• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권2호
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• pp.114-125
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• 2009

정사각형 기판의 크기가 패치 안테나의 방사 특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 기판의 크기가 공진 주파수와 대역폭에 미치는 영향은 매우 작지만 방사 패턴에 미치는 영향은 매우 큼을 볼 수 있었다. 전방방사 이득과 이득이 최대가 되는 각도는 기판의 크기에 따라 거의 주기적으로 변화함을 볼 수 있었다. 전방방사 이득이 최대가 되는 변의 길이와 최소가 되는 변의 길이는 기판의 전기적 두께가 커질수록 작아짐을 볼 수 있었다. 기판의 전기적 두께가 클수록 기판 크기에 따른 전방방사 이득 변화 폭이 큼을 볼 수 있었다. 기판 크기에 따른 방사 패턴의 변화도 기판의 전기적 두께와 매우 밀접한 관계를 가짐을 볼 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.27-30
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• 2001

절연보호막 처리된 Al-1%Si 박막배선에서 DC와 PDC 조건하에서의 Electromigration 현상에 관하여 조사하였다. $SiO_2$와 PSG/$SiO_2$ 절연보호막 층을 갖는 박막배선은 표준 사진식각 공정으로 제작되었고, 테스트라인 길이는 100, 400, 800, 1200, 1600 $\mu\textrm{m}$이다. Al-l%Si 박막배선에 고정된 전류밀도 $1.19\times10^7\textrm{A/cm}^2$의 DC와 duty factor가 0.5인 1Hz의 주파수에 고정된 전류밀도 $1.19\times10^7\textrm{A/cm}^2$의 PDC를 인가하였다. Electromigration 테스트에서 PSG/$SiO_2$ 절연보호막 시편의 Electromigration 저항성이 $SiO_2$ 절연보호막 시편보다 우수함을 알 수 있었다. PDC 에서 박막 배선의 수명이 DC 보다 2-4배 정도 길게 나타났으며, 박막 배선의 길이가 증가 할 수록 수명이 감소하다가 임계길이 이상에서 포화되는 경향을 보인다. Electromigration에 의한 결함 형태로는 전기적 개방을 야기시키는 보이드와 전기적 단락을 야기시키는 힐록이 지배적이다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.682-684
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• 2003

본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널 길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.1-5
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• 2000

본 논문은 양광주의 전계, 관벅온도, 관벽휘도를 측정하여 관의 형태에 따른 형광램프의 광학적, 전기적 특성 변화를 측정한 것이다. 각 램프의 전계 계산 결과, 그 지수들은 양광주부분에서 거의 변화되지 않았지만 음극 강하의 길이는 크게 변화하였으며, 관벽온도와 휘도는 음극부분에서 크게 변화되었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.474-477
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• 2003

본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.773-776
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• 2003

본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널 길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.

• 한국화재소방학회:학술대회논문집
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• 한국화재소방학회 2010년도 춘계학술논문발표회 논문집
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• pp.133-140
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• 2010

본 논문에서는 전기기구 접속부에서 발생되는 화재위험성을 분석하고자 일반적으로 전기기기에 사용되는 KIV($1.25\;mm^2$, 50가닥)전선을 사용하여, 인위적인 손상을 주어 길이 5 mm, 9 mm, 15 mm에 각각 소선수(50, 32, 16, 8, 4, 2, 1가닥)를 가진 반단선 시료를 제작하고, 제작된 시료에 차단기나 퓨즈 등 전기적인 안전장치가 동작하지 않는 정상전류(4 A, 8 A, 12 A, 16 A)를 300초간 인가한 후, 열화상카메라를 이용하여 반단선의 온도특성 및 발화가능성을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1067-1068
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• 2007

최근 영구자석 선형 동기 전동기(PMSLM)는 이동 장치로써 많은 분야에 사용되고 있다. 영구자석 선형 동기 전동기는 구조적으로 간단하며 고속화 고추력화 등의 많은 장점을 가지고 있다. 그러나 단 1차형 영구자석 선형 동기 전동기는 매우 큰 디텐트력을 지니고 있어 추력 맥동의 원인이 되며, 이는 소음과 진동을 발생시킨다. 단 1차형 영구자석 선형 동기 전동기의 디텐트력은 전기자 내부의 치와 영구자석 사이에 작용하는 힘과 전기자 양 단부와 영구자석 사이에서 작용하는 힘의 합으로 표현된다. 본 논문에서는 코깅력을 줄이기 위한 방법으로 영구자석의 극 수와 전기자의 슬롯 수의 비를 변경한 새로운 구조의 단1차형 영구자석 선형 동기 전동기(PMLSM)를 제안하였고, 단부력을 줄이기 위하여 전기자 양 단부에 전기자 길이 조정법과 챔퍼링 법을 사용하였고, 반응표면법과 (($1+{\lambda}$) evolution strategy)[14]을 이용하여 최적화를 수행하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제17권5호
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• pp.149-153
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• 2003

본 연구에서는 풀력측 전극비를 보다 증가시킬 목적으로 새로운 형상인 육각형 압전변압기를 제작하여 전극 패턴을 설계하고, 전기적 출력 특성을 검토하였다. 이 때 육각형 압전변압기의 한변의 길이가 각각 14[mm]와 17.5[mm]로 하였으며, 압전변압기에 적용된 세라믹의 성분계는 PZT-PMN-PSN이었으며, 기계적 품질계수가 1200, 전기기계결합계수는 55%, 압전정수 $d_{33}$은 320${\times}$$10^{-l2}$C/N, 손실계수는 0.3%이었다. 부하저항의 증가에 따라 승압비는 증가하였으며, 육각형 압전변압기의 한 변의 길이가 증가함에 따라서도 증가하는 경향을 보였다. 최대 효율은 10∼20[M$\Omega$]근처에서 약 93%가 얻어졌다.다.다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제23권9호
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• pp.67-74
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• 2009

뇌전류와 같이 고주파성분을 함유한 서지전류나 전자통신기기의 전자기장해를 유발하는 고주파 이상전류에 대하여 접지전각은 주파수에 의존적인 상당히 복합적인 입피던스의 특성을 보인다. 접지전극의 접지임피던스는 접지전극의 크기를 증가시켜도 낮아지지 않고, 대지의 특성과 주파수 조건에 따라 접지임피던스가 최소값을 보이는 접지전극의 길이가 존재하며, 이 접지전극의 길이를 대지의 특성과 주파수 조건에 대한 임계길이라 정의한다. 본 논문에서는 분포정수회로모델을 이용하여 수직접지전극과 수평접지전극의 임계길이를 산정하였으며, 실험결과와의 비교를 통해 타당성을 확인하였다.