The electrospun PVDF containing CNT was made for fabricating materials of the actuator. The electrochemical and their actuating movement were evaluated for the actuator performance in the electrochemical environment. The actuator (which was fabricated by electrospinning) had some advantages, i.e., good dispersion and flexible properties. In the electrospinning process, the final product would have different forms based on different essential factors. In this work, electrospun nanofibers were aligned by using the drum-type collector, and the morphology was identified via the field emission-scanning electron microscope (FE-SEM). The uniform dispersion of CNT in PVDF nanofiber was observed by electron probe X-ray micro-analysis (EPMA) test. The results of tensile strength and electrical resistivity provided the aligned state. The electrospun CNT/PVDF nanofiber sheet on the aligned direction showed better mechanical and electrical properties than the case of the vertically-aligned direction. The efficiency and electrical capacities of electrospun CNT/PVDF nanofiber sheets were compared with the cast PVDF sheet for actuator application. Electrospun CNT/PVDF nanofiber sheet exhibited much better the case of actuator performance than cast neat PVDF actuator, due to the excellent electrical connecting areas.
Fiber arrangement was important for fiber reinforced thermoplastic composites using injection fabrication. In this work, fiber arrangement in CF/PP was investigated to use electrical resistance (ER) method during injection times. There were 3 types of injection products of CF/PP with different ER change ratio by fiber arrangement. High ER change ratio case of injection CF/PP products had better increased tensile strength. This reason was due to the fiber arrangement of CF/PP by injection. Fractured surface and contact angle of CF/PP products were used to evaluate for injection product quality. Uniform fiber arrangement of CF/PP by injection type exhibited the uniform heat condition of melted CF/PP. Steady thermal transfer effect occurred from melted CF/PP to steel injection mold. Steady thermal transfer effect of CF/PP was transmitted to high ER change ratio of mold. Ultimately, good condition CF/PP product by injection molding method could be predicted by using ER method.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.38
no.7
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pp.601-605
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2014
Porous conductors are known to demonstrate excellent electrical, mechanical, and chemical resistance. These porous conductors demonstrated potential applications in various fields such as electrodes for supercapacitors, flexible heaters, catalytic electrodes, and sorbents. In this study, we described a pressure sensitive device using conductive and porous sponges. With an extremely simple "dipping and drying" process using a single-walled carbon nanotube (SWCNT) solution, we produced conductive sponges with sheet resistance of < $30k{\Omega}/sq$. These carbon nanotube sponges can be deformed into any shape elastically and repeatedly compressed to large strains without collapse. The pressure sensors developed from these sponges demonstrated high resistance change under pressure of up to a half of their initial resistance.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.05a
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pp.242.1-242.1
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2011
