• Title/Summary/Keyword: 저온상

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Manufacture and Characterization of Low Firing Temperatur Substrate using Glass Ceramics with Fluorine (Fluorine 함유 Glass Ceramics를 이용한 저온 소결기판 제조 및 기판의 특성 평가)

  • 강원호
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.3 no.2
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    • pp.27-38
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    • 1996
  • Lithium fluorhectorite 결정상을 함유한 glass ceramics 분말의 형성과 제조된 glass ceramics 분말을 이용한 저온 소결기판의 특성평가를 하였다. Li2O-MgO-MgF2-SiO2 계 유 리로 핵형성 및 결정 성장을 실시하여 lithium fluorhectorite 결정상을 지닌 glass ceramics 를 제조하였다. 유리시편의 핵형성 온도는 46$0^{\circ}C$였고 결정성장온도는 600, 640, 110$0^{\circ}C$에서 나타났다. $600^{\circ}C$에서의 결정상으 Li2.4LiSi4O10F2가 나타났다. Li2.4Mg8LiSi4와 Li2.8Mg0.6SiO4은 lithium fluorhectorite 결정상으로 되기 위한 중간상임을 확인할수 있었다. 64$0^{\circ}C$에서 열처리 후 110$0^{\circ}C$에서 재열처리하여 형성된 결정은 lithium fluorhectorite 와 tridymite가 최종 결정 상으로 나타났다. 이것은 수중에서 water swelling 현상에 의하여 분말화할 수 있었다, 기판 제조용 slurry를 제조하기 위해 glass ceramics 분말에 Al2O3분말을 0,25,50wt%로 혼합한것 과 glass ceramics 분말에 potashborosilica-te glass 분말을 15, 30, 45, 60 wt% 로 배합하 여 doctor blade 법으로 green sheet를 제조하였다. green sheet 는 950~150$0^{\circ}C$로소성하여 기판의 특성을 평가하였다. 겉보기 기공율은 3.06~19,14%이었고, 전기적 특성으로 유전상수 는 3~5(100KHz)를 나타내었다.

에틸렌을 이용한 단일벽 탄소나노튜브의 저온합성

  • Jo, Seong-Il;Jeong, Gu-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.337.1-337.1
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    • 2016
  • 단일벽 탄소나노튜브(Single-walled carbon nanotubes, SWNTs)는 나노 스케일의 크기와 우수한 물성을 갖고 있어, 전자, 에너지, 바이오 등 다양한 분야로의 응용이 기대되고 있다. 이러한 응용의 실현을 위해서는 경제적, 산업적인 면에서 보다 손쉬운 합성법이 요구된다. SWNTs의 합성에는 대면적의 균일한 CNTs를 합성할 수 있다는 장점이 있는 열화학기상증착법(Thermal chemical vapor deposition, TCVD)이 가장 일반적으로 사용되고 있다. 하지만 탄화수소가스를 효율적으로 분해하기 위하여 $900^{\circ}C$ 이상의 고온공정이 요구되며, 이는 경제적, 산업적인 면에서 사용이 제한적이다. 따라서 저결함, 고수율의 SWNTs를 저온합성 할 수 있는 공정의 개발이 지속적으로 필요하다. 본 연구에서는, TCVD법을 이용하여 에틸렌 원료가스로 SWNTs의 저온합성 가능성을 확인하였다. 합성을 위한 기판과 촉매로는 실리콘 산화막 기판(SiO2/Si wafer)에 철 나노입자를 지닌 ferritin을 스핀코팅 후 산화하여 이용하였다. 저온합성 공정의 변수로는 합성온도와 원료가스인 에틸렌의 분율을 설정하여, 변수가 SWNTs의 결정성과 수율에 미치는 영향을 고찰하였다. 합성된 SWNTs의 분석의 용이함과 손지기(Chirality)의 제어 가능성을 확인하기 위하여 나노 다공성 물질인 제올라이트(Zeolite)를 보조 기판으로 사용하였다. 실험결과 에틸렌 원료가스로 합성한 SWNTs는 메탄을 원료가스로 사용한 경우보다 낮은 $700^{\circ}C$ 부근에서도 합성이 가능함을 확인하였다. 또한 에틸렌의 분율과 합성 시간의 정밀한 제어를 통해 SWNTs의 합성온도를 더욱 감소시키는 것도 가능할 것으로 예상된다.

