• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.24 no.1
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• pp.9-20
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• 2000

An analysis of heat and mass transfer has been carried out for multi-wafer Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD). Surface radiation analysis considering specular radiation among wafers, heaters, quartz tube and side plates of the reactor has been done to determine temperature distributions of 150 wafers in two dimensions. Velocity, temperature and concentration fields of chemical gases flowing in a reactor with multi-wafers have been then determined, which determines Si deposition growth rate and uniformity on wafers using two different surface reaction models. The calculation results of temperatures and Si deposition have been compared and found to be in a reasonable agreement with the previous experiments.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.1
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• pp.99-108
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• 1993

저압화학증착법에 의해 제조된 hemispheircal 및 rugged Si 박막들은 64 Mbit DRAM 이상의 캐패시터에 사용하기 위해 개발되었다. 이 공정을 사용하므로써 종래에 사용되던 Si 전극의 평평한 표면이 hemispherical 혹은 rugged 박막 형태의 표면으로 변한다. 위와 같은 박막은 비정질 Si 표면에서 핵생성되며 Si 원자 확산에 의해 결정립들이 결정체로 성장한다. 화학증착의 변수, 열처리 및 in-situ doping process들은 hemispherical 및 rugged Si 박막의 미세구조에 영향을 준다. 동일 두께에서는 고온에서 이루어질 때 혹은 동일 온도일 경우에는 얇은 박막층일 때에 하부전극의 표면들이 rugged poly Si 형상을 나타내며 이렇게 됨으로써 유효면적은 2.1배로 증가한다. 이와 같은 캐패시터 유효면적 증가는 대체로 높은 신뢰성을 갖는 두꺼운 절연막을 사용하면서 stack 캐패시터 구조의 높이를 감소시킬 수 있다. 따라서 이러한 제조기술은 차세대 캐패시터에 적용될 수 있다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.4 no.3
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• pp.259-267
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• 1994

The effect of processing parameters, temperature, gas concentration, gas flow rate and pressure, were studied on the densification of carbon/carbon composites using a Robust design method in isothermal low-pressure chemical vapor infiltration with a gas system of $C_3H_8-N_2$ After one time of isothermal low-pressure chemical vapor infiltrat.ion, the bulk density of carbon/carbon composites in creased up to 1-9% and apparent porosity of the composites decreased down to 20-50%. ANOVA analysis of the experiment.al data revealed that the important parameters of isothermal lowpressure chemical vapor infiltration were temperature, gas concentration and gas flnw rate. 'There was almost no ~ f f e c t on densification by pressure and interaction between each parameters. In t, he present experimental conditions, the highest bulk density was obtained at $1100^{\circ}C$ temperature, 100% $C_3H_8$, concentration, 100 SCCM flow rate and 5 torr pressure.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.448-448
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• 2009

기존에 박막공정을 이용한 CIGS 태양전지는 단가가 비싸고 공정이 복잡한 단점이 있다. 따라서 후막형 CIGS 태양전지 위한 CIGS 나노 입자의 필요성이 대두 되었다. CIGS 나노 입자를 합성하기 위한 방법은 용매열법, 콜로이달법 등이 있다. 특히 이들 방법 중에서 열용매 방식은 입도 제어가 용이하고 저압, 저온에서 간단한 공정으로 입자를 합성할 수 있다는 잠정으로 인해 많이 사용되어지고 있다. 본 연구에서는 열용매법을 이용하여, 용매양, 반응온도, 반응시간 등을 통하여 후막형 CIGS에 적합한 나노 입자를 합성하였다. XRD를 통해 상을 분석하고, SEM, 입도, B.E.T.를 통해 파우더의 평가하였다.

