• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.3
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• pp.188-195
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• 1997

Copper ions were adsorbed on amorphous Si films by spincoating of Cu solutions and were employed as surface nucleation sites for low-temperature crystallization. The crystallization temperature can bc lo~vered down to $500^{\circ}C$ and rhe crystallization time can be shortened by Cu adsorption. The Cu-adsorbed amorphous films were crystallized by fractal growth with the shape of tree branches. The fractal size ranged from $30 to 300{\mu}m$, depending on the Cu solution concentration. The fractals consisted of f e a t h e r like elliptical grains with the size of $0.3~0.4{\mu}m$. which was comparable to that of the intrinsic films crystallized at $600^{\circ}C$. Both the nucleation activation energy and grotvth activation energy decreased as the Cu concentration in the solution increased. The results suggest thcit the adsorbed Cu increases preferred nucleation sites at the surface and enhmces crystallization by reducing thc activation energies of nucleation and growth.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.40 no.10
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• pp.656-662
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• 1996

Using low temperature and atmospheric pressure method, we synthesized Na, TPA-ZSM-5 with Si/Al ratio of about 100. We employed 27Al and 29Si MAS NMR spectroscopy and FT-IR to investigate the crystallization process as a function of time. The chemical shift depends on the initial composition of reactants and changes during the course of synthesis different from those reported by others earlier. However, the chemical shift of our final product showed in the range of typical ZSM-5. And the defect site was removed by the calcine. From XRD and SEM data, the formation of ZSM-5 was also confirmed.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.34-34
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• 1994

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.9 no.2
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• pp.19-25
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• 2002

Glass composed of $Li_2$O.MgO. $MgF_2$.$SiO_2$.$B_2O_3$ for the fabrication of green sheet was prepared by melting process, and glass ceramics was prepared by the process of nucleation and grystal growth for the glass of $Li_2$O.MgO. $MgF_2$.$SiO_2$.$B_2O_3$ system with Lithium fluorhectorite and Lithium boron fluorphlogopite crystal phase. Powderization of the glass ceramics was carried out by water swelling. The average particle size at this point was 2.574 $\mu\textrm{m}$. Slurry was prepared for green sheet using high viscous sol fabricated by water swelling, which shows cleavage phenomenon in prepared glass ceramics. The optimum ratio of powder to water for the tape casting was 18:100, and its viscosity was 11,000~14,000 cps.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.2 no.6
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• pp.417-427
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• 1992

Silicon ion implantation was performed to LPCVD amorphous Si films and the low temperature annealing process followed with various conditions to find the optimal physical properties by studying recrystallization behavior. The uniformity of the recrystallized films was inspected by optical microscopy and for this purpose, new KOH: (IPA) : $H_2$O: $K_2$C${r_2}{O_7}$, etchant was developed. XRD and TEM results showed that the crystallites were grown as a form of dendrite with (111) preferred orientation, and the grain size was increased with dose concentration. The maximum grain size was obtained when the 3${\times}{10^{15}}$c$m^2$ implanted amorphous Si film was recrystallized at 55 $0^{\circ}C$for more than 40 hrs and at this condition the grain size was 3.2${\mu}$m.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.5 no.3
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• pp.379-384
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• 1994

A series of blends containing ethylene-vinyl alcohol(EVOH) and styrene-maleic anhydride(SMA) copolymers has been produced to study the effect of compatibilization on the crystallization behavior of the dispersed semicrystalline component. The crystallization behavior and the morphology of the blends have been characterized by differential scanning calorimetry(DSC) and scanning electron microscopy(SEM), respectively. Depending on the compatibilization, a part of crystallization of the dispersed phase took place with greater undercooking. Homogeneous crystallization was responsible for the shift of crystallization temperature for those compatibilized blends.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2005.11a
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• pp.666-666
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• 2005

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2007.11a
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• pp.51.1-51.1
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• 2007

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.212-212
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• 2016

