• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.226-226
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• 2013

GaN는 III-V족 물질로 밴드갭이 3.4 eV으로 가시광선 영역에서 투명하며 우수한 전기적 특성으로 인해 여러 반도체 분야에서 응용되고 있는 물질이다. GaN 박막의 성장 방법으로는 molecular beam epitaxial 방법과 metal organic chemical vapor deposition 방법이 있지만 고비용인 단점이 있다. 이에 비해 sputtering 방법으로 성장시킨 GaN 박막은 비용이 적게 들고 저온에서 성장이 가능하다는 장점이 있다. 이 연구에서는 radio frequency sputter를 사용하여 GaN 박막을 성장하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. GaN 박막은 각각 단일층의 그래핀과 c-축 사파이어 기판에 증착 하였으며, 이때 기판온도는 $25^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$로 변화를 주었고, N2 분압은 2 sccm, 5 sccm, 10 sccm으로 변화를 주었다. 그래핀과 사파이어 기판에 성장된 각각의 GaN 박막의 결정성을 투과전자현미경 이미지로 측정하여 비교하였다. $4{\times}10^{-3}$ Torr 진공도와 50 W의 방전 전력과 Ar 10 sccm 분위기에서 20 min 동안 증착된 GaN 박막 두께는 70 nm정도를 가지는 것으로 확인하였다. X-ray Diffraction 측정으로 사파이어 기판 및 (002) 방향으로 성장된 GaN의 피크를 확인하였다. 추가적으로 Photoluminescence 스펙트럼은 N2 분압의 변화와 yellow luminescence 영향을 받는 것을 확인하였다. 본 연구를 통하여, 증착된 기판온도와 N2 분압의 변화에 따른 그래핀 및 사파이어 기판에 증착된 GaN 박막의 특성을 비교하였으며, sputtering 방법으로 고품질의 GaN 박막을 성장시킬 수 있는 가능성을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.292.1-292.1
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• 2013

ZnO, Ga2O3, In2O3 등 산화물 반도체는 최근 디스플레이, 태양전지 등 전자산업에서 중요한 소재로 전 세계적으로 많이 연구되고 있다. 그 중에서도 ZnO는 나노와이어, 나노점 등 나노구조체 형태로 제조가 가능해 짐에 따라 센서 등의 반도체 소자로의 응용가능성이 매우 큰 것으로 알려져 있다. ZnO 나노와이어는 chemical vapor deposition법을 이용하여 $800^{\circ}C$이상의 고온에서 제조 가능하다고 알려져 있다. 또한 저온 증착법으로 수열합성법이 있는데, 이때에는 사용되는 화학물질, 성장온도 등 제조 조건에 따라 특성이 크게 달라진다. 본 연구에서는 수열합성법으로 제조한 ZnO 나노와이어의 성장온도에 따른 물성을 분석하였다. 특히 ZnO 나노와이어의 지름 및 길이 변화가 두드러지게 나타났다. 성장온도 변화에 따라 나노와이어의 지름이 30 nm부터 100 nm까지 변화하였으며, 이에 따른 광학적 특성 또한 변하였다. XRD, SEM, PL, Raman 분광법으로 측정한 결과를 발표할 예정이다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제40권1호
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• pp.110-115
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• 2011