산화물 반도체는 높은 이동도와 낮은 공정 온도, 넓은 밴드갭으로 인한 투명성등 많은 장정을 가지고 있어 최근 많이 연구되고 있다. 그 중에서도 InGaZnO (IGZO)는 In, Ga 함유량으로 박막의 전기적 특성을 쉽게 조절할 수 있고 상온에서 비정질 상태로 증착되어 균일성에 장점이 있다. IGZO 박막을 TFT에 적용 시 MOSFET과는 다르게 축적 상태에서 채널이 형성되기 때문에 산화물 반도체 내에 캐리어 농도는 TFT 특성에 많은 영향을 미친다. 또한, 실리콘 기반의 트랜지스터는 이온 주입 및 확산 공정을 통해서 선택적으로 $10^{20}/cm^3$ 이상의 고농도 도핑을 실시하여 좋은 트랜지스터 특성을 확보할 수 있으나 IGZO 박막에는 이러한 접근이 불가능하다. 따라서 IGZO 박막의 캐리어 농도를 조절할 수 있으면 소스/드레인과 반도체의 접촉 저항 감소 및 전계 효과 이동도등 많은 특성을 개선할 수 있다. 본 연구에서는 UV light를 이용하여 IGZO 박막의 캐리어 농도를 조절하였다. IGZO 박막은 UV light 조사로 인해 Mo와 IGZO박막의 접촉저항이 $3{\times}10^3\;{\Omega}^*cm$에서 $1{\times}10^2\;{\Omega}^*cm$로 감소하였다. 이는 UV 조사로 표면에 금속-OH 결합이 생성되어 IGZO 박막의 캐리어 농도가 ${\sim}5{\times}10^{15}/cm^3$에서 ${\sim}3{\times}10^{17}/cm^3$까지 증가하기 때문이다. 또한 표면에 생성된 OH기는 강한 친수성 성질을 보여주고 표면의 높은 에너지 상태는 Self-Assembly Monolayer (SAM) 공정 적용이 가능 하다. 본 실험에서는 SAM 공정을 적용하여 IGZO-based TFT 제작에 성공하였고, 이 TFT는 UV 조사 시간에 따라 전계 효과 이동도가 0.03 $cm^2/Vs$에서 2.1 $cm^2/Vs$으로 100배 정도 증가하였다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.05a
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pp.44.1-44.1
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2011
본 연구에서는 태양전지 설계를 위해 기존의 반도체소자 simulation에 사용되고 있는 Silvaco TCAD tool을 사용하여 p+ boron emitter의 특성분석 실험을 하였다. 변수로는 emitter의 농도와 접촉저항 이 두 가지 놓고 표면 재결합과 의 영향을 염두에 두고 실험을 하였다. 농도는 $1{\times}10^{17}\;cm^{-3}$에서 $2{\times}10^{22}\;cm^{-3}$까지 두었고, 각각의 농도에 해당되는 contact 저항을 설정하여 전기적 특성을 보았다. 실험 결과 두 가지 변수를 모두 입력하였을 때 처음에 Isc가 조금씩 올라가다가 $1{\times}10^8\;cm^{-3}$에서 가장 높았고 그 이후에는 표면 재결합이 커지면서 Isc가 계속 떨어졌다. 하지만 contact 저항으로 인해 가장 높은 효율은 $1{\times}10^9\;cm^{-3}$ 부근에서 보였다. 농도에 따라 표면 재결합과 contact 저항이 서로 반대로 변하기 때문에 emitter를 표면 재결합이 늘어남에도 불구하고 contact 저항으로 인해 비교적 고농도로 doping 해야만 했다. 하지만 우리가 준 contact 저항은 농도에 따라 생긴 저항으로 실제 전극의 contact 저항은 훨씬 더 클 것으로 예상되고 이로 인해 더 고농도의 doping이 필요하게 된다. 그렇게 된다면 표면의 재결합으로 인한 손실은 더 크게 되어 전체적으로 효율은 떨어진다. 우리는 이 손실을 보완하고 줄이기 위해 selective emitter 개념을 넣어 이에 대한 영향은 보았다. selective를 하지 않은 $1{\times}10^{19}\;cm^{-3}$의 doping 농도의 가장 높은 효율을 보인 기존의 emitter와 전극 부분을 제외한 표면은 $1{\times}10^{18}\;cm^{-3}$으로 하고 전극 부분의 emitter는 $2{\times}10^{20}\;cm^{-3}$으로 한 selective emitter를 비교해보았다. 이는 selective emitter가 기존 emitter에 비해 Isc와 Fill Factor로 인해 효율이 약 0.7% 정도 높았다.
Kim, Jae-Bum;Kim, Dong-Ho;Hwang, Sung-Min;Kim, Tae-Geun
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.47
no.8
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pp.1-6
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2010
We report on the electrical properties of Ti/Al/Ni/Au (20 nm/ 150 nm/ 30 nm/ 100 nm) Ohmic contacts and the anisotropic conductivity of n-type ${\alpha}$-plane ([11-20]) GaN grown on $\gamma$-plane ([1-102]) sapphire substrates. The Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts and their sheet resistances are characterized by using the transfer length method (TLM) as a function of azimuthal angles. It is found that the specific contact resistance does not depend on the axis orientation and there are significant electrical anisotropy in ${\alpha}$-plane GaN films on $\gamma$-plane sapphire substrates, and the sheet resistance varies with azimuthal angles. The sheet resistance values in the direction parallel to m-axis [1-100] are 25% ~ 75% lower than those parallel to c-axis [0001] directions. Thus, Basal stacking faults (BSFs) are offered as a feasible source of the anisotropic mobility in defected m-axis direction because the band-edge discontinuities owing to the differential band gap structure.
