유기물 기반 태양전지의 낮은 전하수송 효율 문제(전하이동거리 약 ~20nm)를 개선하기 위해서는 생성된 전자-홀 쌍이 빠르게 전극 층으로 이동하도록 태양전지 의 층 구조 및 특성을 제어하는 것이 중요하다. 그 방안으로 무기물 반도체인 산화아연을 나노구조물 형태로 제어하여 전자 이동층(Electron Conductive Layer) 으로 도입, 생성된 전자의 이동 가능한 면적을 넓히고 전자수송효율을 높여 유무기 복합체 태양전지의 Fill Factor를 향상시켰다. 또한 제조된 산화아연 나노구조물의 산소플라즈마 처리와 같은 표면 처리를 통하여 유기물 층과의 흡착성을 높이고 나노구조물 표면에 oxygen을 침투시켜 전자 이동도를 향상시켰다.
The paper presents the measurement results on the parameters affecting the breakdown mechanism of a large air spacing under switching impulse voltages. Measured parameters are the velocities of leader channels, predischarge currents, electric charges injected into the rod-plane air gap and electric field intensities on the plane. For the 3m air gap under switching impulse voltages, the velocities of leader channel have been measured to be of 1cm/${\mu}s$ - 5cm/${\mu}s$, electric field intensity of 2kv/cm, predischarge current of 1.2A - 1.6A, the charges injected into the air gap of 11 - 40 ${\mu}$C for 400-887kV impulse voltages.
콘덴서에 고압으로 축적된 에너지를 부하로 전달해주는 스위칭기술은 고전압 펄스 파워 분야에서 아주 필수적이다. 이러한 관점에서 볼 때, 트리거 갭 스위치는 흔히 연구실에서 용이하게 사용할 수 있고, 갭 간격을 조정함에 의해 방전전압을 가변할 수 있는 장점이 있다. 그러나, 트리거 갭 스위치는 트리거 방전없이 생기는 자가방전이 발생하거나 트리거 방전이 생겨도 주방전이 일어나지 않는 경우가 있다. 본 연구에서는 이러한 일반 트리거 갭의 단점을 보완하고 확실하게 동작하는 갭 스위치의 제작에 필요한 데이터 확보를 위해 Nd:YAG 레이저를 트리거 갭 스위치 음극에 조사해 전극사이의 거리 g와 압력에 따른 최소트리거전압 $V_{T.min}$의 특성을 파악하였다.
차세대 LCD back light 시스템으로 Xe plasma plat lamp를 주목하고 있으나 자외선 여기 효율이 떨어져 램프의 휘도 및 광 효율이 낮은 단점을 가지고 있어 이에 따른 개선이 요구되고 있다. MgO는 AC-PDP에서 방전전압의 저하, 방전의 안정성, 동작마진과 같은 특성에 영향을 미치고 있기에 이번 연구 에서는 졸겔법으로 제작한 MgO를 프린팅 방법으로 flat fluorescent lamp에 적용하였다. 실험시 사용한 flat fluorescent lamp의 경우 ITO 전극과 MgO layer 그리고 형광체층을 가진 두 장의 유리판 사이에 Ne-Xe기체를 채운 단순한 구조로 제작하였다. 실험은 압력과 방전거리에 따른 특성을 살펴보았으며, 그 결과 MgO layer 채용한 경우 방전 전압의 감소 및 static margin의 증가를 알 수 있었다.
This paper describes the touch voltages and potential distributions according to the distance between distribution concrete pole and ground rod when the current is injected to a ground rod through overhead ground wire. Touch voltage is measured in four directions. The touch voltage and ground potential distribution per 1 A are analyzed. The touch voltage was the highest at the around surface just above the ground rod.
This paper describes the analysis for ground impedance measurement influenced by distance of current probe and frequency using the fall-of-potential method and the testing techniques to minimize the measuring errors are proposed. The fall-of-potential method is theoretically based on the potential and current measuring principle and the measuring error is primarily caused by the position of auxiliary probes. In order to analyze the effects of ground impedance due to the distance of the current probe and frequency, ground impedances were measured in case that the distance of current probe was located from 5[m] to 20[m] and the measuring frequency was ranged in 55[Hz], 128[Hz], 342[Hz], and 513[Hz]. The results could be help to determine the position of current probe when the ground impedance was measured at grounding system.
