• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.8 no.2
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• pp.195-200
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• 2007

We fabricated thermally-evaporated 10 nm-Ni/70 w-Poly-Si/200 $nm-SiO_2/Si$ and $10nm-Ni_{0.5}Co_{0.5}/70$ nm-Poly-Si/200 $nm-SiO_2/Si$ structures to investigate the microstructure of nickel monosilicide at the elevated temperatures required fur annealing. Silicides underwent rapid anneal at the temperatures of $600{\sim}1100^{\circ}C$ for 40 seconds. Silicides suitable for the salicide process formed on top of the polycrystalline silicon substrate mimicking the gates. A four-point tester was used to investigate the sheet resistances. A transmission electron microscope and an Auger depth profile scope were employed for the determination of cross sectional microstructure and thickness. 20nm thick nickel cobalt composite silicides on polycrystalline silicon showed low resistance up to $900^{\circ}C$, while the conventional nickle silicide showed low resistance below $900^{\circ}C$. Through TEM analysis, we confirmed that the 70nm-thick nickel cobalt composite silicide showed a unique silicon-silicide mixing at the high silicidation temperature of $1000^{\circ}C$. We identified $Ni_3Si_2,\;CoSi_2$ phase at $700^{\circ}C$ using an X-ray diffractometer. Auger depth profile analysis also supports the presence of this mixed microstructure. Our result implies that our newly proposed NiCo composite silicide from NiCo alloy films process may widen the thermal process window for the salicide process and be suitable for nano-thick silicides.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.78.2-78.2
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• 2012

최근 PRAM의 집적도 향상 및 3차원 적층에 의한 메모리 용량 향상을 위해 셀 선택 스위치로서 박막형 Ovonic Threshold Switching (OTS) 소자를 적용한 Cross bar 구조의 PRAM이 제안된 바 있다. OTS 소자는 비정질 칼코지나이드를 핵심층으로 하는 2단자 소자로서 고저항의 Off 상태에 특정 값 (문턱스위칭 전압) 이상의 전압을 가해주면 저저항의 On 상태로 바뀌고 다시 특정 값 (유지전압) 이하로 전압을 감소시킴에 따라 고저항의 Off 상태로 복원하는 특성을 갖는다. 셀 선택용 스위치로 적용되기 위해서는 핵심적으로 On-Off 상태간의 가역적인 변화 중에도 재료가 비정질 구조를 안정하게 유지해야 하며 전기적으로는 Off 상탱의 저항이 크고 또한 전류값의 점멸비가 커야 한다. GeSe는 이원계 재료로서 단수한 구성에도 불구하고 OTS 소자가 갖추어야할 기본적인 특성을 가지는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 GeSe로 구성된 OTS 재료에 경원소인 질소를 첨가하여 비정질 상태의 안정성과 소자특성의 개선 효과를 조사하였다. RF-puttering 시 Ar과 $N_2$의 혼합 Gas를 사용하여 조성이 $Ge_{62}Se_{38}$ ($N_2$ : 3%)인 박막을 제작하여 DSC를 통해 결정화온도(Tx)를 확인하였고, $N_2$ gas의 함유량이 각각 1 %, 2 %, 3 %인 $Ge_{62}Se_{38}$인 박막을 전극의 접촉 부 면적이 $10{\times}10\;{\mu}m^2$인 cross-bar 구조의 소자로 제작하여 Threshold switching voltage ($V_{th}$), Delay time ($t_d$), $I_{on}/I_{off}$ 그리고 Endurance 특성을 평가하였다. DSC 분석 결과 $N_2$ 가 3 % 첨가된 GeSe 박막은 Tx가 $371^{\circ}C$에서 $399^{\circ}C$로 증가되었다. $N_2$가 1% 첨가된 GeSe 소자를 측정한 결과 $V_{th}$의 변화 없는 가운데 $I_{on}/I_{off}$이 약 $2{\times}10^3$에서 $5{\times}10^4$로 향상되었다. Endurance 특성 역시 $10^4$에서 $10^5$번으로 향상되었다. $t_d$의 경우 비정질 상태의 저항 증가로 인해 약 50% 증가되었다. 이러한 $N_2$의 첨가로 인한 비정질 GeSe 박막의 변화 원인에 대한 분석 결과를 소개할 예정이다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.17 no.2
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• pp.102-108
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• 2008

We have studied the properties of Ag/undoped ZnO (ZnO) multilayer thin films deposited on glass substrate by the facing targets sputtering method. In an attempt to find out the optimum conditions of the Ag thin film, which would be coated on the ZnO thin film, we investigated the changes of sheet resistance, transmittance and surface morphology as a function of deposition times and the substrate temperature. The electrical and optical characteristics of Ag/ZnO multilayers were evaluated by a four-point probe, a UV/VIS spectrometer with a spectral range of 390-770 nm, a X-ray Diffractometer (XRD), an atomic force microscope (AFM) and a Field Emission Scanning Electron Microscope (SEM), respectively. We were able to prepare the Ag/ZnO multilayer thin film with sheet resistance of 9.25 $\Omega/sq.$ and transmittance of over 80% at 550nm.

