• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.11 no.5
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• pp.189-195
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• 2001

We prepared TMR junctions of NiFe(170 )/CoFe(48 )/Al(13 )-O/CoFe(500 )/Ta(50 ) structure on 2.5$\times$2.5 $\textrm{cm}^2$ area Si/SiO$_2$ substrates in order to investigate the uniformity of magnetoresistance(MR) value using a ICP magnetron sputter. Each layer was deposited by the ICP magnetron sputter and tunnel barrier was formed by the plasma oxidation method. We measured MR ratio and resistance of TMR devices with four-terminal probe system by applying external magnetic field. Although we used ICP sputter which is known as superior to make uniform films, the standard variation of MR ratio was 2.72. The variation was not dependent on the TMR devices location of a substrate. We found that MR ratio and spin-flip field (H's) increased as the resistance increased, which may be caused by local interface irregularity of the insulating layer. The variation of resistance value was 64.19 and MR ratio was 2.72, respectively. Our results imply that to improve the insulating layer fabrication process including annealing process to lessen interface modulation in order to mass produce the TMR devices.

• The Journal of Engineering Geology
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• v.31 no.2
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• pp.187-197
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• 2021

Clay mineral content of weathered zone is a key parameter for landslide studies. Electrical resistivity tomography is usually performed to delineate the geometry of complex landslides and to identify the sliding surface. In clay-bearing weathered zone, parallel resistivity Archie equation is employed to investigate the effect of conductivity added (resistivity reduced) by clay minerals of kaolinite and montmorillonite, which is dependent on their specific surface area and cation exchange capacities (CEC). A decrease of overall resistivity and apparent formation factor is observed with increasing pore-water resistivity, significantly in montmorillonite. Formation factor is found decreased with increasing porosity and decreasing cementation factor. Parallel Archie equation was applied to the electrical resistivity data from the test area (Sinjindo-ri, Taean-gun, Chungcheongnam-do, Korea) which experienced land creeping in the year of 2014. A panel test with varying clay-mineral contents provides the best fit section when the theoretical section constructed with the assumed contents approaches the field section, from which the clay-mineral content of the weathered zone is estimated to be approximately 10%. Resistivity interpretation schemes including the clay mineral contents for land creeping studies explored in this paper can be challenged more when porosity, saturation, and pore-water resistivity are provided and they are included in the numerical resistivity modeling.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.37.1-37.1
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• 2009

최근 휘어짐이 가능한 flexible display의 개발이 활발히 진행됨에 따라 OLED(organic light emitting diode)의 발전 가능성은 커지고 있다. 하지만 cathode 재료인 Cr, Al등은 tensile 또는 bending에 취약하다. 따라서 본 연구에서는, 인장시험용 아령모형의 PET($125\;{\mu}m$) 필름에 Al, Cr, Cr+Al을 각각 코팅하고 부분적으로 hole을 patterning함으로써 인장 시 미소크랙의 발생을 감소시켜 전기저항(R) 변화를 최소화하는 패턴형상을 design하고 세 가지 금속의 전기저항 변화를 통해 좀 더 우수한 flexible display용 금속을 찾는데 그 목적이 있다. 전극에 형성된 미세패턴의 영향과 패턴 된 hole size에 따른 전기저항의 변화를 알아보기 위해 hole size는 $50\;{\mu}m$, $30\;{\mu}m$, $10\;{\mu}m$로 제작하였고 각각의 금속막에 patterning하였다. 제작된 시편을 인장시험 장치에 설치 후 2mm/min의 속도로 인장응력을 가하면서 Load의 증가에 따른 금속막의 전기저항($\bigtriangleup$R)을 동시동작으로 측정하였다. 실험결과 인장시험 시 저항변화는 Cr이 짧은 시간에 가장 급격하게 변하였으며 다음으로 Cr+Al, Al순 이였다. 또한, hole size의 크기에 따른 전기저항의 변화는 $50\;{\mu}m$ size의 hole을 pattern한 시편이 가장 안정한 저항 변화를 보였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.33 no.11
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• pp.1203-1208
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• 1996