Yoon, Seong Man;Jo, Jeongdai;Yu, Jong-Su;Kim, Jung-Su;Kim, Dong-Soo;Go, Jeung Sang
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2011.05a
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pp.79.1-79.1
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2011
인쇄전자 기술은 기존의 다양한 인쇄 공정에 전자 재료를 적용하여 전자소자 및 전자소자에 적용 가능한 제품들을 생산하는 기술이다. 인쇄 공정은 크게 접촉식과 비접촉식으로 구분할 수 있는데 비접촉식 인쇄 방식의 대표적인 예가 잉크젯과 스프레이 방식을 이용한 인쇄라고 할 수 있다. ESD는 정전기력을 이용한 스프레이 방식의 인쇄 공정으로써 기존의 정전기력만을 이용한 인쇄 방식과는 달리 정전기력과 공압을 동시에 적용하여 상대적으로 빠른 시간 내에 나노 박막의 코팅과 패터닝이 가능한 공정이다. 일반적으로 터치 패널에 사용되는 ITO의 경우는 증착 방식에 의존하고 있어 공정 시간이 길고 생산 단가도 비싸다는 단점이 있다. ESD 코팅의 경우는 기존의 증착 방식이 아닌 직접 인쇄 방식으로 공정 시간과 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다. 투명 전도막 형성에 사용되는 전도성 고분자의 경우 ITO를 대체할 수 있을 만큼의 성능을 지니고 있어 터치 패널용 전극으로 응용할 수 있다. 따라서 본 논문에서는 ESD 공정을 이용하여 ITO 대체가 가능한 터치패널용 투명전극을 형성하였다. 전도성 고분자의 코팅 두께에 따라 전기적인 특성이 변화하지만 투과도 80%를 전후로 면저항이 $60{\sim}80{\Omega}/{\Box}$의 성능이 나타남을 확인할 수 있었다. 또한 코팅된 투명 전도막을 이용하여 터치패널용 모듈 제작을 통해 동작 여부도 확인할 수 있었다.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2001.11a
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pp.209-212
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2001
DRAM과 Logic을 하나의 칩 위에 제조하기 위한 EDL (Embedded DRAM and Logic) 기술에 코발트 실리사이드가 접촉저항을 낮추기 위해 사용된다. 본 연구에서는 코발트 실리사이드 제조에 사용되는 보호막이 CMOS 소자의 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. EDL 제조공정이 완전히 진행된 소자에 적용된 실리사이드가 누설전류에 미치는 영향을 비교하였다. 또한 실리사이드 보호막이 전기적 신호의 delay에 미치는 영향을 평가하기 위해, 99개의 CMOS 인버터가 직렬연결되어 있는 평가패턴을 사용하였다. 이상의 결과로 TiN 보호막이 pMOSFET의 전류전달 능력과 그 결과로 생기는 속도지연 측면에서 Ti 보호막보다 우수함을 알 수 있었다.
다중 접지 배전계통에서 발생하는 이상전압으로부터 전력설비의 안정적인 운영과 인체안전을 위해 주로 봉상 접지전극을 이용하여 대지방전경로를 구성하고 있다. 그리고 접지종류별로 접지 저항값을 규정하고 이를 시공에 적용하고 있다. 지락고장이 발생하면 접지전극으로 유입되는 고장전류에 비례하여 대지전위가 상승하기 때문에 이에 대한 인체 안전성측정 및 검토가 필요하다. 따라서 본 논문에서는 IEEE Std 80에서 제시하는 안전성 기준에 기초하여 다중 접지 배전계통에서 접지전극으로 널리 사용되는 봉상 접지전극을 대상으로 상용주파전류를 인가하여 대지전위상승에 따른 접촉전압을 측정하였으며, CDEGS 프로그램을 이용하여 보폭전압을 모의하였다. 또한 이 값을 IEEE Std 80에서 제시하는 최대 허용 보폭전압과 접촉전압과 비교하여 인체 안전성을 검토하였다.
Kim, Jong-Hyun;Shin, Pyeong-Su;Kim, So-Yeon;Park, Joung-Man
Composites Research
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v.33
no.1
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pp.1-6
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2020
Dispersion and electrical resistance (ER) properties of polyurethane (PU) type topcoat were evaluated using carbon nanotube (CNT) with different CNT weight fraction. CNT was dispersed in PU type topcoat using ultra sonication dispersion method. CNT/PU topcoat was coated on carbon fiber reinforced epoxy composite (CFRC) surface using gravity feed spraying method. Static contact angles of CFRC and CNT/PU topcoat were performed using 4 types of solvents to calculate the work of adhesion between CNT/PU topcoat and CFRC surface. Surface resistance of CNT added PU topcoat was measured to determine CNT dispersion. Adhesion property between CNT/PU topcoat and CFRC was determined via cross hatch cutting test based on ASTM D3359. The optimized condition of CNT weight fraction was found.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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