2차원 탄소나노재료인 그래핀은 우수한 물성으로 인하여 광범위한 분야로 응용이 가능할 것으로 예상되어 많은 주목을 받아왔다. 이러한 그래핀의 응용가능성을 실현시키기 위해서는 보다 손쉽고 신뢰할 수 있는 합성방법의 개발이 필요한 실정이다. 그래핀의 합성 방법들로 흑연을 물리적 및 화학적으로 박리하거나, 특정 결정표면 위에 방향성 성장의 흑연화를 통한 합성, 그리고 열화학기상증착법(Thermal chemical vapor deposition; T-CVD) 등의 합성방법들이 제기되었다. 이중 T-CVD법은 대면적으로 두께의 균일성이 높은 그래핀을 합성하기 위한 가장 적합한 방법으로 알려져 있다. 그러나 일반적으로 T-CVD공정은 원료 가스인 탄화수소가스를 효율적으로 분해하기 위하여 $1000^{\circ}C$부근의 온공정이 요구되며, 이는 산업적인 응용의 측면에서 그래핀의 접근성을 제한한다. 따라서 대면적으로 고품질의 그래핀을 저온합성 할 수 있는 공정의 개발은 필수적이다. 본 연구에서는, 플라즈마를 이용하여 원료가스를 효율적으로 분해함으로써 그래핀의 저온합성을 도모하였다. 퀄츠 튜브로 구성된 수평형 합성장치는 플라즈마 방전영역과 T-CVD 영역으로 구분되며, 방전되는 유도결합 플라즈마는 원료가스를 효율적으로 분해하는 역할을 한다. 합성을 위한 기판과 원료가스로는 각각 전자빔 증착법을 통하여 300nm 두께의 니켈 박막이 증착된 실리콘 웨이퍼와 메탄가스를 이용하였다. 저온합성공정의 변수로는 인가전력과 합성시간으로 설정하였으며, 공정변수의 영향을 확인함으로써 그래핀의 저온합성 메커니즘을 고찰하였다. 연구결과, 인가전력이 증가되고 합성시간이 길어짐에 따라 원료가스의 분해효율과 공급되는 탄소원자의 반응시간이 보장되어 그래핀의 합성온도가 저하가능함을 확인하였으며, $400^{\circ}C$에서 다층 그래핀이 합성됨을 확인하였다. 또한 플라즈마 변수의 보다 정밀한 제어를 통해 합성온도의 저온화와 그래핀의 결정성 향상이 가능할 것으로 예상된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.356-356
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• 2013

Monolithic 3D-IC는 현대 집적회로에서 interconnect로 인해 발생되는 여러 문제들을 해결하기 위해 새롭게 제시되고 있는 기술적 개념으로 구현 시 하위 소자 및 interconnet들에 영향을 주지 않는 저온공정이 필수적이다. 특히 germanium (Ge)은 낮은 녹는점 및 높은 캐리어 이동도 덕분에 3D-IC 구현 시 상위 소자의 channel 물질에 적합한 것으로 알려져 있다. 최근 이러한 Ge을 결정화하기 위해 solid phase crystallization (SPC), metal induced crystallization (MIC), laser annealing과 같은 결정화 방법들이 보고되고 있다. 현재까지 SPC 방법에 의해 얻어진 poly-Ge의 도핑농도 및 이동도와 같은 전기적 특성에 대한 분석은 수행된 바 있으나 3D-IC 공정에 적용이 가능한 MIC 기술을 통해 얻어진 poly Ge 필름에 대한 전기적 특성분석은 부족한 상황이다. 본 연구는 SPC 뿐만 아니라 MIC 방법을 통해 ${\alpha}$-Ge를 결정화시키고 얻어진 poly-Ge 필름의 전기적 특성을 XRD 및 hall effect measurement를 통해 분석하였다. 특히 일반적으로 Ge 내에서 p-type dopant로 동작을 하는 defect과 n-type dopant인 phosphorus 관계를 고려하여 여러 온도에서 SPC 및 MIC에 의해 얻어진 phosphorus doped poly-Ge 필름들의 전기적 특성을 분석하였다.