Crack growth tests on silicon nitride have been made to clarify the crack growth characteristics under static and cyclic loading. Under constant K(K: stress intensity factor) static loading the crack growth rate in silicon nitride decreases with increasing crack extension and is finally arrested. The cack growth resistiance is largely reduced by the application of stress cycling and though the crack growth resistiacne increases with increasing of crack extension the increasing rate is much smaller under cyclic loading than under static loading.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.12 no.1 s.34
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• pp.1-7
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• 2005

The effect of trimming process to adjust accurate resistance of a thin-film resistor was studied with respect to low temperature coefficient of resistance(TCR) and high precision. The characteristics of a thin-film resistor fabricated by sputtering were investigated depending on trimming condition and annealing temperature. Measured results showed that the characteristic of a thin-film resistor was degraded with increased trimming speed. However, an average resistance deviation and a TCR were improved to $0.26\%$ and 52.77[ppm/K], respectively, through annealing treatment. Also, thin-film resistors with 1 k$\Omega$ and 10k$\Omega$ showed better performance compared to a resistor with 100k$\Omega$. The Optimal trimming speed and annealing temperature were 20mm/sec and 539K, respectively, and under this optimal condition, a thin-film resistor with an average resistance deviation of $0.31\%$ and a TCR of below 10[ppm/K] was obtained.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.128-128
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• 2018

최근 디스플레이 기술은 보다 가볍고, 얇고, 선명한 스마트 형태로 발전되고 있다. 특히 스마트산업의 성장으로 터치스크린패널(Touch Screen Panel, TSP)을 사용하는 기술이 다양해짐에 따라 더 높은 감도와 해상도를 달성하기 위한 핵심기술이 필요한 실정이다. TSP는 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식, 초음파 방식 등 다양한 방식이 있다. 그 중 정전용량방식 터치 패널 (Capacitive type touch panel, CTTP)은 다른 유형에 비해 빠른 반응속도 및 멀티 터치 기능 등의 이점을 가지고 있기 때문에 연구의 초점이 되고 있다. 이를 실현하기 위해서 CTTP은 가시광영역의 높은 투과율과 낮은 비저항을 필요로 하기 때문에 박막의 초 슬림화 및 고 결정화도가 선행되어야만 한다. CTTP에 사용되는 투명전극 소재 중에서 40%의 비중을 차지하고 있는 ITO박막은 내구성과 시인성이 좋으나 생산 비용이 비싸다는 단점이 있다. 한편, 반응성 스퍼터링은 기존에 단일 소결체를 사용한 DC마그네트론 스퍼터링법보다 높은 증착률과 낮은 생산 비용으로 초박막을 만들 수 있다는 장점을 가진다. 본 실험에서는 In/Sn (2wt%) 금속 합금 타깃을 사용한 반응성 스퍼터링법을 이용하여 기판 온도 (RT 및 $140^{\circ}C$)에서 두께 30 nm의 In-Sn-O (ITO)박막을 증착하고, 대기 중 $140^{\circ}C$ 온도에서 시간에 따라 열처리한 후 박막의 물성을 관찰하였다. 증착 중 기판 가열을 하지 않은 ITO 박막의 경우, 열처리 시간이 증가함에 따라 비저항은 감소하였고, 홀 이동도는 현저하게 증가하였으며 캐리어 밀도에서는 별다른 차이가 없었다. 이를 통해 비저항의 감소는 캐리어 농도보다는 결정화를 통한 이동도의 증가와 관련 있다는 것을 확인할 수 있었다. 열처리 시간에 따른 박막의 핵 생성 및 결정 성장은 투과 전자 현미경(TEM)으로 명확하게 확인하였으며, 완전 결정화 된 박막의 grain size는 300~500 nm로 확인되었다. 기판온도 $140^{\circ}C$에서 증착한 박막의 경우, 후 열처리를 하지 않은 상태에서도 이미 결정화 된 것을 확인할 수 있었으며, 후 열처리 시에도 grain size에는 큰 변화가 없었다. 이는 증착 중에 박막의 결정화가 이미 완결된 것으로 판단된다. 또한, RT에서 증착한 박막의 경우에는 후 열처리 초기에는 산소공공등과 같은 결함들의 농도가 감소하여 투과율이 증가하였으나 완전한 결정화가 일어난 후에는 투과율이 약간 감소한 것을 확인할 수 있었다. 이는 결정화 시 박막의 표면 조도가 증가하였고 이로 인해 빛의 산란이 증가하여 투과율이 감소한 것으로 판단된다. 이러한 결과로 반응성 스퍼터링 공정으로 제조한 ITO 초박막은 후열처리에 의한 완전한 결정화를 이룰 수 있으며, 이를 통해 얻은 낮은 비저항과 높은 투과율은 고품질 TSP에 적용될 가능성을 가진다고 판단된다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.12 no.6
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• pp.212-217
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• 2002

