• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.2055_2056
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• 2009

국가표준을 유지하기위한 표준기급의 교류저항은 상품화된 것이 외국에서 한 종류 있으나 고정된 기름 항온조에서 유지를 해야 하고, 정전차폐가 어렵고, 교류에서 측정단자의 호환성이 어렵고 가격도 대단히 비싸다. 또한 저항체가 지지대 역할을 하는 원형 보빈에 감겨져있는 선으로 구성되어서 국제비교시나 혹은 이동교정시에 기계적인 구조의 변화로 저항 값에 영향을 받기가 쉽다. 이러한 단점들을 극복한 교류저항 표준기가 개발이 되었다. 개발된 표준기는 저항체의 기계적 구조에 의한 변화를 막기 위해서 non-inductive 구조의 metal foil element로 제작된 것을 사용하였으며, 각각의 저항체에 개개의 항온조를 체택함으로서 온도의 안정성과 이동의 편리를 함께 만족되도록 하였다. 제작된 교류저항 표준기의 특성은 온도 안정도가 ${\pm}5$ mK/d, 저항값의 안정도가 ${\pm}0.01{\mu}{\Omega}/{\Omega}/d$, 1년간의 장기안정도가 $1{\mu}{\Omega}/{\Omega}$ 이하로 측정이 되었다. 개발된 교류저항 표준기는 교류저항분야 국가표준유지 및 소급에 사용이 된다.

• Resources Recycling
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• v.17 no.5
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• pp.19-27
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• 2008

In this study, the porosity and electrical resistivity of the formed coke produced by sintering the mixture of domestic anthracite and phenolic resin were mainly investigated, when the effect of the amount of binder, the hydration temperature and time, the hardening temperature and time, sintering temperature and time, the particle size of anthracite, the grade of anthracite, and the mixing ratio of phenolic resin on the physical properties of the coke were studied. As a result, It was found that the electrical resistivity and porosity of the formed coke are varied in the range of $0.3\sim1.2\Omega{\cdot}cm$ of $10\sim30%$, respectively, in accordance with the variation of factors.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 1999.06a
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• pp.249-252
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• 1999

전도성 충진제가 포함된 결정성 고분자내에 대전류가 흐르게 될 경우 Joule 효과로 소재자체의 발열현상이 발생하며 온도가 증가함에 따라 고분자의 용융점 부근에서 급격한 열팽창으로 인하여 고분자 내에 분포되어 있던 전도성 충진재 입자사이의 간격이 증가하게 되며 전자들의 흐름이 방해를 받게 된다. 이에 따라 전기저항이 커져 전류의 흐름이 감소되는 철상이 발생하며 이를 PTC(Positive Temperature Coefficient)라 하고 온도 증감에 따른 전도성 충진제 간의 electron tunnelling과 고분자의 결정변화에 의해 민감한 전기저항변화 특성을 나타낸다. (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.116-117
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• 2007

카본블랙을 충전제로 사용하여 전도성도료를 제작하였으며 충전제의 양과 그리고 도료가 도포된 두께에 따른 전기적 특성을 조사하였다. 충전제의 양이 많아질수록 박막의 저항값은 지수적으로 감소하였으며 박막의 두께가 증가함에 따라 저항값이 감소하였다. 이러한 박막내 충전제의 증가와 박막두께의 변화에 따른 전기전도도의 변화에 대해 조사하였다.

• Geophysics and Geophysical Exploration
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• v.11 no.4
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• pp.326-334
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• 2008

The resistivity method has been used to image the electrical properties of the subsurface. Especially, this method has become suitable for monitoring since data could be rapidly and automatically acquired. In this study, we developed a time-lapse inversion algorithm for the interpretation of resistivity monitoring data. The developed inversion algorithm imposes a big penalty on the model parameter with small change, while a minimal penalty on the model parameter with large change compared to the reference model. Through the numerical experiments, we can ensure that the time-lapse inversion result shows more accurate and focused image where model parameters have changed. Also, applying the timelapse inversion method to the leakage detection of an embankment dam, we can confirm that there are three major leakage zones, but they have not changed over time.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.206-206
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• 2010