• Geophysics and Geophysical Exploration
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• v.22 no.3
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• pp.132-148
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• 2019

Recently, safety and environmental concerns have become major social issues. Especially, a special underground-safety law has been made and enacted to prevent ground subsidence around construction sites. For environmental problems, several researches have started or will start on characterization of contaminated sites, in-situ environmental remediation in subsurface, and monitoring of remediation results. As a part of the researches, geophysical surveys, which have been mainly applied to explore mineral resources, geological features or ground, are used to characterize not only contaminated areas but also fluid flow paths in subsurface environments. As a basic study for the application of geophysical surveys to detect contamination in subsurface, this paper analyzes previous researches to understand changes in geophysical properties of contaminated zones by various contaminants such as leachate, heavy metals, and non-adequate phase liquid (NAPL). Furthermore, this paper briefly introduces how geophysical surveys like direct-current electrical resistivity, induced polarization and ground penetration radar surveys can be applied to detect each contamination, before analyzing case studies of the applications in contaminated areas by NAPL, leachate, heavy metal or nitrogen oxides.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.2 no.3
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• pp.123-129
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• 1999

Initial electrochemical characteristics of $LiCoO_2$ electrode for lithium ion battery with various content of super s black as conductive material were evaluated through the charge/discharge with the potential range of 4.3V to 2.0V versus $Li^+/Li^+$. The rate of C/4 and C/2 by the 3 electrode test cell composed with an electrolytic solution of 1 mol/l $LiPF_6/EC+DEC(1:3\;by\; weight)$. Lithium was used as reference electrode. High impedance charge behavior was observed at early stage of charge. In the case of $3\%w/w$ of super s black as conductive material, the specific resistance of the high impedance releasing was $3.82\;{\Omega}\;{\cdot}\;g-LiCoCo_2$ at the current density of $0.5 mA/cm^2$, which corresponds 7 times of the specific resistance of electrode $(0.728 g-LiCoO_2)$. At second charge, the specific resistance of the high impedance releasing was 63 mn · g-Lico02, which corresponds 12eio of the specific resistance of electrode and only $1.7\%$ of that of the first charge. The first charge and discharge specific capacities at C/4 rate were 160-161 and $153\~155mAh/g-LiCoO_2$, respectively, to lead $95.4\~96.4\%$ of coulombic efficiencies and ca. $6 mAh/g-LiCoO_2$ of initial irreversible specific capacity. Specific resistance at the end of charge and rest showed low value at content of super s black between 2 and $7\%w/w$, which agreed with characteristics of irreversible specific capacity. Capacity densities were reduced by the increasing the content of conductive material. They were 447 and 431mAh/ml when 2 and $2.9\%w/w$ of super s black were used, respectively, at the rate of C/4.

• Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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• v.25 no.2
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• pp.214-224
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• 1996