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플라즈마를 이용한 그래핀의 저온합성

  • Lee, Byeong-Ju;Park, Se-Rin;Yu, Han-Yeong;Lee, Jeong-O;Jeong, Gu-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.427-427
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    • 2011
  • 그래핀은 탄소원자가 육각형의 벌집형태로 배열되어 있는 원자단위 두께의 가장 얇은 재료중의 하나이다. 이는 우수한 기계적, 전기적, 광학적 특성을 지니고 있어 다양한 분야로의 응용이 가능할 것으로 예측되고 있다. 그래핀의 산업적 응용을 위해서는 대면적으로 두께 균일도가 높은 그래핀을 저렴한 방법으로 합성하는 것이 무엇보다도 우선적으로 요구된다. 그래핀을 얻는 방법으로는 물리 화학적 박리, 탄화규소의 흑연화, 열화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition; TCVD) 등의 다양한 방법이 있으며, 현재로선 그 중 TCVD법이 대면적으로 두께균일도가 높은 그래핀을 합성할 수 있는 가장 적합한 방법으로 인식되고 있다. 그러나 이 방법은 탄소가 포함된 원료가스를 분해하기 위하여 고온의 공정이 요구되는 단점이 있다. 이러한 이유로 최근 그래핀은 저온에서 합성하기 위한 많은 연구들이 진행 중에 있으며 그 결과가 속속 보고 되고 있다. 본 연구에서는 고주파 플라즈마가 결합된 TCVD장치를 이용하여 원료가스를 효율적으로 분해함으로서 그래핀의 저온합성을 도모하였다. 기판은 300 nm 두께의 니켈박막이 증착된 산화막 실리콘 기판을 사용하였으며, 원료가스로는 메탄을 사용하였다. 실험결과, 350 W의 파워로 플라즈마를 방전하여 30분간 합성을 수행하였을 때 약 $450^{\circ}C$ 근처의 저온에서 수 겹의 그래핀이 합성 가능한 것을 확인하였다. 합성된 그래핀은 분석의 용이함 및 향후 다양한 응용을 위하여 산화막 실리콘 기판 및 투명 고분자 기판 등으로 전사하였다. 그래핀의 특성분석을 위해서는 광학현미경, 라만 분광기, 투과전자현미경, 자외 및 가시선 분광광도계, 4탐침측정기 등을 이용하였다.

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Simulation and Layout of Single Flux Quantum AND gate (단자속 양자 AND gate의 시뮬레이션과 Layout)

  • 정구락;박종혁;임해용;강준희;한택상
    • Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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    • 2002.02a
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    • pp.141-143
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    • 2002
  • We have simulated and Laid out a Single Flux Quantum(SFQ) AND gate for Arithmetic Logic Unit by using XIC, WRspice and Lmeter. This circuit is a combination of two D Flip-Flop. D Flip- Flop and dc SQUID are the similar shape from the fact that it has the a loop inductor and two Josephson junction. We also obtained operating margins and accomplished layout of the AND gate. We got the margin of $\pm$42% over.

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원자로 입구노즐에서의 원자로 냉각재 펌프에 의한 맥동압력 준위 예측

  • 정종식;양재영
    • Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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    • 1996.05b
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    • pp.205-209
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    • 1996
  • 원자로 입구노즐에서 원자로 냉각재 펌프에 의한 맥동압력 준위를 원자로 하향통로와 저온 관을 상관시켜 예측하는 방법에 관하여 분석하였다. 원자로 하향통로에서의 맥동압력은 원자로 내부구조물의 건전성 평가에 쓰이는 중요한 인자로 이 값을 정확히 구하기 위해서는 경계조건인 입구노즐에서의 맥동압력을 정확히 예측해야 한다. 이를 위해 원자로 하향통로와 저온관을 상관시켜 원자로 입구노즐에서의 펌프에 의한 맥동압력 준위를 계산하였으며 Palo Verde Unit 1의 실험치와 비교 분석하였다. 분석 결과, 제시된 맥동압력 준위 예측모델은 500℉의 경우 비교적 잘 일치하였으나, 565℉의 경우 상당한 차이가 있었으므로 추가적인 검토 및 수정 작업이 요구된다.