정보화 기술이 급속히 발전함에 따라서 보다 많은 양의 data를 전송, 처리, 저장 하게 되면서 이를 처리 할 수 있는 대용량, 고속, 비휘발성의 차세대 메모리의 개발이 요구 되고 있다. 이 중 저항 변화 메모리(ReRAM)는 일반적으로 전이금속산화물을 이용한 MIM 구조로서 적당한 전기 신호를 가하면 저항이 높아서 전도되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 낮아져 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을 가진다. ReRAM은 비휘발성 메모리이며 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory 보다 access time이 $10^5$배 이상 빠르며, 2~5V 이하의 낮은 전압에서 동작이 가능하다. 또한 구조가 간단하여 공정상의 결함을 현저히 줄일 수 있다는 점 등 많은 장점들이 있어서 Flash memory를 대체할 수 있는 유력한 후보로 여겨지고 있다. 저항 변화의 특징을 잘 나타내는 물질에는 $TiO_2$, $Al_2O_3$, $NiO_2$, $HfO_2$, $ZrO_2$등의 많은 전이금속산화물들이 있다. 본 연구에서는 Reactive DC-magnetron Sputtering 방법과 DC-magnetron sputter를 이용하여 Ti를 증착한 후 Oxidation 방법으로 각각 증착한 $TiO_2$박막을 사용하여 저항변화특성을 관찰하였다. $TiO_2$상부에 Atomic Layer Deposition (ALD)를 이용하여 $HfO_2$ 박막을 증착하여 표면처리를 하고, 또한 $TiO_2$에 다른 전이 금속박막 층을 추가 증착하여 저항변화 특성에 접합한 조건을 찾는 연구를 진행하였다. 하부 전극과 상부 전극 물질로는 Si 100 wafer 위에 Pt 또는 TiN을 사용하였다. 저항변화 특성을 평가하기 위해 Agilent E5270B를 이용하여 current-voltage (I-V)를 측정하였다. X-ray Diffraction (XRD)를 이용하여 증착 된 전기금속 박막 물질의 결정성을 관찰했으며, Atomic Force Microscopy (AFM)을 이용하여 증착 된 샘플의 표면을 관찰했다. SEM과 TEM을 통해서는 sample의 미세구조를 확인 하였다.

• Journal of the Korean Geotechnical Society
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• v.27 no.2
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• pp.43-52
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• 2011

The characteristics of shear zone in granular soils largely affect the stability of geo-structures. The goal of this study is to evaluate shear zone in a direct shear test using shear wave, electrical resistivity, and cone tip resistance. Bender elements and electrical resistivity probe are embedded into the wall of a direct shear box made of transparent acrylic material to estimate the shear wave velocities and the electrical resistivity at shear and non-shear zones. At the point of peak and residual strength, micro cone penetration test which can be available to measure tip resistance has been performed. Experimental results show that the shear wave velocities at upper shear zone increase during shearing while the values remain constant at bottom and lower shear zone. Also, resistivities at lower shear zone depend on relative density while resistivities at bottom remain constant. The results of cone penetration test demonstrate the correlation of the cone tip resistance and small strain shear modulus at shear zone. This study suggests that the application of the modified direct shear box including shear wave, electrical resistivity and the micro cone tip resistance may become effective tools for analyzing the characteristics of a shear zone.

• 전기의세계
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• v.41 no.3
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• pp.38-42
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• 1992

써미스터(THERMLISTOR)는 Thermally Sensitive Resistor의 약칭으로 온도변화에 대한 저항치의 변화가 극히 크게 변화하는 특징을 갖는 감온반도체이다. 이중에는 부특성 또는 NTC(Negative Temperature Coeffient) THERMISTOR와 정특성 또는 PTC(Positive Temperature Coeffient)THERMISTOR의 두종류와 NTC와 동일한 부의 온도계수이지만 어떤 온도영역에서 저항치가 급격히 감소하는 CTR로 분류한다. 이렇게 3가지 종류로 분류되는 THERMISTOR중 우리주변에서 가장 널리 보급되고 가정생활에서 실제로 흔히 볼수 있는 가전기기의 온도검출용 sensor로 많이 사용되고 있는 THERMISTOR SENSOR에 대해서만 기초지식을 알아보기로 하고 다음기회에는 응용기술에 대해서 알아보기로 하겠다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.1
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• pp.98-101
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• 2006

Electron transport properties of nanostructured Pb thin film, consisting of grains, have been studied. Nanostructured thin films were fabricated on a substrate held at low temperature and their thicknesses were less than 10nm. While temperature of the film increased from 1.3 K to room temperature, the change in normal state sheet resistance has been measured. As the annealing temperature varies, the normal state sheet resistance shows a non-monotonic and irreversible change. Such behavior can be understood with the Pb grain growth due to annealing of the film.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07d
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• pp.1885-1887
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• 1999

본 연구에서는 $BaTiO_3$를 기본조성으로하는 반도성 세라믹스인 PTC 써미스터에 $Nb_2O_5$을 미량 첨가하여 미세구조 및 PTCR의 전기적 특성에 대해서 연구하였다. 또한 복소 임피던스 측정을 통하여 $Nb_2O_5$ 첨가에 따른 grain, grain boundary 저항변화에 대해서도 고찰하였다. $(Ba_{0.9}Sr_{0.05}Ca_{0.05})TiO_3-0.01SiO_2-0.001MnCO_3$를 기본조성으로 하여 $Nb_2O_5$ 첨가량을 $0.15{\sim}0.2mol%$까지 변화시켰으며 소결조건은 소결온도 $1350^{\circ}C$, 2h 유지하였으며 냉각속도는 $100^{\circ}C/h$로 하였다 첨가된 Nb의 양이 증가할수록 grain의 크기는 점차로 작아졌으며 상온저항과 peak 저항이 함께 증가하였다. 0.15mol% 첨가된 시편의 경우 상온저항은 $19[\Omega]$이었으며 peak 저항은 $5{\times}10^6[{\Omega}]$정도가 되었다.