The pseudo spin valve with a structure of Tl/CoFe(t $\AA$)/Cu(30 $\AA$)/NiFe(50 $\AA$)/Ta, showing giant magnetoresistance properties by utilizing coercivity difference between only two soft ferromagnetic layers were produced by d.c UHV magnetron sputtering system. In pseudo spin valve Ta/CoFe/Cu/NiFe/Ta, the magnetic and magnetoresistance properties with change of CoFe thickness were investigated. When the thickness of CoFe was 60 $\AA$, a typical MR curve of pseudo spin valve structure was obtained, showing MR ratio of 3.8 cio and the coercivity difference of 27.4 Oe with a sharp change of hard layer switching. When the CoFe thickness was varied from 20 to 100 $\AA$, coercivity difference between two layers was increased to 40 $\AA$. and decreased to 100 $\AA$ gradually. It is thought the change in coercivity of hard layer was due to the crystallinity and magnetostriction of thin CoFe layer. In order to improve the MR property in CoFe/Cu/NiFe trier layer structure, CoFe layer with change of 2-20 $\AA$ thick was inserted between Cu and NiFe. When the thickness of CoFe was 10 $\AA$, MR ratio was 6.7％, showing excellent MR property. This indicates 50 ％ higher than that of CoFe/Cu/NiFe pseudo spin valve.

• The korean journal of orthodontics
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• v.27 no.2
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• pp.259-272
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• 1997

This study was performed to locate the anteroposterior position of the center of resistance of upper anterior teeth when intrusive forces are acted on them by applying segmented arch mechanics. Three-dimensional finite element model of upper six anterior teeth, periodontal ligament and alveolar bone was constructed The locations of the center of resistance were compared according to the three variables, which are number of teeth contained in anterior segment, axial inclination of anterior teeth, and degree of alveolar bone loss. The following conclusions were drawn from this study; 1. When the axial inclination and alveolar bone height were normal, the locations of center of resistance of anterior segment according to the number of teeth contained were as follows; 1). In 2 teeth segment, the center of resistance was located in the distal area of lateral incisor bracket 2) In 4 teeth segment, the center of resistance was located in the distal 2/3 of the distance between the brackets of lateral incisor and canine. 3) In 6 teeth segment, the center of resistance was located in 3mm distal of canine bracket, which is interproxirnal area. between canine and 1st premolar. 4) As the number of teeth contained in anterior segment increased, the center of resistance shifted to the distal side. 2. As the labial inclination of incisors increased, the center of resistance shifted to the distal side. 3. As the alveolar bone loss increased, the center of resistance shifted to the distal side.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.37 no.4
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• pp.353-358
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• 2013

The current interruption method is considered to be an efficient way of measuring the resistance of a fuel cell. In this study, the ohmic area specific resistances (ASRs) of polymer electrolyte fuel cells with different types of bipolar plates were evaluated using the current interruption method. The ohmic ASRs of both a fuel cell with graphite bipolar plates and a fuel cell with graphite foil-based assembled bipolar plates decreased as the current density increased. On the other hand, with increasing cell temperature, the ohmic ASRs of a fuel cell with graphite bipolar plates were decreased by a reduction in the proton transport resistance through the membrane, and the ohmic ASRs of a fuel cell with graphite foil-based assembled bipolar plates were increased by the differences in thermal expansion between different components of the bipolar plates.

