• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10c
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• pp.446-448
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• 2006

DRAM with ECC is used widely and the size of DRAW increases. According to this, DRAM initial time, especially the time to make the whole area typical value, 0, increases. This paper introduces the method that without any additional hardware, using characteristic of DRAM and DRAM controller, minimize that memory initial time. Conservative reordering - it eliminates DRAM read time and makes write buffer used - reduces initial time to make the whole DRAM area 0, by 95.36% for DDR DRAM. 9341% for Rambus DRAM.

• KIPS Transactions on Computer and Communication Systems
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• v.8 no.7
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• pp.159-166
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• 2019

Unlike modern Solid-State Drives with DRAM, DRAM-less SSDs do not have DRAM because they are cheap and consume less power. Obviously, they have performance degradation problem due to lack of DRAM in the controller and this problem can be alleviated by utilizing host memory buffer(HMB) feature of NVMe, which allows SSDs to utilize the DRAM of host. In this paper, we show that commercial DRAM-less SSDs surely exhibit lower I/O performance than other SSDs with DRAM, but they can be improved by utilizing the HMB feature. Through various experiments and analysis, we also show that DRAM-less SSDs mainly exploit the DRAM of host as mapping table cache rather than read cache or write buffer to improve I/O performance.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.163-166
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• 2004

모바일향 90nm DRAM을 개발하기 위하여 비대칭 채널 구조를 갖는 Recess Channel Array Transistor (RCAT)로 cell transistor를 구현하였다. DRAM cell transistor에서 junction leakage current 증가는 DRAM retention time 열화에 심각한 영향을 미치는 요인으로 알려져 있으며, DRAM의 minimum feature size가 점점 감소함에 따라 short channel effect의 영향으로 junction leakage current는 더욱 더 증가하게 된다. 본 실험에서는 short channel effect의 영향에 의한 junction leakage current를 감소시키기 위하여 Recess Channel Array Transistor를 도입하였고, cell transistor의 채널 영역을 비대칭으로 형성하여 data retention time을 증가시켰다. 비대칭 채널 구조을 이용하여 Recess Channel Array Transistor를 구현한 결과, sub-threshold 특성과 문턱전압, Body effect, 그리고, GIDL 특성에는 큰 유의차가 보이지 않았고, I-V특성인 드레인 포화전류(IDS)는 대칭 채널 구조인 transistor 대비 24.8% 정도 증가하였다. 그리고, data retention time은 2배 정도 증가하였다. 본 실험에서 얻은 결과는 향후 저전압 DRAM 개발과 응용에 상당한 기여를 할 것으로 기대된다.

• Journal of Digital Contents Society
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• v.18 no.5
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• pp.943-948
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• 2017

Currently, embedded systems designed for specific applications are used extensively in consumer electronics, smart phones, autonomous vehicles, robots, and plant control, etc. In addition, the importance of DRAM, which has a great influence on the performance of an embedded processor constituting an embedded system, has been increasing day by day, and research on DRAM has been actively conducted in industry and academia. Therefore, it is important to have a more accurate DRAM model in order to obtain reliable results when evaluating the performance of an embedded processor through simulation. In this paper, we developed an embedded processor simulator capable of interworking with a DRAM simulator. We also analyzed the influence of the DRAM model, which operates correctly on a cycle-by-cycle basis, on the performance of the embedded processor by using the MiBench embedded benchmark.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.18 no.3
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• pp.177-183
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• 2018

Currently, digital signal processing systems are used extensively in image processing, audio processing, filtering, and equalizations, etc. In addition, the importance of DRAM, which has a great influence on the performance of an digital signal processor has been increased, making research on DRAM actively conducted in industry and academia. Therefore, it is important to have a more accurate DRAM model in order to obtain reliable results when evaluating the performance of a digital signal processor through simulation. In this paper, we developed a digital signal processor simulator capable of inter-working with a DRAM simulator. With the simulator, we analyzed the influence of the DRAM model which operates correctly on a cycle-by-cycle basis, on the performance of the digital signal processor by using the UTDSP digital signal benchmark.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.264-264
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• 2011

1T-1C로 구성되는 기존의 dynamic random access memory (DRAM)는 데이터를 저장하기 위해 적절한 커패시턴스를 확보해야 한다. 따라서 커패시터 면적으로 인한 집적도의 한계에 직면해있으며, 이를 대체하기 위한 새로운 DRAM인 1T- DRAM이 연구되고 있다. 기존의 DRAM과 달리 silicon-on-insulator (SOI) 기술을 이용한 1T-DRAM은 데이터 저장을 위한 커패시터가 요구되지 않는다. 정공을 채널의 중성영역에 축적함으로서 발생하는 포텐셜 변화를 이용하며, 이때 발생하는 드레인 전류차를 이용하여 '0'과 '1'을 구분한다. 기존의 완전공핍형 평면구조의 1T-DRAM은 소스 및 드레인 접합부분에서 발생하는 누설전류로 인해 '0' 상태의 메모리 유지특성이 열화되는 단점을 가지고 있다. 따라서 메모리의 보존특성을 향상시키기 위해 소스/드레인 접합영역을 줄여 누설전류를 감소시키는 구조를 갖는 1T-DRAM의 연구가 필요하다. 또한 고유전율을 가지는 Si3N4를 이용한 oxide-nitride-oxide (ONO)구조의 게이트 절연막을 이용하면 동일한 두께에서 더 낮은 equivalent oxide thickness (EOT)를 얻을 수 있기 때문에 보다 저 전압에서 1T-DRAM 동작이 가능하여 기존의 SiO2 단일층을 이용한 1T-DRAM보다 동일 전압에서 더 큰 sensing margin을 확보할 수 있다. 본 연구에서는 누설전류를 감소시키기 위하여 소스 및 드레인이 채널위로 올려진 recessed channel 구조에 ONO 게이트 절연막을 적용한 1T-DRAM을 제작 및 평가하고, 본 구조의 1T-DRAM적용 가능성 및 ONO구조의 게이트 절연막을 이용한 sensing margin 개선을 확인하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.15 no.6 s.66
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• pp.118-127
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• 2000