본 연구는 비만아동을 위한 효과적인 운동 및 식이 요법에 관한 자료를 얻기 위하여 실시하였다. 대상자는 8~12세의 비만아동(체지방 $36.1\pm1.3%)과$ $정상아동(18.9\pm1.3%)$ 각각 5명이었으며 3일간 실험환경에 적응하기 위한 대조기간(Control : C)을 거친후 1주간은 운동은 부하하되 에너지는 제한하지 않는 운동기간(Exercise without energy deficit : EEN)와 다음 1주간은 비만아동만을 대상으로 운동부하와 동시에 에너지를 제한하는 에너지 제한 운동기간(Exercise with energy deficit : EED)으로 나누어 실시하였다. 운동강도는 60~75%HRmax이었으며 에너지 제한량은 493kcal/day이었다. 각 실험 조건별 대사에너지 섭취량, 체중, 체성분, 체내 보유 에너지, 에너지 소비량의 변화를 측정하였다. 체지방량은 생체 전기저항 지방측정기를 이용하여 측정하였다. 대변 및 소변으로의 에너지 손실량으로부터 측정한 1일 평균 대사 에너지량(ME)은 정상아동이 대조기간(C) 및 운동기간(EEN)별로 각각 $1802\pm50kcal$ 및 $1771\pm72kcal이었고$ 비만아동이 대조기간(C) 및 운동기간(EEN) 및 에너지 제한 운동기간(EED)별로 각각 $2152\pm138kcal,$ $1861\pm138kcal$ 및 $1368\pm87kcal이었다.$ 대조기간(C)에 비만 아동은 정상아동에 비해 대사에너지량(ME)이 높았으나 무지방조직(LBM) kg당 섭취량은 정상아동이 79kcal이며 비만아동이 70kcal로 오히려 비만아동의 경우가 낮았다. 대체로 운동에 의해 에너지 섭취량은 감소되었다. 동일한 운동 부하로 정상아동 및 비만아동의 체중은 각각 $1.00\pm0.20kg$ 및 $1.24\pm0.22kg씩$ 감소되어 정상아동에 비하여 비만아동의 체중감소가 더 많았다. 비만아동에서 에너지 제한(493kcal)으로 인한 체중감소량은 0.52kg이었고 체지방조직량(FM)은 0.46kg이었다. 운동기간(EEN)중 체성분 변동량으로부터 산출한 1일 1인당 체내 에너지 변동량은 정상아동이 1092kcal, 비만아동이 1270kcal 감소디어 비만아동의 에너지 소모량이 더 많았다. 비만아동에 있어 에너지제한 운동기간(EEN)에 정상아동이 $2863\pm58kcal,$ 비만아동이 $3131\pm158kcal이었으며,$ 에너지 제한 운동기간(EED)에 비만아동은 $3153\pm151kcal이었다.$ 이상의 성적으로 보아 본 실험에 적용한 운동 프로그램은 체중 감소에 효과적으로 작용하나 일부 부지방조직(LBM)의 감소를 동반하는 것으로 보아 다소 운동 부하량이 과도한 것으로 생각된다. 그러나 에너지 제한량(500kcal)은 체중감소에 매우 효율적인 것으로 평가되어 이후 비만아동의 체중조절에 본 실험의 에너지제한 운동 프로그램중 운동 부하량만을 다소 줄여 적용하면 매우 효과적일 것이라 생각된다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.19 no.3
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• pp.87-94
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• 2016

In order to improve performances of submicrometer-sized Si negative electrode which shows larger volumetric change than nano-sized Si, composite binders are introduced by blending between poly(phenanthrenequinone) (PPQ) conductive polymer binder and poly(acrylic acid) (PAA) having good adhesion strength due to its carboxyl functional group. Blending between PPQ and PAA shows an effect that the adhesion strength of the Si electrode with the composite conductive binder is greatly improved after blending and this makes its better stable cycle performance. Blending ratios between PPQ and PAA in this work are 2:1, 1:1, 1:2 (by weight) and the best capacity retention at 50th cycle is observed in the electrode with the blending ratio 2:1 (named QA21). This is because that PPQ plays a role of conductive carbon among the Si particles or between Si particles and Cu current collector and PAA binds effectively the particles and the current collector. According to this synergetic effect, the internal resistance of the Si electrode with the blending ratio 2:1 is the smallest value. In addition, the Si electrode with PPQ-PAA composite binder shows the better stable cycle performance than the electrode with conventional super-P conductive carbon (20 wt.%).

• Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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• 2002.04b
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• pp.45-45
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• 2002

