• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.12 no.6
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• pp.939-947
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• 2001

This paper presents the penetrated electric fields and resonant frequencies inside a metallic enclosure with aperture excited by an external dipole source. In the theoretical analysis, integral equations for the current distribution and electric field distributions on the aperture are solved by applying Galerkin\`s method of moments. The results show that the electric fields inside metallic enclosure is maximum at the near the aperture and resonant frequencies are the same as calculated of the enclosure without aperture. To verify the theoretical analysis the electric field inside enclosure and resonant frequencies are compared with the experimental results.

• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2005.11a
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• pp.391-396
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• 2005

In this dissertation, we discuss the trends of policy and analyze the technical regulation for the extremely low power devices in other countries. In addition, this paper proposes a draft revision of technical regulation for new efficient electric field strength of extremely low power devices in accordance with the technical requirement of Electromagnetic Compatibility. Based on these researches, the contents of this study will be useful to contribute a domestic efficient expansion and development of extremely low power devices and strengthen a competitiveness on international communication markets.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1662-1663
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• 2011

본 논문에서 하지 정맥 지료를 위한 마이크로파 시스템에서 사용될 가열 안테나의 전계 분포를 균일하게 형성시키기 위해 철사 도파관 안테나를 설계 및 제작하였다. 일반적인 도파관 안테나에 경우 안테나 중심 부분에 전계가 가장 세게 분포되어 온도가 다른 곳에 비해 차이가 많이 나므로 인체 피부가 회상을 입힐 위험이 있다. 제안된 철사 도파관 안테나는 끝단에 가느다란 철을 이용하여 전기장을 철사 부분에 집중시켜 안테나 중앙 부분에 집중된 전기장을 분산되도록 설계하였다. 따라서 전기장을 소스로 하는 온도도 균일하게 분포하게 된다. 제안된 철사 도파관 안테나 내부의 전계 분포는 Ansoft 사의 HFSS, 온도 분포는 CST 사의 MWS(Microwave Studio)를 이용하여 시뮬레이션을 하였고, 일반적인 안테나 경우보다 더 균일한 전계와 온도 분포 특성을 보임을 확인하였다. 제작된 철사 안테나는 사용주파수 15GHz에서 -10dB 이하의 반사 손실을 보였다. 또한 안테나 타당성을 검증하기 위해 개구면 앞에 돼지 껍데기를 두고 일정시간 가열하여 일반 안테나와 제안된 철사 도파관 안테나 온도 분포를 비교하였다. 열화상 카메라를 이용한 실험결과 일반 안테나에 경우 중앙과 가장 자리부분 사이에 약 $29^{\circ}C$, 제안된 철사 도파관 안테나에 경우에는 약 $12.5^{\circ}C$의 차이를 보였다. 이를 통해 제안된 철사 도파관 안테나가 전계 분포 균일성 향상에 기여함을 확인하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.73-73
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• 2003

최근 LCD(liquid crystal display)분야에서 고해상도와 빠른 응답속도를 가지는 다결정 실리콘 박막트랜지스터에 대한 연구를 하고 있다. 그러나, poly-Si은 poly-Sil-xGex에 비해 intrinsic carrier mobility가 낮고 고온의 결정화 공정을 필요로 한다. 따라서, Poly-Si을 대체할 재료로 poly-SiGe에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 전계에 의해 결정화가 가속되고 한쪽 방향으로 결정화를 제어하여 채널내 전자나 정공의 이동도를 향상시 킬 수 있는 새로운 결정화 방법인 전계 유도 방향성 결정화법을 이용하여 Ge 함량에 따른 a-Sil-xGex(0$\leq$x$\leq$0.5)의 결정화 특성을 연구하였다. 대기압 화학 기상 증착법으로 5000$\AA$의 산화막(SiO$_2$)이 증착된 유리 기판상에 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 800$\AA$의 비정질 실리콘을 증착한 후 RF magnetron sputtering법을 이용하여 Ge 함량에 따른 Sil-xGex 박막을 1000$\AA$ 증착하였다. Photolithograph방법을 이용하여 금속이 선택적으로 증착될 수 있는 특정 Pattern을 가진 mask를 형성한 후 금속을 DC magnetron sputtering법을 이용하여 상온에서 50$\AA$.을 증착하였다. 이후 시편에 전계를 인가하기 위해 시편의 양단에 전극을 형성한 후 DC Power Supply를 통해 전압을 제어하는 방식으로 전계를 인가하였다. 결정화 속도는 광학현미경을 이용하여 분석하였으며 결정화된 영역의 결정화 정도는 micro-Raman spectroscopy로 분석하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.13 no.2
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• pp.93-97
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• 2003

The crystallization behavior of amorphous silicon is affected by direction and intensity of electric field in FALC（Field-Aided Lateral Crystallization). Electric field was calculated in a simplified model using conductivity data of Mo, a-Si, $SiO_2$and boundary conditions for electric potential at the electrodes. The magnitude of electric field intensity in each corner of cathode was much larger than that in the center of patterns, and the electric field direction was 50~60 degree outside to cathode. And electric field intensity at a relatively small pattern was larger than that of a large pattern.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1185-1186
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• 2015