DRAM 메모리는 FPM DRAM, EDO DRAM, SDRAM, DDR/DDR II SDRAM, RDRAM, FCRAM 등의 범용 구조와 VRAM, WRAM, CDRAM, MDRAM 등의 디스플레이용 구조로 크게 나눌 수 있다. DRAM의 가장 큰 어플리케이션은 PC 부문이며, DRAM은 각 어플리케이션별 비용/성능 트레이드 오프에 따라 선호되는 구조가 달라서 당분간은 여러 구조가 공존할 것으로 보인다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.7 no.2
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• pp.157-164
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• 1994

DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 반도체 소자중 가장 대표적인 기억소자로, switch역활을 하는 1개의 transistor와 data의 전하를 축적하는 1개의 capacitor로 구성된 단순한 구조와 고집적화에 용이하다는 이점을 바탕으로, supercomputer에서 가전제품 및 산업기기에 이르기 까지 널리 이용되어왔다. 한편으로 DRAM사업은 고가의 장치사업으로 조기시장 진입을 위하여 초기에 막대한 자본투자, 급속한 기술발전, 짧은 life cycle, 가격급락등이 심하여, 시한내 투자회수가 이루어져야 하는 위험도가 큰 기회사업이라는 양면성도 가지고 있다. 이러한 관점때문에 새로운 DRAM기술은 매 세대마다 끊임없이 빠른 속도로 개발되어왔다. 그러나 sub-micron이하의 DRAM세대로 갈수록 그에 대한 신기술은 점차 어렵게 되어가고, 한편으로는 system의 다양화에 따른 요구도 강하여, 이제는 통상적인 DRAM의 고집적화/저가의 전략만으로는 생존하기 어려운 실정이므로 개발전략도 수정하여야만 할 것이다. 이러한 어려운 기술한계를 극복하기 위하여 새로운 소자기술 및 공정개발에 대한 breakthrough가 이루어져야 할 것이다. 이러한 관점에서 현재까지의 DRAM개발 추이와 향후의 기술방향에 관하여 몇가지 중요한 item을 설정하여 논의해 보기로 한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.2
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• pp.87-94
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• 2001

A soft error rate for DRAM was predicted in connection with the leakage current in cell capacitor. The charge in cell capacitor was decreased during the DRAM operation, and soft error retes due to the leakage current were calculated in various operation mode of DRAM. It was found that the soft error rate of the /bit mode was dominant with small leakage current, but as increasing the leakage current memory mode shown the dominant effect on soft error rate. Using the 256M grade DRAM structure it was predicted that the soft error rate was influenced by the change of the cell capacitance, bit line capacitance, and the input voltage sensitivity of sense amplifier, and these results can be used to the design of the optimum cells in the next generation DRAM development.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.109-109
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• 2011

1T-1C로 구성되는 기존의 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 데이터를 저장하기 위한 적절한 capacitance를 확보해야 한다. 따라서 캐패시터 면적으로 인한 집적도에 한계에 직면해있다. 따라서 이를 대체하기 위한 새로운 DRAM인 1T (Transistor) DRAM이 각광받고 있다. 기존의 DRAM과 달리 SOI (Silicon On Insulator)기술을 이용한 1T-DRAM은 데이터 저장을 위한 캐패시터가 필요없다. Impact Ionization 또는 GIDL을 이용해 발생한 정공을 채널영역에 가둠으로 서 발생하는 포텐셜 변화를 이용한다. 이로서 드레인 전류가 변화하며, 이를 이용해 '0'과 '1'을 구분한다. 기존의 1T-DRAM은 단결정 실리콘을 이용하여 개발되었으나 좀더 광범위한 디바이스로의 적용을 위해서는 다결정 실리콘 박막의 형태로 제작이 필수적이다. 단결정 실리콘을 이용할 경우 3차원 집적이나 기판재료선택에 제한적이지만 다결정 실리콘을 이용할 경우, 기판결정이 자유로우며 실리콘 박막이나 매몰 산화층의 형성 및 두께 조절이 용이하다. 때문에 3차원 적층에 유리하여 다결정 실리콘 박막 형태의 1T-DRAM 제작이 요구되고 있다. 따라서 이번연구에서는 엑시머 레이저 어닐링 및 고상결정화 방법을 이용하여 결정화 시킨 다결정 실리콘을 이용하여 1T-DRAM을 제작하였으며 메모리 특성을 확인하였다. 기판은 상부실리콘 100 nm, buried oxide 200 nm로 구성된 SOI구조의 기판을 사용하였다. 엑시머 레이저 어닐링의 경우 400 mJ/cm2의 에너지를 가지는 KrF 248 nm 엑시머 레이저 이용하여 결정화시켰으며, 고상결정화 방법은 $400^{\circ}C$ 질소 분위기에서 24시간 열처리하여 결정화 시켰다. 두가지 결정화 방법을 사용하여 제작되어진 박막트랜지스터 1T-DRAM 모두 kink 현상을 확인할 수 있었으며 메모리 특성 역시 확인할 수 있었다.