• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.7 no.2
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• pp.250-254
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• 2003

A film bulk acoustic resonator (FBAR) device for 2 GHz radio frequency (RF) bandpass filter application is presented. This FBAR device consists of an aluminum nitride (AlN) film sandwiched between top(Al) and bottom(Au) electrodes and an acoustic multilayer reflector of a silicon dioxide/tungsten (SiO2/W). The A/N film deposited using a RF sputtering was observed to have small columnar grains with a strongly preferred orientation towards c axis. In addition to a high quality factor (4300), a large return loss of 37.19 dB was obtained.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.16 no.2 s.93
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• pp.154-160
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• 2005

Microwave Otters are essential device in modem wireless systems. A compact dimension BPF(Band-pass Filter) for IEEE 802.11a WLAN service is realized using LTCC multi-layer process. To extrude 2-stage band-pass equivalent circuit, band-pass and J-inverter transform applied to Chebyshev low-pass prototype filter. Because parallel L-C resonator is complicate and hard to control the inductor characteristics in high frequency, the shorted $\lambda/4$ stripline is selected for the resonator structure. The passive element is located in the different layers connected by conventional via structure and isolated by inner GND. The dimension of fabricated stacked band-pass filter which is composed of six layers, is $2.51\times2.27\times1.02\;mm^3$. The measured filter characteristics show the insertion loss of -2.25 dB, half-power bandwidth of 220 MHz, attenuation at 5.7 GHz of -32.25 dB and group delay of 0.9 ns at 5.25 GHz.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.45 no.8
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• pp.114-120
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• 2008

In this paper, we extract the parasitic elements of the metal-insulate-metal(MIM) capacitor using short-open calibration (SOC). The scattering matrixes of short, open, and MIM structures in strip lines are measured by full electro-magnetic (EM) simulator and vector network analyser. The full EM simulations are performed by finite element method (FEM) that was fitted three dimensional structure analysis. The electro-magnetic effects of MIM capacitor laminated in the multi-layered structures are proposed the II equivalent circuit with lumped elements, and the relations between the measured scattering parameters of the MIM structures and lumped elements in the circuits are shown by performing 2 port network analysis. The extracted lumped elements using the proposed SOC method are independent to frequencies.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.16 no.3
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• pp.451-456
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• 2021

In order to improve the cell capacitance and scale down in capacitors of semiconductor memory devices, a stacked ONO structure has been introduced as a dielectric layer and thinning of these layers has been attempted continuously. However, many problems have emerged in the manufacturing process. In this study, L/L LPCVD system was used to suppress the growth of natural oxide film of about 10 Å, which was able to secure the capacitance of 3fF / cell. In addition, we investigated the effect of thinning of the dielectric film on the abnormal oxidation of the nitride film, and proposed a stable process control method for forming the dielectric film to ensure oxidation resistance.

• Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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• v.18 no.7
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• pp.48-55
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• 2019

Soldiers have been exposed to the risk of chilblains in cold winters. Recent studies have described sensors and IOT devices that use independent power sources based on piezoelectric energy harvesting. Therefore, the heated shoes with an independent power source have been developed. For the application of energy harvesting to shoes, it is necessary to develop a unique harvester by considering human gait characteristics. Energy harvesters and ceramics were designed and fabricated in this study. The performances of these harvesters and ceramics were evaluated experimentally. Then, the harvesters and ceramics with superior performance were selected and applied to the system. Thereafter, the heating and charging performance of the system was tested under real walking conditions. The results show that the developed system can generate adequate energy to charge the battery and heat the shoes.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.1 no.2
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• pp.117-123
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• 1992

$Pt-SnO_{2-x}$ thin film sensing devices has been fabricated by thermal oxidation of stacked Pt-Sn thin film on the heater. The thickness of Sn thin film deposited by thermal evaporation was $4000{\AA}$ and the thickness of Pt deposited by D. C. sputtering on Sn thin film was $14{\sim}71{\AA}$ range. The XRD analysis show that the $Pt-SnO_{2-x}$ thin films are formed by grains with a diameter of about $200{\AA}$ randomly connected and the crystalline phase of the thin films are preferentally oriented in the (110) direction. $Pt-SnO_{2-x}$ thin film device (Pt thickness : $43{\AA}$) to 6000 ppm CO shows the sensitivity of 80% and high selectivity to CO. And the operating temperature and the thermal oxidation temperature of $Pt-SnO_{2-x}$ thin film device with high sensitivity to CO were $200^{\circ}C$ and $500^{\circ}C$, respectively.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.206-206
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• 2008

