• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.11d
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• pp.122-126
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• 2004

직격뇌가 높은 건축물에 치거나 인접 건물로부터 뇌전류가 유입되었을 때 잘못된 피뢰설비로 인한 피해는 매우 심각한 실정이다. 낙뢰가 치는 순간에 반도체와 같은 민감한 전자부품을 사용하는 전자 및 통신기기는 뇌전류로 인한 전자기장의 영향으로 오동작이 발생하거나 부품의 손상을 입기가 쉽다. 본 논문에서는 건축물 구조체에 직격뇌가 유입되었을 때 건축물 구조체 및 건물 주위에 나타나는 전위분포특성을 연구하였다. 본 논문에서 30m 높이 건축물의 상부 모서리와 중앙부 그리고 건축물 하부 모서리와 중앙부로 뇌전류가 유입된다고 가정하여 건축물의 전계분포특성을 시뮬레이션하였으며, 뇌전류는 2중 지수함수형태로 모의된 20kA 임펄스 서지 전류를 주입하였다. 뇌서지 전류의 주파수 특성은 Fast Fourier Transform(FFT)을 이용하여 얻었으며, 얻어진 주파수 값을 이용하여 건축물 구조체와 인접지역의 Scalar Potentials과 Electric Fields의 특성을 시뮬레이션하였다. 또한 철골 빔 건축물의 철골 빔에 직접 뇌전류가 유입되는 경우와 건물 하부의 접지전극에 뇌전류가 유입되는 경우로 분리 하여 연구하였다. 그 결과 뇌전류의 유입경로가 건축물의 모서리부분 보다는 중심부에 위치될 때 전위 및 전계 크기가 작았으며 건축 철골구조물보다 건축물 하부에 접지전극이 설치될 때 더 낮은 전계 값을 갖는 것을 확인하였다.

• Journal of Advanced Navigation Technology
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• v.12 no.6
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• pp.653-658
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• 2008

The automotive environment is particularly demanding on connector performance, and is characterized by large temperature changes, high humidity and corrosive atmospheres. Fretting is a contact damage process that occurs between two contact surfaces. Fretting corrosion refers to corrosion damage at the asperities of contact surfaces. This damage is induced under load and in the presence of repeated relative surface motion, as induced for example by vibration. This paper critically reviews the works published previously on fretting corrosion of electrical connectors. Various experimental approaches such as testing machines, material selection, testing environments, acceleration testing techniques and preventing methods are addressed. Future research prospects arc suggested.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.654_655
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• 2009

접지의 실시목적은 감전 및 전위상승에 따른 전기위험으로 인체를 보호하고 전기, 전자, 통신기기등이 외, 내부 surge 발생 시 기기를 보호하여 안전하게 사용하기 위한 것이다. 접지방법은 이전에는 접지극 설치에 의하여 단순히 접지저항을 측정하여 접지저항값이 기준치에 적합하면 접지가 올바르게 실시된 것으로 간주하였으나 현재는 전자 기기 및 통신기기등의 발달로 인하여 전자부품이 noise에 취약하기 때문에 복잡하고 체계적인 접지시스템 설계의 필요성이 대두되었다, 이에 따라 본 논문에서는 접지시스템의 설계방법, 설계시 고려요소, IEEE,IEC의 규격에서의 접지설계방법등에 대하여 고찰하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.321-322
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• 2005

In this paper, we dealt with a partial discharge(PD) measurement system that has been accepted as an effective and non-destructive technique for estimating reliabilities of low-voltage electrical and electronic components. Calibration tests on laboratory set-up have shown that the PD measurement system has a stable sensitivity of 37.6 mv/pC. In an application test on photo coupler, we could detect 0.1 pC level of partial discharge at the applied voltage of AC 520 $V_{peak}$.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.36 no.2
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• pp.99-108
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• 2023

Currently, semiconductor manufacturing industry heavily relies on a wide range of high global warming potential (GWP) gases, particularly during etching and cleaning processes, and their use and relevant carbon emissions are subject to global rules and regulations for achieving carbon neutrality by 2050. To replace high GWP gases in near future, dry etching using alternative low GWP gases is thus being under intense investigations. In this review, we report a current status and recent progress of the relevant research activities on dry etching processes using a low GWP gas. First, we review the concept of GWP itself and then introduce the difference between high and low GWP gases. Although most of the studies have concentrated on potentially replaceable additive gases such as C₄F₈, an ultimate solution with a lower GWP for main etching gases including CF₄ should be developed; therefore, we provide our own perspective in this regard. Finally, we summarize the advanced dry etch process research with low GWP gases and list up several issues to be considered in future research.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.13 no.3
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• pp.555-560
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• 2018

In this paper, we focus on the study of educational contents using real vehicle based electric vehicle diagnosis system. To understand the electric vehicle, we describe the driving modes and operating principles of the core components and electric vehicles that make up the electric vehicles. In addition, we implemented a diagnostic system for analyzing the characteristics of the electric vehicle test bed and analyzed the characteristics of the vehicle based on the driving mode.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.133-134
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• 2015

