• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.8 no.2
• /
• pp.9-13
• /
• 2001

The effects of glass addition on the densification and the microwave properties of $(Ba_{0.5}Pb_{0.5})Nd_2Ti_5O_{14}$ dielectric system were studied. When 2~3 wt% of borosilicate glass were added, the density increased and the better microwave properties were obtained. When a sample was sintered at $950^{\circ}C$ with 3 wt% of glass, the quality factor and the temperature coefficient of the resonant frequency of the specimen were 4500 and +10 $ppm/^{\circ}C$, respectively. The dielectric constant, however, decreased from 90 to 75 with glass addition.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2003.05c
• /
• pp.240-244
• /
• 2003

후막 리소그라피 기술은 기판 위에 감광성 페이스트를 도포한 후 자외선과 패턴마스크를 사용하는 광식각(photolithography) 방법을 이용하여 세부 패턴을 형성시키는 기술이다, 이 기술은 후막기술로서는 높은 해상도인 선폭 $30{\mu}m$ 이하의 미세도선을 구현할 수 있어, 후막기술을 이용한 고주파 모듈의 제조에 있어서 새로운 대안으로 주목받고 있다. 본 연구에서는 알루미나 기판 상에 수십 ${\mu}m$ 이하의 마이크로 비아를 가지는 유전체 층을 형성시킬 수 있는 저온소결용 감광성 유전체 페이스트를 개발하였다. 저온소결용 유전체 파우더와 폴리머, 모노머, 광개시제 등의 양을 조절하여 마이크로 비아를 형성할 수 있는 최적 페이스트 조성을 연구하였으며, 노광량 및 현상시간과 같은 공정변수가 마이크로 비아의 해상도에 미치는 영향을 평가하였다. 알루미나 기판에 전면 프린팅 한 후 건조, 노광, 현상, 소성 과정을 거쳐 소결전 $37{\mu}m$, 소결후 $49{\mu}m$의 해상도를 가지는 마이크로 비아를 형성할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2007.06a
• /
• pp.304-304
• /
• 2007

고주파 모률에서 사용되는 기판소재는 저유전율과 낮은 loss 특성을 요구함으로 지속적인 연구를 필요로 한다. 지금까지의 ceramic/glass composite 에서 주로 사용된 ceramic filler는 Al2O3로 낮은 유전률을 구현에 한계가 있었다. Cordierite는 낮은 유전율 (${\varepsilon}_r$ < 4)을 나타내는 filler로서 그 가능성이 높지만 아직까지 보고된 결과들이 미흡한 실정이다. 따라서 본 연구에서는 cordierite filler와 SiO2-B2O3-Al2O3-RO (R : Zn, Sr, Ba, Ca)계의 glass를 혼합하여 LTCC용 기판소재로서의 가능성을 확인하고자 저온 동시소성이 가능한 소결온도인 $850^{\circ}C{\sim}1.000^{\circ}C$ 사이에서 소재의 소결실험을 진행하였다. 소결온도에 따른 상변화, 유전특성을 확인한 결과 filler로 사용된 cordierite상만이 관찰 되었으며 소결조건에 따라 5.0~5.5의 낮은 유전율과 1.000~1,500의 Q를 나타내는 것을 확인 하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2006.06a
• /
• pp.323-324
• /
• 2006

저온동시 소결용 세라믹스, LTCC를 사용한 RF/MW용 고유전율 세라믹을 개발하기 위하여 300이상의 고유전율과 낮은 손실 계수를 가지는 것으로 알려진 $Ag(Nb_{1/4}Ta_{3/4})O_3$ 고용체와 $CaTiO_3$, $TiO_2$를 각각 혼합하여 공진주파수의 온도 계수가 0에 가까운 안정된 유전체 특성을 얻고자 하였다. 유전율의 온도 안정성을 도모하기 위해 음의 온도 계수를 갖는 $CaTiO_3$, $TiO_2$와 양의 온도계수를 갖는 $CaTiO_3$ 및 $TiO_2$를 일정 분율로 혼합한 복합체 구조의 시편을 제작하였다. LTCC 소자로의 적용을 위해 3wt.%의 CuO를 첨가하여 소결 온도를 낮추었으며, 소결 시편의 상 분석, 미세구조 및 전기적 특성을 조사하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.11 no.3 s.32
• /
• pp.17-22
• /
• 2004

