• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.439-439
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• 2011

기존의 고온에서 제작되는 TiO2 나노 입자를 이용한 염료감응형 태양전지를 저온에서 제작하기 위해 전자 이동층으로 ZnO 나노 입자를 사용하여, 저온($200^{\circ}C$)에서 염료감응태양전지(DSSC)를 제작하였다[1,2]. 상대전극(counter electrode)으로는 RF magnetron sputtering을 사용하여 ITO/glass위에 Pt를 증착하여 태양전지의 특성을 측정하였다. $180^{\circ}C$ 이상에서 hydropolymer가 증발되는 것을 이용하여, ZnO 나노입자와 hydropolymer 혼합한 paste 제작하여 소결 후 ZnO 나노입자 사이에 다공성을 생성시켜 Dye가 잘 침투하여 ZnO 나노입자 표면에 잘 흡착 되도록 하였다[3]. 20 nm 및 60 nm 크기의 ZnO 나노 입자를 사용하여 실험 해본 결과, 20 nm에 비하여 60 nm ZnO 나노입자의 경우 IPCE 값이 약 7% 정도로 높은 전환효율 값을 보였다. 60 nm ZnO 나노입자를 전자 수송층으로 사용한 DSSC 소자에서 단위면적당 흐르는 전류(Jsc), 전압 (Voc), fill factor (ff), 그리고 효율(${\eta}$)의 최대값은 4.93 mA/$cm^2$, 0.56V, 0.40, and 1.12%, 로 보였다.

• Progress in Superconductivity and Cryogenics
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• v.14 no.1
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• pp.1-3
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• 2012

LMO($LaMnO_3$) buffer layer of superconducting coated conductor was deposited on IBAD-MgO template in the plasma atmosphere at $650^{\circ}C$ which is relatively low compared with conventional deposition temperature of more than $800^{\circ}C$. Deposition method of LMO was DC sputtering, and target and deposition chamber were connected to the cathode and anode respectively. When DC voltage was applied between target and chamber, plasma was formed on the surface of target. The tape substrate was located with the distance of 10 cm between target and tape substrate. When anode bias was connected to the tape substrate, electrons were attracted from plasma in target surface to the tape substrate, and only tape substrate was heated by electron bombardment without heating any other zone. The effect of electron bombardment on the surface of substrate was investigated by increasing bias voltage to the substrate. We found out that the sample of electron bombardment had the effect of surface heating and had good texturing at low controlling temperature.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.135-144
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• 1997

표면 활성효과에 대한 비정질 규소 박막의 고성결정화 특성을 연구하였다. 증착된 비정질 규소 박막에 macro한 방법으로 wet blasting을, micro한 방법으로 자기이온주입으로 표면 활성화 처리를 행한 후 열처리를 하여 결정립의 결정화 특성을 보았다. 열처리는 관상로를 이용한 저온 열처리와 RTP를 이용한 급속 열처리의 두 가지 방법으로 하였다. 결정화의 기준으로 XRD분석을 통해 얻은 (111) 피크 강도를 이용하였으며, 결정의 품질을 비교하기 위해 Raman 분석을 하였다. 기계적 damage를 이용한 표면 활성화는 결정화를 촉진함을 확인하였으며 활성화 방법에 따른 결정화 영향 변화정도는 열처리 온도가 증가함에 따라 감소하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.190-190
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• 2003

현재 a-Si TFT는 평판 디스플레이 소자로서 주로 사용되고 있으나 점차 고속응답속도 특성, 고화질이 요구됨에 따라 높은 전계효과 이동도를 가진 poly-Si TFT로 대체하기 위한 연구가 진행되고 있으며 특히 poly-Si TFT를 상용 유리 기판에 적용하기 위해 비정질 실리콘의 저온 결정화에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 본 연구에서는 극박막의 Ni을 선택적으로 증착하여 전계 유도방향성 결정화 (Field Aided Lateral Crystallization : FALC) 공정을 이용하여 결정화를 진행하였으며 전계를 인가하지 않은 경우와 전계를 인가한 경우, 전계 세기에 따른 결정화에 대하여 비교하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.S1
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• pp.28-33
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• 1995

TiN 박막은 저온(<$500^{\circ}C$), 저압(1Torr)에서 Tetrakis(diethylamido)titanium[TDEAT, Ti(NEt2)4]single precursor를 사용하여 증착하였다. 증차고딘 박막은 SEM(Scanning Electron Microscopy)으로 surface morphology와 step coverage를 측정하였고, TEM(Transmission Electron Microscopy)분석결과 microcrystalline의 TiN을 확인하였다. XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)분석결과에 따르면 $200-500^{\circ}C$구간에서는 $\beta$-hydogen elimination에 의한 반응이 일어나고 $600-700^{\circ}C$구간에서는 thermal decomposition에 의한 반응이 일어나고 있음을 알 수 있다. Carbon과 oxygen의 농도는 AES(Auger Electron Spectroscopy)를 사용하여 측정하였으며 온도가 감소할수록 carbon의 농도가 감소하는 경향을 보여주고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.353-353
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• 2010

본 논문에서는 소스와 드레인의 형성에 있어서 implantation 이 아닌 silicide를 형성시켜서 최고온도 $500^{\circ}C$가 넘지않는 저온공정을 실현하였고, silicon-on-insulator (SOI) 기판이 아닌 solid phase crystallization (SPC) 결정화 방법을 이용하여 결정화 시킨 SPC-TFT 기판을 사용하였다. Silicide 의 형성은 pt를 증착하여 furnace에서 열처리를 실시하여 형성하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.208-208
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• 2015

자동차 및 관련회사에서 표면처리 관련하여 품질 및 디자인 개선을 위한 제품을 지속적으로 요구 하고 있으며 각국의 환경규제에 대응하기 위한 방법을 연구 중에 있습니다. 이런 요구에 부합하는 신규제품을 소개하고자 합니다. 1. Chrome Free Etch: 6가크롬을 사용하지 않는 친환경 플라스틱 에칭 프로세스 2. Niflex: 휨성을 향상 시킨 아연니켈 합금도금 3. Electrolac UV: 저온경화및 플라스틱에 적용가능한 칼라 증착 도금 4. Xtra-form film: 눈부심방지 및 3D 디스플레이 개선을 위한 하드코팅필름

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.181-182
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• 2013

저온 공정을 통한 저가형의 태양전지를 만들기 위해 ALD 공정 법으로 Zinc oxide의 전도성을 조절하여 전기 증착법을 통해 성장시킨 Cuprous oxide와 p-n heterojunction을 구성하고 태양전지를 제작하였을 때 최적의 효율을 확인하였다. 전도성이 낮아질수록 전착법과의 p-n junction에서의 Jsc값이 증가하여 100도의 Zinc oxide의 경우 0.13%의 태양전지 효율을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2006.10a
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• pp.12-12
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• 2006

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.176-177
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• 2000

ITO 박막은 투명전도성과 열-반사 특성을 효율적으로 가지면서도 제작과정에서 고온 열처리가 수반되어야만 한다. 이것은 기판물질에 제한을 가져왔고, ITO 박막이 적용된 기기의 중량이나 파손의 위험, 이동의 불편함을 주고 있다. 최근에는 이러한 불리함을 극복하기 위하여 저온 기판에서 투명전도성의 효율을 높여 기판을 유기물질로 대체하려는 연구들이 진행되고 있다. 유기물질 기판은 유리 기판에 비해 가벼운 중량, 작은 체적, 접을 수도 있고 휴대도 간편한 깨지지 않는 flexible opto-electrical devices 에 응용성이 크다$^{(l.2.3)}$ . (중략)