• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.5 no.5
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• pp.31-37
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• 1996

This paper presents characteristics of pressure sensor using shear-type piezoresistor of LPCVD(low pressure chemical vapour deposition) grown polycrystalline silicon films. The sensor has 3.1mV/V of pressure sensitivity in the pressure range of $1kgf/cm^{2}$, ${\pm}0.012%FS/^{\circ}C$ of TCO, and ${\pm}0.08%FS/^{\circ}C$ of TCS in the temperature range of $-20{\sim}+125^{\circ}C$. It showed ${\pm}0.2%FS$ of hysteresis and ${\pm}1.5%FS$ of non-linearity. Shear-type polycrystalline silicon pressure sensor can eliminate temperature dependence of offset caused by resistors mismatch and be used in relatively wide temperature range, compared to the conventional full-bridge silicon pressure sensors.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.223-223
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• 2011

적외선 감지기로 사용되는 microbolometer 소자재료로 VOx 또는 비정질 Si이 가장 많이 사용된다. 그 중에서 VOx 물질은 온도저항계수 즉, TCR이 높고 감지도가 우수하기 때문에 비냉각 적외선 검출기에 많이 응용된다. Microbolometer 검출기는 그 응답도는 micromachining 공정에 의해 좌우되는 열 고립구조에 의해 좌우된다. 특히 TCR 값이 크고, 열시상수 값이 작을수록 양질의 감지도를 얻을 수 있으므로 재료의 선택 및 공정이 매우 중요하다. 따라서 본 연구에서는 비냉각 적외선 감지소자로 사용되는 VOx 박막을 DC Sputtering을 사용하여 증착하였으며, 그 특성을 조사하였다. MEMS 공정에 의한 센서의 제작은 적외선을 흡수하여 저항변화를 읽어내어 판독하는 Readout IC(ROIC) 위에 행해진다. Monolithic 공정에 의해 이러한 ROIC 위에서 공정이 동시에 행해지므로 공정온도는 매우 중요한 요소로 작용한다. 따라서 증착된 VOx 박막의 열처리 효과를 연구하였다. 열처리 온도는 $250^{\circ}{\sim}420^{\circ}C$, 열처리 시간은 20~80 min 까지 변화시켰다. 갓 증착된 VOx 박막의 저항은 약 200 $k{\Omega}$이였으며, TCR은 -1.5%/$^{\circ}C$로 나타났다. 열처리 온도가 증가함에 따라 TCR 값은 증가하였으며, 열처리 시간이 증가할수록 역시 TCR 값이 증가하는 경향을 보였다. 열처리 온도 320$^{\circ}C$, 열처리 시간 40 min에서 TCR 값은 약 -2%/$^{\circ}C$의 값을 얻을 수 있었다. 이러한 성능의 VOx 박막을 이용하여 비냉각형 microbolometer 검출소자를 열변형없이 공정을 수행할 수 있을 것으로 기대한다.

• Journal of the Korean Recycled Construction Resources Institute
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• v.7 no.1
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• pp.82-91
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• 2019

In this study, in order to evaluate Hydration Heat Characteristics of mass concrete using ternary blended cement for large underground structures, the analysis considering the temperature history and the thermal characteristics inside the actual structure was performed. The results of the analysis are compared with the measured values to verify the reliability of the analysis and to evaluate the crack resistance performance. As a result of the measured the actual structure temperature, The adiabatic temperature rise coefficients K and ${\alpha}$ of the slab were $35.1^{\circ}C$ and 0.72, respectively, and the wall was analyzed as $29.3^{\circ}C$ and 0.67. The analytical results and the correlation coefficients(r) were 0.95 and 0.98, respectively. As a result of evaluating the crack resistance of slab and wall, the minimum crack index of slab and wall was 1.22 and 1.20, respectively. These results were found to satisfy the site management standards.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.7 no.1
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• pp.45-50
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• 1998

Platinum-Cobalt alloy thin films were deposited on $Al_{2}O_{3}$ substrate by magnetron cosputtering for RTD temperature sensors. We made Pt-Co alloy resistance patterns on the $Al_{2}O_{3}$ substrate by lift-off method and investigated the physical and electrical characteristics of these films under various conditions, the input power, working vacuum, annealing temperature and time, and also after annealing these films. The resistivity and sheet resistivity of these films were decreased with increasing the annealing temperature. At input power of Pt : $4.4\;W/cm^{2}$, Co : $6.91\;W/cm^{2}$, working vacuum of 10 mTorr and annealing conditions of $800^{\circ}C$ and 60 min, the resistivity and sheet resistivity of Pt-Co thin films was $15{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ and $0.5{\Omega}/{\square}$, respectively and the TCR value of Pt-Co alloy thin films with thickness of $3000{\AA}$ were $3740ppm/^{\circ}C$ in the temperature range of $25{\sim}600^{\circ}C$. These results indicate that Pt-Co alloy thin films have potentiality for the RTD temperature sensors.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.310-310
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• 2012

