. 또한 확장이 불가능한 구조로 무리하게 연결하여 사용하므로 접촉 저항 증가 발생으로 과열 사고를 유발시키기도 하며, 절단과 절곡 등의 제조 공정상의 어려움을 가지고 있기 때문에 주문생산방식을 택할 수밖에 없는 현실이며, 긴급전기 사고 발생시 복구하는데 지연되는 원인이 되기도 한다. 본 논문에서는 이와 같은 문제점을 개선하기 위해서 분 배전반의 모선을 절단하여 개별 블록으로 절연 난연 케이스와 격벽 구조화로 안전성을 높여 모듈 블록화 하였으며, 확장성과 유연성을 구현하였으며, 쉽게 확장이 가능한 구조이며, 또한 쉽게 분 배전반을 조립할 수 있다는 것이며, 이와 같이 전기적 위험 요소를 제거한 전기 분 배전반의 내부 구조는 블록형 부스 바 구조를 가지고 메인차단기와 분기차단기간의 회로 형성 구현 방식의 분 배전반를 제안하고 공인시험기관의 시험을 통해 그 유용성을 입증 하였다.

전기증착법을 이용한 ZnO 막대구조의 형성 및 염료감응형 태양전지에의 응용 (Fabrication of ZnO Rod by Electrodeposition and Its Application to Dye Sensitized Solar Cell)

  • 김혜영;조윤경;이기영;이인회;탁용석
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제50권1호
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    • pp.162-166
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    • 2012
  • 본 연구에서는 전해증착법과 열처리를 통하여 ITO 투명전극 위에 고밀도의 ZnO 막대구조를 형성하는 방법을 조사하였다. 증착과정에서 $Zn(OH)_2$와 ZnO가 함께 형성되는 것을 고려할 때 전기화학적 ZnO 증착효율은 33% 이하를 나타내었다. $500^{\circ}C$ 열처리 후 ZnO는 (002)를 선택적으로 갖는 결정구조를 형성하며, 나노막대 구조의 성장속도는 0.986 ${\mu}m/hr$로 측정되었다. 그리고 전기화학적으로 제조한 ZnO 막대를 염료감응 태양전지의 전극으로 사용시 측정된 전지효율은 0.21%로서 태양전지용 전극으로서의 가능성을 확인하였다.