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Development of solar powered water pump by using low temperature PCM -Equipment construction and experiments- (저온 상변화 물질 특성을 이용한 태양열 물펌프 실용화 연구 개발(II) -장치의 구성 및 실험-)

  • 김영복;이양근;이승규;김성태
    • Proceedings of the Korean Society for Agricultural Machinery Conference
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    • 2003.07a
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    • pp.384-389
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    • 2003
  • 전기가 공급되지 않는 농경지에 물을 공급하기 위해 태양열을 동력원으로 하고 저온에서 비등하는 물질을 작동물질로 하는 물펌프가 연구되어 왔다. 이와 관련하여 김 등(2002, 2003)은 펜탄을 작동물질로 한 태양열 물펌프 연구에서 에너지변환실험, 작동사이클의 열역학적인 해석, 장치의 설계를 수행한 바 있다. 본 연구에서는 펜탄을 작동물질로 한 태양열 물펌프를 실현하기 위하여 기존의 설계를 바탕으로 실험장치를 제작, 실험, 분석하였다. (중략)

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Effect of Triazole Chemicals on the Bolting Retardation in Chinese Cabbage (Triazole계 생장억제제가 봄배추 추대억제에 미치는 영향)

  • 성기철;이재욱;권혁모;이상규
    • Proceedings of the Korean Society for Bio-Environment Control Conference
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    • 2002.04a
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    • pp.30-36
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    • 2002
  • 봄 배추의 경우 대체로 온도가 낮은 저온기에 육묘가 이루어지며, 육묘기의 12$^{\circ}C$이하의 저온에 조우될 경우 배추의 화아가 분화되고, 생육후기의 고온과 장일, 강광 조건 등에 의하여 추대발생을 촉진하게 된다. 따라서 육묘시의 묘상온도를 1$0^{\circ}C$ 이상 되게 관리해야 하며, 시설재배나 봄재배, 여름재배 시에는 가급적 큰 모를 길러 정식을 해야하는 등 상당한 주의를 요하고 있다. (중략)

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2002년 춘ㆍ하계 추자도 주변해역의 해황

  • 고준철;문승업;김상현;노홍길
    • Proceedings of the Korean Society of Fisheries Technology Conference
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    • 2002.10a
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    • pp.133-134
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    • 2002
  • 제주해협에 접해 있는 한국남해연안역은 대체로 50m미만의 천해로써 제주해협에 비해 계절별로 하계에 저온ㆍ고염분수, 동계에 저온ㆍ저염분수가 출현해 해협내 연중 전선을 형성하는 해역으로서 특히, 한국 남해연안역에 위치해 있는 추자도 주변해역은 지형적 특성상 대마난류수, 한국 남해연안수와 중국대륙연안수, 황해저층냉수 등 이러한 이질수괴들이 시기와 계절별로 서로 상접하여 복잡한 해황을 형성하는 해역이다(Rho, 1985, 최, 1989, 김ㆍ노, 1994, Yoon, 1986, Rhoㆍ평야, 1983). (중략)

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Design of Single Flux Quantum D2 Cell and Inverter for ALU (ALU를 위한 단자속 양자 D2 Cell과 Inverter의 설계)

  • 정구락;박종혁;임해용;강준희;한택상
    • Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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    • 2003.02a
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    • pp.140-142
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    • 2003
  • We have designed a SFQ (Single Flux Quantum) D2 Cell and Inverter(NOT) for a superconducting ALU (Arithmetic Logic Unit). To optimize the circuit, we have used Julia, XIC and Lmeter for simulations and layouts. We obtained the circuit margin of larger than $\pm$25%. After layout, we drew chip for fabrication of SFQ D2 Cell and Inverter. We connected D2 Cell and Inverter to jtl, DC/SFQ, SFQ/DC and RS flip-flop for measurement.

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SINIS Technology for RSFQ Circuit Fabrication (RSFQ 회로 제작용 SINIS 조셉슨 접합기술)

  • ;;D. Balashov
    • Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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    • 2003.10a
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    • pp.103-105
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    • 2003
  • The high speed of RSFQ circuits is based on the self-resetting in the overdamped Josephson junctions. The SIS technology using Nb/A1$_2$O$_3$/Nb trilayer has been successfully adopted as a standard technology. However the newly suggested SINIS technology attracts interest because the junction itself is overdamped without any external shunt, and provides possibility of simplification of RSFQ circuit design and fabrication. In this paper we demonstrate RSFQ circuit fabrication process using SINIS technology.

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