나노미터 크기의 결정립을 가지는 나노분말 및 나노복합분말의 제조와 특성에 관한 연구가 매우 활발하다. 나노복합분말의 제조방법에는 기상증발후 응축법, 화학응축법, 기계적합금법 등이 있으나, 고순도 및 균일한 크기분포의 분말과 응집되지 않은 분말의 제조 조건을 가장 잘 만족하는 방법은 화학기상응축법(Chemical Vapor Condensation; CVC)이다. 본 연구그룹 에서는 CVC밤법으로 이용하여 공구/금형재료에 가장 많이 사용되는 WC/Co 합금의 결정립을 n nm크기로 극미세화고자하는 연구을 진행하고 있다. 본 연구에서는 이들 WC/Co합금제조시 가장 중요한 출발분말인 나노크기 WC 분말의 제조와 그 특성에 관하여 연구하고자 하였다. 나노미터 WC분말을 제조하기 의한 전구체는 고상의 금속유기물인Tungstenhexacarbonyl$(W(CO)_6)$ 을 사용하였다. 수평관상로을 반응기로 사용하였으며, 노내의 온도을 500-110$0^{\circ}C$로 변화시 키면서 WC 분말을 합성하였다. 반응기 및 포집기 내부를 대기분위기, 상압의 Ar분위기, 진공 분위기로 변화시켜 압력 및 분위기의 영향을 조사하였다. 포집기는 상온 및 액체질소로 냉각 한 Chiller을 사용하였다. 형성분말의 상분석은 XRD로 조사하였으며, 형태 및 결정립크기는 TEM로 분석하였다. 반응온도 600 -1 OOO$^{\circ}C$의 온도범위에서 검은색의 WC 분말이 제조되었다. XRD 분석의 결과 로 제조된 분말은 상온에서 준안정상인 Hexagonal 구조의 $\gammar-WC_{1-x}$ 상이였으며, TEM 분석결 과 상압하에서는 약 30nm이하의 WC분말이 제조되었으며, 그 형태는 둥근 4각형의 모양을 지녔다. 감압하에서 진행한 경우 결정립의 크기는 8nm이하를 가졌다.곤가스로 산화를 방지하였고, 냉매로는 질소가스를 이용하였다. 제조된 분말을 기ㅖ적 분급법을 이용하여 분급하였고, 냉매로는 질소가스를 이용하였다. 제조된 분말을 기계적 분급ㅂ법을 이용하여 분급하였고, 압출에 이용된 분말은 250$\mu\textrm{m}$이하의 크기를 사용하였다. 또한 분말제조과정 중 형성되는 표면산화층을 제거하기 위하여 36$0^{\circ}C$에서 4시간동안 수소 환원처리를 행하였다. 제조된 분말은 열간 압출을 위하여 Aㅣcan에 넣고 냉간성형체를 만들고, 진공처리를 한 후 밀봉하여 탈가스처리를 하였다. 압출다이는 압출비가 각각 28:1과 16:1인 평다이(9$0^{\circ}C$)를 사용하여 각각 내경이 9, 12cm이고, 길이가 50, 30cm인 압출재를 제조하였다. 열간압출한 후의 미세조직을 광학현미경으로 압출방향에 평행한 방향과 수직방향으로 관찰하였고, 열간 압출재 이방성을 검토하기 위하여 X선 회절분석을 실실하여 결정방위를 확인하였다. 전기 비저항 및 Seebeck 계수 측정을 위하여 각각 2$\times$2$\times$10$mm^3$ 그리고 5$\times$5$\times$10TEX>$mm^3$ 크기의 시편을 준비하였다.준비하였다.전류를 구성하는 주요 입자의 에너지 영역(75~l13keV)에서 가장 높은(0.80) 상관계수를 기록했다. 넷째, 회복기 중에 일어나는 입자들의 유입은 자기폭풍의 지속시간을 연장시키는 경향을 보이며 큰 자기폭풍일수록 현저했다. 주상에서 관측된 이러한 특성은 서브스톰 확장기 활동이 자기폭풍의 발달과 밀접한 관계가 있음을 시사한다.se that were all low in two aspects, named "the Nonsign

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.21 no.7
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• pp.1285-1290
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• 2017

We prepared ITZO thin films with various thicknesses on glass substrates using RF magnetron sputtering and investigated electrical, optical and structural properties of the thin film. Sheet resistance of ITZO thin film showed a decreasing trend on the increase of film thickness, but its resistivity exhibited a substantially constant value of $5.06{\pm}1.23{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$. Transmittance of ITZO thin film moved to the long-wavelength with the increase of film thickness. Figure of merit in a visible light and an absorption area of P3HT:PCBM organic active layer of the 360nm-thick IZTO thin film was $8.21{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$ and $9.29{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$, respectively. Through XRD and AFM measurements, it was confirmed that all the ITZO thin films have amorphous structure and the surface roughness of films are very smooth in the range of 0.561 to 0.263 nm. In this study, it was found that amorphous ITZO thin film is a very promising material for organic solar cell.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.16 no.4
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• pp.9-15
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• 2009

Compared to the flip-chip process using solder bumps, Cu pillar bump technology can accomplish much finer pitch without compromising stand-off height. Flip-chip process with Cu pillar bumps can also be utilized in radio-frequency packages where large gap between a chip and a substrate as well as fine pitch interconnection is required. In this study, Cu pillars with and without Sn caps were electrodeposited and flip-chip-bonded together to form the Cu-Sn-Cu sandwiched joints. Contact resistances and die shear forces of the Cu-Sn-Cu sandwiched joints were evaluated with variation of the height of the Sn cap electrodeposited on the Cu pillar bump. The Cu-Sn-Cu sandwiched joints, formed with Cu pillar bumps of $25-{\mu}m$ diameter and $20-{\mu}m$ height, exhibited the gap distance of $44{\mu}m$ between the chip and the substrate and the average contact resistance of $14\;m{\Omega}$/bump without depending on the Sn cap height between 10 to $25\;{\mu}m$.