• Proceedings of the Korean Radioactive Waste Society Conference
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• 2007.11a
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• pp.289-290
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• 2007

본 연구에서 제시된 모델을 기반으로 KCl-LiCl/Cd의 전해제련 시스템 해석을 통하여 다성분 금속염의 전해 분리의 기본 특성을 이해할 수 있었으며, 주어진 정전류 전해제련 모사에서 전해거동을 예측할 수 있었다. 또한 시간에 따른 용융염 전극반응에 참여하는 각 원소들의 전류 및 전극반응에 가해지는 전위를 예측할 수 있는 모델로써 전해장치의 설계 및 운전시 전해 변수들이 전해성능에 미치는 영향을 판단하는데 유용하게 활용될 것이 기대된다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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• v.35T no.2
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• pp.66-71
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• 1998

A compact ESP of two-stage type is widely used with positive corona discharge in working environment where the production of ozone is extreamly prohibited. Since there are few scientific reports on a compact ESP, we have investigated the fundamental characteristics of a two-stage ESP. A model two-stage ESP is made with simple structure in order to simplify theoretical analysis and the relative position of the ionizer and collector section can be changed. The experimental investigation revealed many interesting facts.: The electric field in the collector electrodes affects the corona discharge of the ionizer. The concentration of particles after collector remarkably varied in the region between the high voltage and grounded electrodes. The collection efficiency right behind the high voltage electrode is much greater than that behind the grounded one. The total collection efficiency, calculated by integrating the particle concentration in whole measuring region, is greater when the high voltage electrode of the collector is located behind the discharge electrode of ionizer. Thus, the relative position of the ionizer and collector electrodes affects the precipitation characteristics.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.326-326
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• 2008

갈륨 질화물 (GaN) 기반의 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 최근 디스플레이, 교동신호등, 휴대폰용 키패드의 광원 등에 널리 사용되는 전자소자로, 차세대 조명용 광원으로도 각광받고 있다. 일반적인 수평 구조의 LED에 비해 수직형 구조 LED 는 발광면이 n-GaN 표면 전체이며, 전류 확산 특성이 매우 뛰어남으로 인해 차세대 구조라고 표현되어 진다. 이런 구조에서 활성층 영역에서의 균일한 전류 분포는 전류밀집 현상을 억제하여 결과적으로 광학적 특성을 향상시킨다. 따라서 현재까지도 전류확산에 따른 발광다이오드의 성능향상에 대한 연구가 다각도로 이루어지고 있다. 본 연구에서는 수직형 GaN LED 의 전극 패턴에 따른 활성층 영역에서의 전류밀도 분포에 대해 조사하였다. 전극 패턴의 크기 및 구조 변화에 따른 활성층 영역에서의 전류분포도를 삼차원 회로 모델을 이용하여 분석하였다. 또한 활성층 영역으로 주입되는 전류 밀도의 크기가 내부양자효율에 미치는 영향에 대하여 알아보았다. 활성층 영역에서의 균일한 전류밀도 분포를 갖는 전극구조를 설계하였으며, 각각의 전극구조를 적용한 수직형 GaN LED의 전기/광학적 특성에 대해 전산모사 하였다. 최종적으로, n-GaN 위 전극의 크기 및 구조 변화에 대한 시뮬레이션 결과를 토대로, 균일한 전류분포 및 내부 양자효율 향상을 위한 전극패턴 설계 방침을 제안한다.

• Proceedings of the KSEEG Conference
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• 2001.04a
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• pp.126-129
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• 2001

• Proceedings of the KOSOMBE Conference
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• v.1993 no.11
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• pp.60-62
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• 1993

• Korean Journal of Materials Research
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• v.11 no.2
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• pp.151-154
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• 2001