$65^{\circ}C$에서 30분간 저온살균법을 이용해 저장성이 증진된 절임배추에 Leu. citreum과 Lab. plantarum을 첨가한 스타터 김치를 제조하여 $5^{\circ}C$에서 4주간 발효시켰다. 발효 2주차에 일반김치의 pH가 4.29, 저온살균 한 절임배추로 제조한 김치가 pH 4.38로 발효 속도가 가장 늦었고 스타터 첨가 김치는 pH 4.28~4.31로 일반김치와 큰 차이가 없었다. 총 균수의 경우 일반김치에 비해 저온살균 한 김치에서 낮은 균수를 보였으며 총 Leuconostoc sp.와 Lactobacillus sp. 수의 경우 발효 3주째 저온살균 한 절임배추 김치에 비해 혼합균주를 첨가한 김치에서 높게 나타났으며 일반김치와 비슷한 균수를 관찰할 수 있었다. 관능검사에서 종합적인 만족도는 스타터 첨가 김치가 일반김치에 비해 높게 나타났으며 특히 혼합균을 첨가했을 때 높은 만족도를 보였다. 저온살균 한 절임 배추로 제조한 김치는 일반김치에 비해 DPPH 라디칼 소거능이 현저히 감소했지만, 이 절임배추에 스타터를 첨가한 김치는 일반김치와 유사하였다. in vitro 항암 효과를 각 군별로 비교하였을 때 Leu. citreum과 Lab. plantarum의 혼합균주 첨가 김치가 다른 군별 김치보다 유의적으로 높은 암세포 성장 저해 효과를 보였다(p<0.05). 혼합균주 첨가 김치의 암세포 성장 저해 효과는 91%를 나타냈으며, Leu. citreum을 첨가한 경우 89%, 일반김치의 경우 86%, Lab. plantarum을 첨가한 경우 80%, 저온살균 한 절임배추로 제조한 김치의 경우 73%의 결과를 보여, 혼합균주 첨가 김치의 암세포 성장 저해 효과가 가장 높았다. 저온살균 한 절임배추로 제조한 김치는 일반김치보다 기능성이 감소되지만 살균효과로 저장성은 증진되며 저온살균을 적용하되 스타터를 이용하면 그 기능성을 더 높게 조절할 수 있다. 특히 기능이 더 우수한 유산균을 사용한다면 품질과 기능성을 더 높일 가능성도 있다. 결국 이 경우 스타터로 사용하면 이화학적으로 일정한 품질의 김치를 생산할 수 있을 뿐더러 저장성 및 기능성의 증진을 기대할 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권5호
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• pp.200-207
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• 2020

SHS 법으로 MoSi₂ 분말, (Mo_1/2W_1/2)Si₂ 분말 및 WSi₂ 분말을 합성하고 이 분말들을 500℃, 1,000℃, 1,200℃, 1,300℃, 1,400℃, 1,500℃ 및 1,600℃에서 열처리한 다음, 결정구조 및 열중량 변화 등을 관찰하였다. Mo-W-Si계의 silicide 분말은 500℃의 저온에서도 산화 반응이 일어나며, 저온 산화 및 분해로 생성되는 결정상은 MoO₃이었다. 1,200℃ 이상에서 열처리를 한 경우에 분해반응으로 생성된 SiO₂의 결정상은 상온에서 흔히 관찰되는 α-quartz가 아닌 α-cristobalite 상으로 생성되었다. W이 포함되면 저온과 고온에서 분해 반응이 더 많이 일어나는 것으로 나타났으며, 분말을 성형하여 소결한 시편의 경우에 MoSi₂와 (Mo_1/2W_1/2)Si₂는 저온이나 고온에서 1시간 열처리를 하더라도 저온산화에 의한 분해와 그에 따른 질량 변화 반응을 관찰하기 어려웠지만 WSi₂는 저온 산화에 의하여 소결 자체가 어려웠다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.182-185
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• 2002

자기정렬구조의 실리콘-게르마늄 이종접합 트랜지스터에서 $f_{max}$를 높이기 위한 방안으로 베이스의 저항 값을 감소시키고자 외부 베이스에 실리콘 및 실리콘-게르마늄 박막을 저온에서 선택적으로 성장할 수 있는 방법을 연구하였다. RPCVD를 이용하여 $SiH_{2}Cl_{2}$과 $GeH_{4}$를 소스 가스로 하고 HCI을 첨가하여 선택성을 향상시킴으로써 $675\sim725^{\circ}C$의 저온에서도 실리콘 및 실리콘-게르마늄의 선택적 에피성장이 가능하였다. 고온 공정에 주로 이용되는 $SiH_{2}Cl_{2}$를 이용한 실리콘 증착은 $675^{\circ}C$에서 열분해가 잘 이루어지지 않고 HCl의 첨가에 의한 식각반응이 동시에 진행되어 실리콘 기판에서도 증착이 진행되지 않으나 $700^{\circ}C$ 이상에서는 HCI을 첨가한 경우에 한해서 선택성이 유지되면서 실리콘의 성장이 이루어졌다, 반면 실리콘-게르마늄막은 실리콘에 비해 열분해 온도가 낮고 GeO를 형성하여 잠입시간을 지연하는 효과가 있는 게르마늄의 특성으로 인해 선택성이나 증착속도 모두에서 유리하였으나 실리사이드 공정시에 표면으로 게르마늄이 석출되는 현상 등의 저항성분이 크게 작용하여 실리콘-게르마늄막 만으로는 외부 베이스에의 적용은 적절하지 않았다. 그러나 실리콘막을 실리콘-게르마늄막 위에 Cap 층으로 증착하거나 실리콘막 만으로 외부 베이스에 선택적으로 증착하여 베이스의 저항을 70% 가량 감소시킬 수 있었다.

