• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.5
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• pp.1592-1596
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• 2010

According to the increase of the channel length with fixed width/length, characteristic curves of drain current as a function of gate bias voltage of indium gallium zinc oxide (IGZO) thin-film transistors moved to a positive direction of gate voltage, and field-effect mobility decreased. In case of fixed length and width of channel, field-effect mobility was lower and subthreshold slope was larger when drain bias voltage was higher. Due to large work function of IGZO, band bending at the junction region between IGZO channel and source/drain electrodes was expected to be in opposite direction to that between silicon and metal electrodes; this could explain the above results.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.292-294
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• 2016

이황화몰리브덴을 활용한 전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor)는 채널 물질의 우수한 특성으로 차세대 저전력 고성능 스위치와 광전소자로 주목받고있다. Underlap 게이트 구조에서 게이트 길이(L_G), 절연체 두께(T), 절연체 상대유전율(${\varepsilon}_r$)에 따라 변화하는 소자특성을 분석하여 저전력 고성능 $MoS_2$ 전계효과트랜지스터를 위한 게이트 구조 최적화방법을 모색하였다. EDISON simulator 중 Tight-binding NEGF 기반 TMD FET 소자 성능 및 특성 해석용 S/W를 활용하여 게이트 구조에 따른 게이트 전압 - 드레인 전류 상관관계(transfer characteristic)를 얻고, Y-function method를 이용하여 채널 유효전하이동도(Effective Mobility), Sub-threshold Swing, on/off 전류비(on/off current ratio)를 추출하여 비교 분석하였다. 시뮬레이션으로 추출한 소자의 최대 채널 유효전하이동도는 $37cm^2V^{-1}s^{-1}$, on/off 전류비는 $10^4{\sim}10^5$, Sub-threshold Swing은 ~38mV/dec 수준을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2017.10a
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• pp.454-456
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• 2017

Current and capacitance-voltage characteristics of tunnel field effect transistor (TFET) with various quantum models were investigated. Density gradient, Bohm quantum potential (BQP), and Vandort quantum correction are used with calibrating against Schrodinger-Poisson model. Drive-currents in all models. are decreased. When only BQP is used, SS and $V_{onset}$ are fixed but drive-current is decreased 3 times more than those of no quantum model. And When BQP with Vandort and density gradient are used, SS increased more than 40 mV./dec and $V_{onset}$ shifted as 0.07 eV.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2016.10a
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• pp.611-613
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• 2016

The characteristics of tunnel field-effect transistor(TFET) structure with source-overlapped gate was investigated using a TCAD simulations. Tunneling is mostly divided into line-tunneling and point-tunneling, and line-tunneling is higher performance than point-tunneling in terms of subthreshold swing(SS) and on-current. In this paper, from the simulation results of source-overlapped gate length effects at silicon(Si), germanium(Ge), Si-Ge hetero TFET structure, the guideline of optimal structure with highest performance are proposed.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.4 no.4
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• pp.2-12
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• 1967

A pair of insulated-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor has been used to measure the direct current produced from the ionization chamber in the range of to A. An analisis of direct-current differential amplifier giving the expressions of the common-mode rejection ratio and the rralization of the constant-current generator to give very large effective source resistance has been presented. Voltage gain is 6.6, drift at the room temperature is 1.5mv per day. The common-mode rejection ratio is obtained maximum 84db. These facts give the feasibility of small direct-current measurements by utilizing this type transistors.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.49 no.5
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• pp.270-277
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• 2000

A new Lateral Trench-MOS Bipolar-Mode Field-Effect Transistor(LTMBMFET) is proposed and verified by MEDICI simulation. By using a trench MOS structure, the proposed device can enhance the current gain without sacrificing other device characteristics such as the breakdown voltage. The channel region of the proposed device is formed between the trench MOS structure. So the effect of the substrate voltage is negligible when compared with the conventional device which has a channel region between the gate junction and the buried oxide layer.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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• v.36T no.3
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• pp.1-6
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• 1999

The preparation and electrical or optical characteristics of blue-green emitting powder type electroluminescent device(P-ELD) are described. In V-I and Y-L characteristics, current and luminance are increased with increasing frequency and voltage. Luminance was shown 840 cd/$\textrm{m}^2$ at operating condition of 20 kHz, 150 V It can be explained by eqivalent circuit of P-ELD.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.5
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• pp.462-469
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• 1996

1x2 방향성결합형 광 변조기를 LiNbO3 기판상에 양자교환에 의한 자기정렬 방식으로 제작하였다. 양자교환후 광 도파로의 안정을 위해 열처리를 하였다. 본 연구에서는 광 도파로를 제작한 후 열처리 시간에 의한 도파로의 굴절을 변화의 관계에 대하여 연구하였으며 전계효과가 우수한 자기정렬방식을 선택하였다. 제작된 1x2 방향성결합형 광 변조기는 변조전압 8.0V에서 크로스토오크가 -29.5dB의 매우 우수한 특성을 나타내었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1521-1522
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• 2011

뇌임펄스에 의한 절연유체 내 절연파괴 현상은 스트리머 채널에서의 유체유동과 기체유동이 동시에 발생한다. 스트리머 개시와 동시에 발생하는 기포들은 절연파괴에 직접적인 영향을 미치며 이를 모의해석하기위해서 2상유동이 고려되어야한다. 2상유동이 고려된 뇌임펄스 응답 유한요소해석은 전계에 의한 푸아송 방정식과 전자, 양이온, 음이온에 대한 전하연속방정식으로 구성되며 전계 방출과 열전자 방출효과를 경계조건으로 부여하였다. 기체 전리현상은 타운젠트 이론을 도입하였으며, 유체 전리현상은 제너 이온화 모델을 도입하여 수학적 모델링을 통한 2상유동으로 결합하였다. IEC standard #60897의 표준규격에 따라 침-구형 전극을 설계하였고 2차원 축대칭 간략화모델에 적용하여 실험적 결과와 비교분석함으로써 신뢰할 수 있는 수치해석기법이 제시되었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1227_1228
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• 2009

본 논문에서는 순방향 특성의 열화 없이 항복전압 향상을 위해 플로팅게이트와 필드플레이트를 적용한 AlGaN/GaN HEMTs를 제작하였다. AlGaN/GaN HEMTs에서의 항복전압은 게이트의 하단의 전계분포와 관련이 있다. 제안된 AlGaN/GaN HEMTs의 경우 GaN 층의 공핍영역을 효과적으로 확장시킴으로써 게이트와 드레인 사이의 영역에서의 전계집중을 성공적으로 완화시켰다. 필드플레이트와 플로팅게이트가 모두 적용된 소자의 항복전압이 1106 V인 반면, 필드플레이트만 적용한 소자의 항복전압은 688 V, 플로팅게이트만 적용한 소자의 항복전압은 828 V로 측정되었다.