• Journal of Biosystems Engineering
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• v.7 no.1
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• pp.62-72
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• 1982

이 연구(硏究)는 정백과세중(精白過稅中)에 발생(發生)하는 도정산물(搗精産物) 즉, 정백미(精白米), 미당(米糖), 쇠미등(碎米等)의 발생(發生)을 조사(調査)함으로써 현미(玄米)의 정백(精白)이 진행(進行)되는 과정(過程)을 밝히고자 함이다. 본(本) 실험(實驗)에서는 분풍마찰식(噴風摩擦式) 정미기(精米機)를 사용(使用)하였으며, 정미기(精米機)의 롤러 회전속도(回轉速度)를 850rpm으로 고정(固定)하고 출구저항(出口抵抗)은 3가지 수준(水準)으로 변화(變化)시켰다. 한편 이 실험(實驗)에 사용(使用)된 벼는 밀양 23호(號)로써 전형적인 통일계품종(品種)의 일종(一種)이다. 매순환(每循環)마다 생산(生産)되는 정백미(精白米) 및 부산물(副産物)로부터 sample를 채취(採取)하여 미당(米糖), 대소쇄미(大小碎米), 완전미(完全米) 및 도정수율(搗精收率)을 분석(分析)하였다. 실험결과(實驗結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1) 전체당층(全體糖層)의 75%가 2번째 순환이내(循環以內)에서 제거(除去)되었다. 당층제거율(糖層除去率)은 출구저항(出口抵抗)에 크게 영향(影響)을 받으며, 높은 출구저항(出口抵抗)에서 높은 당층제거율(糖層除去率)을 보였다. 2) 대쇄미(大碎米)의 발생(發生)은 대부분 정백과정(精白過程) 초기단계(初期段階)에서 이루어 졌으며, 완전미(完全米)로 부터의 새로운 쇄미발생(碎米發生)은 순환(循環)이 반복(反復)됨에 따라서 급격(急激)히 감소(減少)하였다. 출구저항(出口抵抗)과의 관계(關係)는 출구저항(出口抵抗)이 증가(增加)할수록 대쇄미(大碎米)의 발생(發生)도 증가(增加)하였다. 3) 미당집적기(米糖集積器)로부터 채취(採取)한 sample에서 측정(測定)한 소쇄미(小碎米)는 양적(量的)으로 다른 도정산물(搗精産物)에 비(比)해 적은 편이었다. 8%의 미당(米糖)이 제거(除去)된 후(後) 소쇄미(小碎米)는 현미중량(玄米重量)의 0.6% 이하(以下)로 나타났다. 4) 도정수율(搗精收率)과 완전미수율(完全未收率)은 어느 정도 출구저항(出口抵抗)의 영향(影響)을 받는 것으로 나타났다. 출구저항(出口抵抗)이 증가(增加)함에 따라서 특히 완전미수율(完全未收率)은 감소(減少)하는 경향(傾向)을 나타냈기 때문에 백미(白米)의 질적저하(質的低下)를 막기 위해 높은 출구저항(出口抵抗)(본(本) 실험결과(實驗結果)에 의(依)하면 85g/$cm^2$)을 사용(使用)하는 것은 부적당(不適當)한 것으로 사려(思慮)된다. 5) 백도계(百度計)의 측정치(測定値)와 미당제거정도(米糖除去程度)(정백도(精白度)) 사이에는 고도(高度)의 상관관계(相關關係)가 있었다. 그러므로 "KETT"제(製) 백도계(百度計)는 정백미(精白米)의 정백도(精白度)를 판명(判明)하는데 사리(使利)하게 사용(使用)될 수 있다.