• The Korean Journal of Rheology
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• v.9 no.2
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• pp.60-65
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• 1997

PFP성형기술은 사출성형시 수지를 금형내에 환전히 채운후 저압의 공기를 이용하여 기포를 발생시켜 수지의 체적수축분을 기포의 성장에 의해 보상해주는 기술이다. 이방법은 일반 사출성형에서 많이 발생하는 싱크마크나 휨과 같은 변형문제를 해결하여 줄수 있으며 높은 압력을 필요로하지 않는다는 잇점을 가지고 있으나 이러한 최신공정에 대한 체계적인 연구는 미흡한 실정이다. 최근에 제시된 PFP성형공정의 모델링은 기포의 성장이 수지의 체 적수축에 의한 것이라는 가정을 근거로 기포핵이 생성된 이후의 기포성장을 모사하였으며 모델링에 해석결과는 몇가지 가정에도 불구하고 실험결과를 잘 설명하였다. 본 연구에서는 모델링이 가지는 문제점을 분석하고 기포성장의 메카니즘을 보다 체계적으로 이해하기 위하 여 실험적인 방법을 적용하였다. 많은 인자들을 효과적으로 고려하기 위하여 실험계획법을 적용하였으며 이를통하여 기포핵의 생성과 기포의 성장에 공기압 등이 매우 중요한 역할을 한다는 사실을 확인하였다. 이러한 결과는 모델링과 함께 PFP공정에 대한 체계적인 이해 뿐만 아니라 금형설계 및 성형조건의 설정등의 실제적인 문제해결에도 도움이 될것으로 기 대된다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2011.07a
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• pp.384-385
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• 2011

산업기술이 고도화됨에 따라 다양한 계열의 박막이 필요하게 되었고 고밀도의 플라즈마를 공급하고 안정된 공정의 진행을 위해 순시적인 플라즈마 제어가 가능한 임펄스 전원장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 플라즈마를 이용한 박막증착에서 요구되어지는 고품질의 박막특성을 구현하기 위해 다양한 공정기술이 개발되어 사용되고 있으며, 여기에는 박막을 구현하기 위한 증착 시스템 개발과 공정기술, 그리고 플라즈마를 형성, 유지시키는 고성능의 전원장치가 필요하다. 최근 박막증착 공정이 다양화되고 박막의 고품질화와 고속화 추세에 대응하기 위해서 고밀도의 플라즈마 제어가 가능한 고출력 임펄스 전원 개발이 요구된다. 또한, 에너지 밀도 증가를 위해 고속 임펄스 전원 장치의 필요성이 제기되고 있다. 본 연구에서는 앞서 연구되어진 저압회로를 부가한 임펄스 전원장치[1]를 수정, 보완한 후속연구로써, 증착율 개선을 위한 고주파 임펄스 플라즈마 전원 장치를 제안한다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.21 no.1
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• pp.98-103
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• 2010

The effect of plasma treatment on surface characteristics of polycarbonate (PC) films was investigated using low pressure plasma and atmospheric pressure plasma with oxygen and argon. Untreated PC has a contact angle of $82.31^{\circ}$ with de-ionized water which reduced to $9.17^{\circ}$ as the lowest value after being treated with a low pressure plasma treatment with oxygen. Increase of delivered powers such as RF and AC with a high frequency and gas flow rates was not effective to reduce contact angles dramatically but gave the trend of reducing gradually. The surface of PC treated with plasma shows a low contact angle but the contact angle increases rapidly according to the exposure time in air ambient. Oxygen plasma was more effective to generate the polar functional group regardless of the type of plasma. Conclusively, a low plasma treatment with oxygen is more recommendable when the hydrophilic surface of PC is required.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.46 no.2
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• pp.408-413
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• 2008

In this work, the use of LPRTO (low pressure rapid thermal oxidation) and remote plasma oxidation was evaluated for the preparation of ultra thin silicon oxide layer with less than 5 nm. The silicon oxide thickness grown by LPRTO was rapidly increased and saturated. The maximum thickness could be controlled at about 5 nm. As RF power and oxygen flow rate at a remote plasma oxidation increased, the behavior of oxide growth was almost the same as that of LPRTO. The oxide thickness of 4 nm was the maximum obtained by a remote plasma oxidation in this work. The quality of silicon oxide grown by LPRTO was comparable to the thermally grown conventional oxide.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.149-149
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• 2013