최근 전자산업의 발달에 따른 전자제품의 소형화 및 고기능화 요구에 대응하기 위하여 저항(resistor), 커패시터(capacitor), IC (integrated circuit) 등의 수동소자를 개별 칩(discrete chip) 형태로 형성하여 기판의 표면에 실장하는 기술이 일반화되고 있다. 그러나, 수동 소자의 내장 기술은 기판의 패턴 밀도의 급격한 향상과 더불어 수동소자의 내장 공간도 협소해지는 문제점이 있다. 상기의 문제점을 해결하기 위해 개별 칩 형태의 내장형 저항체를 박막 형태의 내장 저항체를 구현하는 기술의 개발이 최근 주목을 받고 있다. 박막 저항체는 기존의 권선저항 및 후막저항과 비교하여 정밀한 온도저항계수를 가지며 이동통신에 적용시 고주파 영역(GHz)에서의 안정성과 주파수 특성이 좋다는 장점들을 가지고 있다. 박막 저항 물질로는 높은 경도와 우수한 열적 안정성을 가지고 있는 TaN (tantalum nitride)이 주로 사용되고 있다. 일반적으로, TaN 박막은 스퍼터링을 사용하며 제조되며 TaN 박막의 성질은 탄탈륨과 질소의 화학정량비, 박막의 결함 정도, 또는 공정압력 및 증착 온도, 플라즈마 파워 등과 같은 공정조건 등의 변화에 민감하게 변화하므로, TaN 박막의 다양한 연구가 더 필요한 실정이다. 본 연구에서는 반응성 마크네트론 스퍼터링을 사용하여 TaN 박막을 Si 기판 위에 증착하였고 TaN 박막의 원하는 특성을 제어할 수 있도록 질소 분압과 total gas volume을 조절하여 공정을 최적화하는 연구를 진행하였다. 또한 tensile pull-off 방법을 이용하여 TaN 박막의 부착강도를 평가하였고, 온도 사이클 및 고온고습 환경에 노출된 TaN 박막들의 열화 특성들에 대하여 연구하였다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.38 no.10
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• pp.1049-1056
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• 2014

Microelectronics components contain various materials with different coefficients of thermal expansion (CTE). Although a large amount of published data on the CTE of standard materials is available, it occasionally becomes necessary to measure this property for a specific actual material over a particular temperature range. A change in the temperature of a material causes a corresponding change in the output of the strain gage installed on the specimen because of not only the mechanical load but also the temperature change. In this paper, a detailed technique for CTE measurement based on these thermal characteristics of strain gages is proposed and its reliability is evaluated. A steel specimen, aluminum specimen, and copper specimen, whose CTE values are well known, were used in this evaluation. The proposed technique was successfully applied to the measurement of the CTE of a coreless package substrate composing of electronics packages.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1997.11a
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• pp.128-131
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• 1997

기본 조성식 M $n_{1-x}$/F $e_{2+x}$/ $O_4$(이하 Mg계), M $n_{1-x}$/F $e_{2+x}$/ $O_4$(이하 Mg계)의 식에서 x를 0.0,0.025,0.1,0.2로 변화시키고, 하소온도 80$0^{\circ}C$, 소결은도를 l10$0^{\circ}C$~12$50^{\circ}C$로 $50^{\circ}C$간격으로 변화 시켰을 때와 Mn계와 Mg계를 1:1로 흔합하였을 때, F $e_2$ $O_3$의 과잉 양이 증가할수록 비저항은 감소하였고, 저항온도계수 $\alpha$는 밀도와 비례하는 관계를 나타내었으며, B정수는 4600(K)에서 10500(K)의 범위를 나타내었다. 본 조성의 실험으로써 Mn-Ni-Co계 서미스터의 대체가 가능함을 확인할 수 있었다.있었다.

• KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
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• v.26 no.2D
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• pp.285-292
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• 2006

The objective of this study is to introduce the development of the first Korean full-scale APT(Accelerated Pavement Tester) and to compare the performances of general dense grade asphalt mixture and modified asphalt mixtures as the first running of the tester. The tests evaluated the rutting resistance for dense grade mixture and three different modified asphalt mixture under three different temperature conditions (25-30, 40, $50^{\circ}C$). The results of the testing were compared with the laboratory test results. Results of the tests indicated that the all the modified asphalt sections showed higher rutting resistance than the dense grade section. Especially, the difference was more noticeable at higher temperature condition. Additionally, $G^*/sin{\delta}$ is found out to be an important factor for permanent deformation prediction whereas the resilient modulus was not.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.134-134
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• 2009

원자층 증착법을 이용하여 platinum group metal(Ru, Ir, Pt). metal nitride(TaN, TiN, AlN), 그리고 metal oxide($Al_2O_3$, $TiO_2$)을 증착하고, 미세구조와 공정 변수가 내산화성, 내부식성, 저항 및 온도저항계수에 미치는 영향을 연구하였다. proto-type의 전자저항막 제조를 통해 종래의 TaN 전자저항막에 비해 우수한 내부식성 및 내산화성을 가짐을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.09a
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• pp.133-136
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• 2005

스퍼터링 공정으로 Al이 $2\%$ 함유된 ZnO 박막을 PET에 증착하여 김서림 제거용 투명발열체를 제작하였다. 증착된 투명발열체는 $5\;{\times}\;10^{-3}{\Omega}\;cm$ 의 비저항과 $80\%$ 이상의 가시광 투과도를 나타내었고, 조도는 12.5nm로 양호하였다. 투명발열체의 비저항, 가시광 투과도, 그리고 조도는 각각 Hall 계수 측정장비, IR-VIS-UV spectrophotometer, 그리고 AFM을 이용하여 측정하였다. 증착된 투명발열체에 12V의 전압을 인가하였을 때, 표면의 온도는 평균적으로 1분에 약 $10^{\circ}C$ 증가하였다.