압전소자를 이용한 초음파 모터는 전자기적 원리로 동작하는 기존의 모터에 비해 구조가 간단하고 소형, 경량화가 가능하며 저속에서 큰 토크가 가능하고 ${\mu}m$단위 까지 정밀제어가 가능하다는 장점 등으로 인해 그 응용분야가 점차 확대되고 있다. 초음파 모터의 원리는 수평과 수직방향에서 변위가 타원형 운동을 형성하는 것이다. 따라서 선택한 타원운동의 방식에 의해서 모터의 형상이 달라진다. 초음파 모터는 액츄에이터를 사용하여 만들기 때문에 액츄에이터의 특성은 모터의 타원변위나 토크에 영향을 미친다. 단판형 액츄에이터에 비하여 적층 액츄에이터는 입력 임피던스를 낮추어 낮은 구동전압에서 구동이 가능하며 큰 변위와 토크를 발생하기 때문에 진동자의 수명 향상과 구동전압을 낮추기에 적합하다. 적층 액츄에이터는 변위량이나 응력 등을 개선하기 위해서 전기기계 결합계수(kp) 및 압전 d상수가 큰 재료가 요구되며, 고전압에서 장시간 구동 시 마찰에 의한 열손실을 감소시키기 위해 높은 기계적 품질계수(Qm)를 가져야한다. 적층 시 내부전극으로 사용하는 Pd, Pt가 함유된 전극은 가격이 비싸 제조비용을 상승시킨다. 상대적으로 값싼 Ag전극을 사용하면 비용절감을 할 수 있지만 융점이 낮아서 저온소결이 불가피하다. 따라서, 특성이 우수한 적층 액츄에이터를 제조하기 위해서 저손실, 저온소결 할 수 있는 액츄에이터 재료가 필요한 실정이다. L1-B4 혈 선혈 초음파 모터는 L1모드와 B4모드의 공진 주파수가 일치하여야 큰 변위를 얻을 수 있는데 이전의 논문에서 Atila를 이용한 시뮬레이션 결과를 분석한 봐 있다. 적층 액츄에이터의 층수를 5,7,9,11,13,15층으로 하여 L1-B4모드에서의 공진주파수를 비교한 결과 13 층일 때 두 모드가 비슷한 공진주파수를 보였고, 티원변위궤적도 다른 층수에 비해 크게 나타났다. 본 연구에서는 시뮬레이션 결과 가장 좋은 특성을 보인 13층 액츄에이터로 선형 초음파 모터를 제작하였다. 또한, 액츄에이터는 압전 및 유전특성이 우수한 저온소결 PZW-PMN-PZT세라믹을 이용하여 제작하였고, 내부전극으로 Ag전극을 사용하였다. 제작된 13 층 선형초음파모터를 가지고 프리로드 및 전압에 따른 속도를 조사하였고, 시뮬레이션 결과와 비교해 보았다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1591-1592
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• 2006

이동 및 정보통신 시스템이 소형화 및 고성능화됨에 따라 System OR Package (SOP) 기술의 연구개발이 주목을 받고 있다. 저가형 SOP를 위하여 가장 많은 연구가 다층인쇄회로 기판에 수동소자 및 전송선로를 내장시키는 것이다. 본 논문에서는, 8층 KB 기판에 Meander line과 Radial/T Stub 패턴을 Advanced Design System(ADS) simulation을 이용하여 설계 및 제작하고 분석함으로써 정확한 SOP 디자인 및 설계 방향을 제시하고자 한다. 설계변수-패턴의 length, width, spacing, 각도와 공정변수-1층/3층, 기판 재질(prepreg(PP)과 resin coated copper(RCC))을 두어 제작하여 그 특성을 비교하였다. Meander Line는 PP보다 RCC에서의 인덕턴스가 크고 높은 자가 공진주파수를 가졌고, 3층보다 1층에서의 인덕턴스가 안정적이었다. Radial/T Stub는 PP보다 RCC에서의 커패시턴스가 작으나, 높은 자가 공진 주파수로 커패시턴스가 안정적이었다. Meander Line은 RCC, 병렬 전송선로 간격-400um, 병렬 전송선로 길이-500um, 1층 설계 시, 인덕턴스-1.60nH, 자가 공진주파수-9.21GHz 특성이 가장 우수하고, Radial Stub는 RCC, $60^{\circ}$, 1층 설계 시, 커패시턴스-0.62pF, 자가 공진주파수-9.06GHz의 특성이 나타났고, T Stub는 RCC, Stub 길이-600um, Stub 너비-150um, 1층 설계 시, 커패시턴스 -0.38pF, 자가 공진주파수-10GHz이상으로 우수한 특성을 나타냈다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.32 no.2
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• pp.157-160
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• 2019