The microwave dielectric properties of $CaZrO_3$ ceramics with addition of $CaTiO_3$ were studied. The effect of glass addition on the low-temperature sintering and microwave dielectric properties of $CaZrO_3-CaTiO_3$ ceramics were also evaluated to develop the materials for functional substrates of low-temperature co-fired ceramics. When $10-20 wt\%$ of lithium borosilicate glass was added, the sintering temperature of the $CaZrO_3-CaTiO_3$ ceramics decreased from $1450^{\circ}C$ to below $900^{\circ}C$. As the $T_f$ of glass frits and $CaZrO_3$ are slightly negative and that of $CaTiO_3$ is significantly positive, zero $T_f$ could be realized by mixing an appropriate amount of $CaTiO_3$ with $CaZrO_3$. The $CaZrO_3-CaTiO_3$ ceramics sintered at $875^{\circ}C$ with $15wt\%$ glass frits showed the relative density of $98\%$, permittivity of 23, quality factor of 2500 GHz, and temperature coefficient of resonant frequency of $ -3 ppm/^{\circ}C$.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.5 no.2
• /
• pp.1-6
• /
• 1998

B2O3F2를 함유한 Fluormica glass-ceramics 분말과 Potashborosilicate glass 분말을 이용하여 저온소결용 기판을 제조하기 위하여 제조한 그린시트의 특성 및 소결체의 소결 특 성을 평가하였다. 기판 제조용 슬러리를 제조하기 위해 결정화유리분말에 Potashborosilicate glass 분말을 각각 0. 25, 50wt%를 혼용하였다. Doctor blade법으로 그린시트를 제조한후 그 특성을 평가한 결과 건조수축률은 15.2~30.7% 온도상승에 따른 유기물의 탈지온도는 414$^{\circ}C$(2시간)로 선정하였다. 그린시트는 800~120$0^{\circ}C$사이에서 소성하여 소결특성을 평가하였 다. 소결 수축률은 17.5~18.5% 겉보기 기공률은 16.53~20.07%였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
• /
• 2003.06a
• /
• pp.91-94
• /
• 2003

하소온도에 따른 (Zn/sub 0.8.Mg/sub 0.2/)TiO₃ 마이크로파 유전체 세라믹스의 소결거동과 마이크로파 유전특성의 변화를 연구하였다. 저온소결을 위하여 0.45 wt.％Bi₂O₃와 0.55wt.％V₂O/sub 5/를 첨가하였으며, 1000℃이하의 온도에서 소결하여 치밀한 소결체를 얻을 수 있었다. 800℃～1000℃의 범위의 여러 온도에서 하소를 하고 소결 전ㆍ후의 존재상과 미세구조의 분석을 통하여, 하소한 분말에 존재하는 미반응상 및 이차상이 최소화 될 때 높은 Q×f/sub o/값을 갖는 것을 알 수 있었다. 1000℃에서 하소한 후 900℃에서 소결했을 때, 주상이 Hexagonal이고 미세구조가 균일하였으며, 이때 Q×f/sub o/ = 42,000㎓, ε/sub r/ = 22를 나타냈다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.28 no.1
• /
• pp.28-37
• /
• 2018

In order to study the NTC thermistor that can be fired at low temperature, the influence of the lead free glass frit and $RuO_2$ addition on the electrical properties of the NTC thermistor of $Mn_{1.85}Ni_{0.25}Co_{0.9}O_4$ basic composition was studied. The sintering characteristics of the specimen sintered at $1000^{\circ}C$ with 10 wt% frit added to the basic NTC composition were similar to those of the specimen sintered at $1200^{\circ}C$ without frit. However, as the amount of frit increased, the electrical resistivity and B constant were increased. In order to reduce the resistance, NTC thermistor was prepared by adding 0, 2, and 5 wt% of $RuO_2$ to the composition containing 10 wt% of frit and sintered at $1000{\sim}1200^{\circ}C$, and sintering and electrical properties were measured. The electrical resistivity and the B constant tended to decrease with increasing $RuO_2$ content. However, the resistivity was the lowest at sintering temperature of $1000^{\circ}C$ and the resistance increased with increasing sintering temperature after 5 wt% $RuO_2$ addition. The NTC thermistor sintered at $1000^{\circ}C$ with 10 wt% frit and 5 wt% $RuO_2$ in the composition of NTC showed similar electrical properties and sintering characteristics when sintered at $1200^{\circ}C$ without added frit.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1995.11a
• /
• pp.91-92
• /
• 1995

• Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
• /
• 2002.04b
• /
• pp.64-64
• /
• 2002