• 한국가금학회지
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• 제17권2호
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• pp.115-122
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• 1990

닭고기를 $4^{\circ}C$에서 냉장 보관할 경우 7.5% Potassium sorbate와 1% ascorbic acid에의 침지 처리가 닭고기의 표면 미생물 및 관능적 품질에 미치는 영향을 검토한 결과는 다음과 같다. 1% ascorbic acid 처리육의 경우 저장 8일째 이취가 발생하였으며 12일째에는 부패가 일어났으므로 미생물적으로 대조구에 비해 큰 차이가 없었다. 7.5% potassium sorbate의 처리는 저장중 중온성균 및 저온성균의 억제효과가 있었으며 Enterobacteriaceae의 성장억제에 특히 커다란 효과가 인정되었다. 대장균군은 저장 전기간을 통해 거의 검출되지 않았으며 21일 저장 후에도 부패가 일어나지 않았다. 7.5% potassium sorbate와 1% ascorbic acid의 혼합처리는 중온성균과 저온성균의 성장 억제효과가 있었으며 특히 Enterobacteriaceae와 대장균군의 성장 억제효과가 크게 나타났다. 관능검사 결과 21일간의 전 저장기간을 통하여 부패가 일어나지 않았으며 potassium sorbate 단독처리에 비해ascorbic acid의 부가효과가 인정되었다. 결과적으로 닭고기를 $4^{\circ}C$에서 저장할 경우 ascorbic acid 단독처리에 의해서는 미생물 및 관능적 품질에 큰 영향을 미치지 못하였으나 potassium sorbate 단독처리 혹은 potassium sorbate와 ascorbic acid 혼합처리에 의해서는 미생물의 성장을 억제하였고 관능적으로도 21일 동안 부패 현상이 발생하지 많아 그 효과가 크게 인정되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제29권2호
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• pp.73-79
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• 2022

본 연구에서는 최근 저온접합 소재로 각광받고 있는 Ga과 대표적인 전극 물질인 Cu와의 반응연구를 실시하여 저온 솔더링 적용시 필요한 정보들을 확인하고자 하였다. 80-200℃ 온도범위에서 Ga과 Cu/Au 기판을 반응시켜 계면반응 및 금속간화합물(IMC) 성장을 관찰하고 분석하였다. 반응계면에서 성장하는 주요한 IMC는 CuGa₂ 상이었으며 그 상부에는 작은 입자크기를 가지는 AuGa₂ IMC 그리고 하부에는 얇은 띠 형상의 Cu₉Ga₄ IMC가 형성되었다. CuGa₂ 입자들은 scallop 형상을 보이며 Cu₆Sn₅ 성장의 경우와 비슷하게 반응시간이 증가함에 따라서 큰 형상변화없이 입자 크기가 증가하였다. CuGa₂ 성장기구를 분석한 결과 120-200℃ 온도범위에서 시간지수는 약 3.0으로 산출되었고, 활성화에너지는 17.7 kJ/mol로 측정되었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.37-38
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• 1994

• 한국전자현미경학회:학술대회논문집
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• 한국현미경학회 1996년도 제27회 춘계학술대회
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• pp.72-74
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• 1996

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2007년도 춘계학술발표대회 및 제12회 신소재 심포지엄
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• pp.25.1-25.1
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• 2007