최근 전자기술이 발달함에 따라, 전자기기의 집적도가 높아지고 있으며, 그에 따라 전자기적 간섭(Electromagnetic Interference)이 큰 문제로 대두되고 있다. 특히, 집적도가 높은 스마트 기기(Smart Device)의 AP(Applicaton Processor)의 경우, 여러 기능을 수행하는 부품이 집적된 SOC(System On Chip)이기 때문에, 전자기적 간섭에 더 민감할 수 있다. 더불어 LTE(Long Term Evolution)을 무선통신으로 이용하는 다양한 주파수대에서 전자기적 간섭은 어플리케이션 및 전자기기의 오작동을 초래할 수 있다. 이를 해결하기 위하여 본 논문에서는 칩패캐지 레벨의 Meander 구조의 기존 필터(Filter)가 가진 문제점을 해결한 구조를 설계하여 3차원 상의 전자장 시뮬레이션을 수행하였다. 또한, 칩의 내성(Immunity)이 취약한 여러 주파수 범위를 차단할 수 있는 이 중 대역차단 필터(Dual Band Stop Filter)를 Meader Line구조를 단순하게 만들어 설계하고 그에 따른 결과를 분석하였다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.28 no.1
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• pp.41-46
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• 2019

In order to develop novel thermal imaging materials for microbolometer applications, $[(Ni_{0.3}Mn_{0.7})_{1-x}Cu_x]_3O_4$ ($0.18{\leq}x{\leq}0.26$) thin films were fabricated using metal-organic decomposition. Effects of Cu content on the electrical properties of the annealed films were investigated. Spinel thin films with a thickness of approximately 100 nm were obtained from the $[(Ni_{0.3}Mn_{0.7})_{1-x}Cu_x]_3O_4$ films annealed at $380^{\circ}C$ for five hours. The resistivity (${\rho}$) of the annealed films was analyzed with respect to the small polaron hopping model. Based on the $Mn^{3+}/Mn^{4+}$ ratio values obtained through x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the hopping mechanism between $Mn^{3+}$ and $Mn^{4+}$ cations discussed in the proposed study. The effects of $Cu^+$ and $Cu^{2+}$ cations on the hopping mechanism is also discussed. Obtained results indicate that $[(Ni_{0.3}Mn_{0.7})_{1-x}Cu_x]_3O_4$ thin films with low temperature annealing and superior electrical properties (${\rho}{\leq}54.83{\Omega}{\cdot}cm$, temperature coefficient of resistance > -2.62%/K) can be effectively employed in applications involving complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) integrated microbolometer devices.

• 전기의세계
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• v.46 no.3
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• pp.35-37
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• 1997

ISO 9000에 의한 인증취득의 움직임이, 우리나라의 산업계를 위시하여 세계 각국에서 활발하다. 그 도화선이 되었다고도 볼 수 있는 영국에서는 약 3만(30,000) 미국에서는 약 3천(3,000) 일본에서는 천(1,000)을 상회하고 우리나라에서는 약 3백(300)의 기업이 증서를 취득하고 있다. 우리나라에 있어서의 취득상황은 대략 전산업에 걸쳐 퍼져 있으나, 특히 전자, 전기 부품 메이커가 적극적이며, 전체의 약 75%를 차지하고 있다. 그러면, 어찌하여 지금 산업계에서 이 인증을 취득하려는 관심이 높아져 있는가를 ISO 9000의 구조를 통해서 내다보고저 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.181-181
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• 2007

PTCR 세라믹스를 적층형 부품으로 제조할 경우 소형화, 저 저항화 및 과전류 유입 시 빠른 응답특성을 갖는다는 장점을 가지고 있으며, 이러한 적층형 부품제조시에는 내부전극재가 부품소자의 물성에 중요한 영향을 미친다. 특히 우수한 옴성 접촉(Ohmic Contact)을 갖는 Zn, Fe, Sn, Ni 등의 적층 PTC용 전극재는 높은 산화특성으로 인해 재산화 과정에서의 비옴성 접촉(Non-ohmic contact)을 갖게 되어 PTC 특성을 저하시킬 우려가 있다. 따라서 본 연구에서는 적층형 PTCR 세라믹스의 내부전극재와 반도체 세라믹층의 동시소성거동 및 적층 PTCR 세라믹스의 전기적 특성을 평가하였다. 본 연구에 적용된 내부전극재로는 Ni 전극을 사용하였고, Ni 전극용 paste로는 무공제 paste, 반도체 세라믹공제 paste, $BaTiO_3$ 공제 paste의 3종 전극재가 이용되었다. 적층형 PTCR 세라믹스의 제조공정은 테이프 캐스팅(Tape casting), 내부전극인쇄, 적층 및 동시소성을 포함하는 적층화공정을 적용하였다. 각각의 전극 paste를 적용하여 제조된 chip은 미세구조관찰, I-V특성, R-T특성 등을 평가하여 내부전극내 세라믹공제의 영향을 고찰하였다.