Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.11a
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- Pages.179-180
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- 2007
Defect Characterization & Control for the Metal Contact with CVD Barrier Metal in Memory Device
반도체 제품의 CVD Barrier Metal기인 Contact불량 연구
- Park, Sang-Jun (Samsung Electronics Semiconductor Business) ;
- Yoon, Joo-Byoung (Samsung Electronics Semiconductor Business) ;
-
Lee, Kyung-Woo
(Samsung Electronics Semiconductor Business)
;
- Lee, Sang-Ick (Samsung Electronics Semiconductor Business) ;
- Kim, Jin-Sung (Samsung Electronics Semiconductor Business) ;
- Chae, Seung-Ki (Samsung Electronics Semiconductor Business) ;
- Chae, Hee-Sun (Samsung Electronics Semiconductor Business) ;
- Roh, Yong-Han (Sungkyunkwan Univ.)
- 박상준 (삼성전자(주) 반도체 총괄) ;
- 윤주병 (삼성전자(주) 반도체 총괄) ;
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이경우
(삼성전자(주) 반도체 총괄)
;
- 이상익 (삼성전자(주) 반도체 총괄) ;
- 김진성 (삼성전자(주) 반도체 총괄) ;
- 채승기 (삼성전자(주) 반도체 총괄) ;
- 채희선 (삼성전자(주) 반도체 총괄) ;
- 노용한 (성균관 대학교)
- Published : 2007.11.01
Abstract
반도체의 최소 회로 선폭이 감소함에 따라 Contact 저항이 크게 증가하게 된다. Contact 저항을 낮추기 위하여 Tungsten Metal Contact을 일반적으로 사용하며, Si 기판과의 Ohmic 접촉 및 WF6의 Fluorine과 Si 반응을 억제하기 위한 Barrier Metal로 Ti/TiN 이중막을 사용한다. 본 논문에서는 90nm급 이하 제품의 CVD Ti/TiN Barrier Metal이 유발하는 불량 현상과 원인 규명에 대하여 연구하였으며, Ohmic Contact형성을 위해 TiSix형성 최적화 방안에 대해 정리하였다.