The leakage current behaviors of PLZT capacitors with top electrodes of Pt, Ir, and $IrO_2$ are investigated before and after hydrogen forming gas anneal. The P-E hysteresis and fatigue properties of Pt/PLZT/Pt capacitors are almost recovered after recovery anneal in $O_2$ ambient. The leakage current mechanisms of PLZT capacitors with Pt and $IrO_2$ top electrodes are consistent with space-charge influenced injection model showing the strong time dependence irrespective of annealing conditions. On the other hand, the leakage current behavior of Ir/PLZT/Pt capacitor shows steady state independent of time because IrPb, conducting phase, formed at interface between Ir top and PLZT is a high conduction path. Teh leakage current mechanism of Ir/PLZT/Pt capacitor is consistent with Schottky barrier model.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.10a
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• pp.151-152
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• 2008

본 논문에서는 전극간의 비틀림 각도가 아크거동에 미치는 영향을 알아보기 위해 고속카메라를 이용한 아크촬영과 아크전압측정을 동반한 전류차단시험을 실시하였다. 측정결과를 이용한 아크거동 분석결과를 각 모델에 대한 유한요소해석을 통한 로렌츠 힘 계산결과와 결부시켜 비틀림 각도가 아크거동에 미치는 영향을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.70-70
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• 2011

차세대 저항 메모리로 활용 가능한 ZnO 박막의 저항 변화 특성을 평가하였다. ZnO 박막은 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 스퍼터링 시스템을 이용하여 약 50nm 두께로 증착되었다. 증착된 박막에 전극을 evaporator를 이용하여 패턴닝 함으로써 전극-반도체-전극 구조의 소자를 만들고 전기적 특성을 평가하였다. 비교적 높은 compliance current (이하Icomp)를 설정한 경우 unipolar 저항 변화특성을 나타낸 데 비해 비교적 낮은 Icomp를 설정한 경우 bipolar 저항 변화특성을 나타내었다. 두 서로 다른 저항 변화 특성은 100cycle 이상 안정적으로 재현성 있게 나타났으며 이때의 저항비는 약 $10^3$ 정도를 나타냈다. 본 결과를 바탕으로 필라멘트 이론에 기초한 저항 변화 메커니즘을 설명하는 모델이 제시되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.379-379
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• 2011

차세대 저항메모리(resistive switching random access memory; ReRAM)의 개발을 위해 다양한 산화 물질들의 저항 변화 특성이 연구되고 있다. 본 연구에서는 저항 변화 물질로 잘 알려진 ZnO 박막을 이용하여 저항 변화 특성을 평가하였다. ZnO 박막은 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 스퍼터링 시스템을 이용하여 약 50 nm 두께로 증착되었다. 증착된 박막 위에 전극을 evaporator를 이용하여 패턴닝함으로써 전극-반도체-전극 구조의 소자를 만들고 이의 전기적 특성을 평가하였다. Compliance current를 설정하여 저항 변화 특성을 측정한 결과 가해진 전압의 극성에 관계 없이 저항이 변화하는, dielectric breakdown에 의해 박막내 전도성 필라멘트라 불리는 전도성 길이 생성되었다가 joule-heating에 의해 필라멘트가 파열되는, 전형적인 unipolar 저항 변화특성이 나타났다. 다기능성 소자 개발을 위해 위 소자 구조를 투명한 고분자 기판위에 형성하고 표면에 초발수성 ZnO 나노막대 구조를 합성하였다. 그 결과 투명하면서 유연하고, 수분에도 안정적인 다기능성 저항 변화 소자 특성을 평가할 수 있었다. 본 결과를 바탕으로 필라멘트 이론에 기초한 저항 변화 메커니즘을 설명하는 모델이 제시되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.301-304
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• 2005

본 논문은 개폐기의 접점 형상에 따른 전계 분포 특성을 2차계 전자계 해석 program인 Flux-2D를 통해 살펴보았다. 2개의 모델을 선정하여 전극간 이격거리를 115[mm], 120[mm], 125[mm]로 변화를 주었을 때 최고 전계 강도의 변화를 살펴보았다. 1000[V] 인가시 최고 전계 강도는 (a)모델에서 115[mm]일 때 61.84[V/m], (b)모델에서 115[mm]일 때 66.90[V/m]로 나타났다.