Electrodeposited Cuprous oxide based p-n junction for photovoltaic devices with atomic layer deposited ZnO layers

  • 백승기 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 이기룡 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 조형균 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2013.05.30

Abstract

저온 공정을 통한 저가형의 태양전지를 만들기 위해 ALD 공정 법으로 Zinc oxide의 전도성을 조절하여 전기 증착법을 통해 성장시킨 Cuprous oxide와 p-n heterojunction을 구성하고 태양전지를 제작하였을 때 최적의 효율을 확인하였다. 전도성이 낮아질수록 전착법과의 p-n junction에서의 Jsc값이 증가하여 100도의 Zinc oxide의 경우 0.13%의 태양전지 효율을 보였다.

Keywords