본 논문에서 HVDC $SF_6$ 가스절연시스템(GIS)에서 최적의 에폭시 재질을 알아내기 위해 $Al_2O_3$와 $SiO_2$ 나노필러가 첨가된 총 다섯 종류의 에폭시에 대한 도전율을 측정하여 DC 전계분포 해석을 수행하였다. 해석결과 $75^{\circ}$의 접촉각(에폭시 스페이서와 도체가 이루는 각도)가 가장 우수한 전계특성을 나타냈고 $Al_2O_3$ 2 hundred per resin(phr)의 나노필러가 첨가된 에폭시가 가장 우수한 절연매질로써의 특성을 보여주었다. 또한, 삼중점에서 전계집중 완화를 위하여 $Al_2O_3$ 2 phr의 나노필러가 첨가된 에폭시의 데이터를 기반으로 열해석을 고려한 정상상태 및 극성 반전에 대해 DC 전계 해석을 수행하여 최적의 에폭시 스페이서 형상을 도출하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.3
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• pp.249-258
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• 1991

He-Ne레이저(.lambda.=0.6328[.mu.m])를 광원으로 사용하는 y-cut LiNbO$_{3}$기판의 광 도파로 형성 과정을 빔 전송방식 메카니즘을 이용하여 광 도파로에서 광파의 전계 변화 및 전계 분포에 대하여 시뮬레이션 하였다. 그리고 Xl(55[.mu.m])* Zl(5000[.mu.m])인 LiNbO$_{3}$기판의 광 도파로 폭을 4[.mu.m], 버퍼층을 0.02[.mu.m]로 하였을때 도파로 층의 깊이가 0.2[.mu.m]인 지점에서 인가전압에 대한 x방향의 전계(E$_{x}$)와 y방향의 전계(E$_{y}$ )분포를 관찰하였다. 또한 단일 도파로의 파라미터 조건을 적용하여 X-스위치를 구성하였을때 전계를 인가하지 않은 상태에서 굴절율 변화(dn) 0.002, 도파로 폭(w) 3[.mu.m]로 하여 도파로의 교차각(.alpha.)을 0.4.deg.~0.6.deg.로 변화시킨 경우, .alpha.=0.5.deg.와 0.6.deg.일 때는 광빔이 bar측으로 출력되었고 .alpha.=0.4에서는 광빔이 cross측으로 출력 됨을 확인하였다. 따라서 위에서 확인된 도파로의 교차각 .alpha.=0.4.deg.인 경우, 전극간격(gap)이 2[.mu.m]인 조건에서 스위칭 전압을 인가하였을 때 25[V]에서 전기광학 효과에 의하여 광빔이 cross측에서 bar측으로 변조됨을 확인함으로써 X-스위치 광변조기의 기본적인 설계조건을 구현하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.4
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• pp.421-429
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• 1992

본 연구에서는 (Sr.Pb)TiO$_{3}$계 세라믹을 고압용 세라믹 캐패시터로 응용하기 위하여 일반적인 세라믹 소성법으로 제작하였으며 Bi$_{2}$O$_{3}$. 3TiO$_{2}$의 첨가량에 따른 전기전도 및 DC 절연파괴 특성을 조사하였다. 전도전류는 측정온도의 상승과 Bi$_{2}$O$_{3}$.3TiO$_{2}$의 첨가량이 증가함에 따라 상승하였다. 실온에서 전도전류는 전계에 따라 3영역으로 나누어졌다. 전계 15[kV/cm]이하의 영역에서는 오음의 법칙이 성립하는 이온전도가 나타났으며 전계 15[kV/cm]~40[kV/cm]인 영역에서는 전계에 강요된 강유전성 분극의 반전게에 기인하여 전류의 포화현상이 나타났다. 전계 40[kV/cm] 이상의 영역에서는 공간전하제한전류에 관련된 차일드법칙이 성립하였다. DC 절연파괴 강도는 측정온도의 상승과 Bi$_{2}$O$_{3}$.3TiO$_{2}$의 첨가량이 증가함에 따라 감소하였다. 온도 100[.deg.C] 이하에서는 전자적파괴가 일어났으며 100[.deg.C] 이상에서는 주울열과 유전손실에 의한 열적파괴가 나타났다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.25 no.8B
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• pp.1469-1476
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• 2000

We have to consider the drain current as consisting of two components the vertical electric field and the longitudinal electric field because the drain current is almost totally due to the presence of drift in strong inversion of n-MOS FET. Especially the mobility of electrons in the inversion layer is smaller than the bulk mobility because the vertical electric field component that is generated by the effect of the gate voltage is perpendicular to the direction of normal current flow. By the multi-box segmentation technical method that are proposed in this paper we calculated the inversion layer depth and analyzed the vertical electric field component which has an large influence on mobility model.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.7 no.2
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• pp.168-174
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• 2006

We investigated field-effect ion-transport devices based on carbon nanotubes by using classical molecular dynamics simulations under applied external force fields, and we present model schematics that can be applied to the nanoscale data storage devices and unipolar ionic field-effect transistors. As the applied external force field is increased, potassium ions rapidly flow through the nanochannel. Under low external force fields, thermal fluctuations of the nanochannels affect tunneling of the potassium ions whereas the effects of thermal fluctuations are negligible under high external force fields. Since the electric current conductivity increases when potassium ions are inserted into fullerenes or carbon nanotubes, the field effect due to the gate, which can modify the position of the potassium ions, changes the tunneling current between the drain and the source.