망막색소변성(retinitis pigmentosa: RP)과 연령관련 황반변성(age-related macular Degeneration: AMD)은 망막변성으로 인해 실명에 이르는 대표적인 질환이며 망막이식장치의 개발을 통해 치료될 수 있다고 간주되고 있다. 성공적인 망막이식장치 개발을 위하여 여러 가지 선결요소가 필요하지만 그 중 한 가지가 이식장치에 인가할 전기자극을 최적화하는 것이다. 변성망막의 전기적 특성은 정상 망막과 다르리라 예측되므로 우리는 장차 개발될 망막 이식장치에 인가할 전기자극 최적화를 위한 가이드라인을 제공하기 위해 정상 망막과 변성망막의 망막파형 차이에 관한 연구를 하였다. 망막을 분리한 후 망막절편을 신경절세포 층이 다채널전극의 표면을 향하게 하여 전극에 붙인다. In-vitro 상태에서 망막 신경절세포의 전기신호를 기록하기 위해 전극 직경: $30{\mu}m$, 전극간 거리: $200{\mu}m$, 전극 임피던스 1 kHz에서 50 $k{\Omega}$인 8행 8열의 다채널전극을 사용하였다. 생후 28일된 정상마우스(C57BL/6J 종)에서는 짧은 시간대(<2 ms)의 망막 스파이크만 기록되었다. rd/rd 마우스(C3H/HeJ 종)에서는 정상적인 스파이크뿐만 아니라 약 100 ms 의 시간대를 가지는 느린 파형이 같이 기록되었다. 우리는 rd/rd 마우스에서만 관찰되는 이 느린 파형의 기전을 알아보고자 여러 가지 시냅스억제제를 사용하였다. 이 느린 파형은 rd/rd 마우스에서 양극세포로부터 신경절세포로 들어오는 흥분성입력이 정상마우스보다 강화되었기 때문에 발생한 것으로 보인다. rd/rd 마우스에서 흥분성입력이 강화되는 여러 가능성 중에서 망막변성으로 인해 수평세포로부터 양극세포로 들어오는 억제성 입력이 소실됨으로 인해 결과적으로 양극세포로부터 신경절세포로 들어오는 흥분성입력이 강화되었을 가능성이 가장 높은 것으로 보인다.
턴널링 전류는 전극사이의 거리에 지수적으로 비례한다. 따라서 턴널링 전류의 변화측정을 통하여 전극간격의 미세변위를 측정할 수 있다. 본 실험에서는 micro-tip과 membrane사이에 턴널링 전류가 흐르는 피라미드형 실리콘 턴널링소자를 micro-electro-mechanical systems (MEMS) 공정을 이용하여 제조하였다. 단결정 실리콘을 KOH 용액안에서 이방성 에칭 시켜 micro-tip을 제조하였으며, 이때 $SiO_2$막을 마스크로 사용하였다 $Si_3N_4$막으로 membrane을 형성하였다. 마스크 방향에 따른 에칭 진행과정의 차이를 조사하였으며 membrane으로 사용한 $Si_3N_4$막의 stiffness를 측정하였다. 실험으로 측정하기 어려운 영역의 $Si_3N_4$막 stiffness 예측을 위한 모델식을 제시하였다.
본 연구에서는 새로 고안된 방전 논리 게이트 PDP의 논리 게이트 입력인 DC 방전특성에 대해 고찰하였다. 새로 고안된 방전 논리 게이트는 방전 경로에 따른 전극사이의 전위차를 제어하여 논리 출력을 유도한다. 실험결과 이 DC 방전들의 안정성을 위해 프라이밍 방전을 인가한 경우가 인가하지 않은 경우에 비해 방전지연시간이 1/3로 단축되며 방전개시전압은 1/2로 감소하였다. 또한 이 프라이밍 방전에서 발생한 공간전하는 방전종료 후 $30[{\mu}s]$ 정도까지 영향을 미친다. 그리고 시간적, 공간적 거리변화에 파라 공간전하가 DC 방전에 미치는 영향을 측정한 결과, 주 방전에서부터 시간적으로 멀어지는 것보다 공간적으로 멀어지는 것이 주 방전의 영향에서 쉽게 벗어날 수 있음을 알았다. 그러므로 각 주사전극 마다 방전 논리 게이트들을 독립적으로 동작시킬 수 있다는 결론을 얻었다.
1차원 유체 모델을 사용하는 수치 코드를 개발하여 Pierce 다이오드에서 플라즈마에 대한 비선형 동력학적 거동을 연구하였다. Pierce 다이오드에서 플라즈마는 전극에서 방출되는 전자 전류와 전극 사이의 거리로 결정되는 Pierce 매개 변수가 변화함에 따라 안정하기도 하고 불안정해지기도 한다. 중성 및 비중성 Pierce 시스템의 동력학적 특성에 대해 해석적 및 수치적으로 연구하였다. Pierce 매개 변수의 값에 따라 플라즈마는 증폭 모드 또는 진동 모드를 가질 수 있으며, 진동 모드에서는 매개 변수가 감소함에 따라 계속적인 주기 배가 쌍갈림(period doubling bifurcation)을 일으키며 카오스 상태에 도달하게 된다. 이러한 거동에 대한 분석은 보다 복잡한 구조에서의 빔-플라즈마 상호작용에 대한 기본적인 이해를 위한 모델 및 카오스 제어를 위한 자료로서 사용될 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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