반도체 공정 및 디스플레이 공정에서 발생하는 오염입자는 공정 불량을 일으키는 가장 큰 인 중의 하나이며, 수십 나노에서 수 백 나노의 크기를 갖는다. 최근 반도체 산업이 발전함에 따라 회로의 선폭이 점차 감소하고 있으며 오염입자의 임계 직경(critical diameter) 또한 작아지고 있다. 또한 디스플레이 산업에서는 패널이 대형화되고 공정이 발달함에 따라 입자에 의한 패널 오염이 이슈가 되고 있는 실정이다. 현재 반도체 및 디스플레이 산업에서 사용되는 측정방법으로는 레이저를 이용하여 공정 후 표면에 남아있는 오염입자를 측정하는 ex-situ 방법이 주를 이루고 있다. Ex-situ 방법을 이용한 오염입자의 제어는 웨이퍼 전체를 측정할 수 없을 뿐만 아니라 실시간 측정이 불가능하기 때문에 공정 모니터링 장비로 사용이 어려우며 오염입자와 공정 간의 상관관계 파악에도 많은 제약이 따르게 된다. 이에 따라 저압에서 in-situ 방법을 이용한 실시간 오염입자 측정 기술 개발이 요구되고 있다. 또한 입자의 크기 뿐 아니라 성분과 형상까지 측정할 수 있는 장치의 개발 요구가 높아지고 있는 실정이다. 이를 위해 입자의 크기 및 분포를 측정할 수 있는 Particle Beam Mass Spectrometer (PBMS)와 형상을 측정할 수 있는 Scanning Electron Microscope (SEM)의 기능을 통합하여 실시간으로 나노입자의 복합특성(크기, 성분, 형상)을 측정할 수 있는 장치를 개발하였다. 또한 기존 장치들의 문제점 중 하나가 실시간으로 교정이 불가능하다는 것이었는데 이 장치의 경우 실시간으로 측정되는 결과의 조합으로 실시간 교정까지도 가능한 장점을 가지고 있다.

• KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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• v.5 no.3
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• pp.173-179
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• 2019

Cryogenic air separation unit produces various gases such as $N_2$, $O_2$, and Ar by liquefying air. The process also varies with diverse production conditions. The one for SNG production among them has lower efficiency compared to other air separation unit because it requires ultrapure $O_2$ with purity not lower than 99.5%. Among factors that reduce the efficiency of air separation unit, power consumption due to compress air and heat duty of double column were representatives. In this study, simulation of the air separation unit for SNG production was carry out by using ASEPN PLUS. In the results of the simulation, 18.21 kg/s of at least 99.5% pure $O_2$ was produced and 33.26 MW of power was consumed. To improve the energy efficiency of air separation unit for SNG production, the sensitivity analysis for power consumption, purities and flow rate of $N_2$, $O_2$ production in the air separation unit was performed by change of air boosting ratios. The simulated model has three types of air with different pressure levels and two air boosting ratio. The air boosting ratio means flow rate ratio of air by recompressing in the process. As increasing the first air boosting ratio, $N_2$ flow rate which has purity of 99.9 mol% over increase and $O_2$ flow rate and purity decrease. As increasing the second air boosting ratio, $N_2$ flow rate which has purity of 99.9 mol% over decreases and $O_2$ flow rate increases but the purity of $O_2$ decreases. In addition, power consumption of compressing to increase in the two cases but results of heat duty in double column were different. The heat duty in double column decreases as increasing the first air boosting ratio but increases as increasing the second air boosting ratio. According to the results of the sensitivity analysis, the optimum air boosting ratios were 0.48 and 0.50 respectively and after adjusting the air boosting ratios, power consumption decreased by approximately 7% from $0.51kWh/O_2kg$ to $0.47kWh/O_2kg$.