P(VDF-TrFE-CFE) (Poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene-chlorofluoroethylene)), which exhibits a high electrostriction of about 7%, can transmit tactile output as vibration or displacement. In this study, we investigated the applicability of P(VDF-TrFE-CFE) to wearable piezoelectric actuators. The P(VDF-TrFE-CFE) layers were deposited through spin-coating, and interspaced with patterned Ag electrodes to fabricate a two-layer $3.5mm{\times}3.5mm$ device. This layered structure was designed and fabricated to increase the output and displacement of the actuator at low driving voltages. In addition, a laser vibrometer and piezoelectric force microscope were used to analyze the device's vibration characteristics over the range of ~200~4,200 Hz. The on-off characteristics were confirmed at a frequency of 40 Hz.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.78.2-78.2
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• 2012

최근 PRAM의 집적도 향상 및 3차원 적층에 의한 메모리 용량 향상을 위해 셀 선택 스위치로서 박막형 Ovonic Threshold Switching (OTS) 소자를 적용한 Cross bar 구조의 PRAM이 제안된 바 있다. OTS 소자는 비정질 칼코지나이드를 핵심층으로 하는 2단자 소자로서 고저항의 Off 상태에 특정 값 (문턱스위칭 전압) 이상의 전압을 가해주면 저저항의 On 상태로 바뀌고 다시 특정 값 (유지전압) 이하로 전압을 감소시킴에 따라 고저항의 Off 상태로 복원하는 특성을 갖는다. 셀 선택용 스위치로 적용되기 위해서는 핵심적으로 On-Off 상태간의 가역적인 변화 중에도 재료가 비정질 구조를 안정하게 유지해야 하며 전기적으로는 Off 상탱의 저항이 크고 또한 전류값의 점멸비가 커야 한다. GeSe는 이원계 재료로서 단수한 구성에도 불구하고 OTS 소자가 갖추어야할 기본적인 특성을 가지는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 GeSe로 구성된 OTS 재료에 경원소인 질소를 첨가하여 비정질 상태의 안정성과 소자특성의 개선 효과를 조사하였다. RF-puttering 시 Ar과 $N_2$의 혼합 Gas를 사용하여 조성이 $Ge_{62}Se_{38}$ ($N_2$ : 3%)인 박막을 제작하여 DSC를 통해 결정화온도(Tx)를 확인하였고, $N_2$ gas의 함유량이 각각 1 %, 2 %, 3 %인 $Ge_{62}Se_{38}$인 박막을 전극의 접촉 부 면적이 $10{\times}10\;{\mu}m^2$인 cross-bar 구조의 소자로 제작하여 Threshold switching voltage ($V_{th}$), Delay time ($t_d$), $I_{on}/I_{off}$ 그리고 Endurance 특성을 평가하였다. DSC 분석 결과 $N_2$ 가 3 % 첨가된 GeSe 박막은 Tx가 $371^{\circ}C$에서 $399^{\circ}C$로 증가되었다. $N_2$가 1% 첨가된 GeSe 소자를 측정한 결과 $V_{th}$의 변화 없는 가운데 $I_{on}/I_{off}$이 약 $2{\times}10^3$에서 $5{\times}10^4$로 향상되었다. Endurance 특성 역시 $10^4$에서 $10^5$번으로 향상되었다. $t_d$의 경우 비정질 상태의 저항 증가로 인해 약 50% 증가되었다. 이러한 $N_2$의 첨가로 인한 비정질 GeSe 박막의 변화 원인에 대한 분석 결과를 소개할 예정이다.